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公开(公告)号：CN108701089A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780014727.7
申请日：2017-03-02
申请人： 英特尔公司
发明人： F.T.哈迪
IPC分类号： G06F12/02
CPC分类号： G06F3/0659 , G06F3/061 , G06F3/0616 , G06F3/0619 , G06F3/0679 , G06F13/16
摘要： 提供的是用于处理到用以存储数据的存储器管芯的可寻址单元的部分的顺序写入的设备和方法。接收到可寻址单元的第一部分的写入，并且所述写入被写入到可寻址单元的第一部分。在到可寻址单元的先前部分的先前写入之后接收到可寻址单元的下一部分的下一写入。响应于下一写入针对先前写入是顺序的而将下一写入顺序地写入到在先前部分之后的可寻址单元的下一部分。响应于下一写入针对先前写入不是顺序的而将除下一写入之外的数据写入到在先前部分之后的可寻址单元。
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公开(公告)号：CN103999057A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201180076011.2
申请日：2011-12-30
申请人： 英特尔公司
发明人： L.K.普蒂耶达思 , M.T.琼斯 , S.R.特特里克 , R.J.小罗耶 , R.K.拉马努彦 , G.J.欣顿 , B.芬宁 , R.S.吉廷斯 , M.A.施米索伊尔 , F.T.哈迪 , R.W.法伯
CPC分类号： G11C16/3431 , G06F11/1048 , G06F12/0246 , G11C13/0004 , G11C14/0045
摘要： 本发明描述与PCM(具有开关的相变存储器)装置的元数据的管理和/或支持相关的方法和设备。在一个实施例中，PCMS控制器基于元数据来允许对PCMS装置的访问。元数据可用来提供效率、耐久性、纠错等，如本发明中所述。还公开并且要求保护其它实施例。
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公开(公告)号：CN108701089B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201780014727.7
申请日：2017-03-02
申请人： 英特尔公司
发明人： F.T.哈迪
IPC分类号： G06F12/02
摘要： 提供的是用于处理到用以存储数据的存储器管芯的可寻址单元的部分的顺序写入的设备和方法。接收到可寻址单元的第一部分的写入，并且所述写入被写入到可寻址单元的第一部分。在到可寻址单元的先前部分的先前写入之后接收到可寻址单元的下一部分的下一写入。响应于下一写入针对先前写入是顺序的而将下一写入顺序地写入到在先前部分之后的可寻址单元的下一部分。响应于下一写入针对先前写入不是顺序的而将除下一写入之外的数据写入到在先前部分之后的可寻址单元。
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公开(公告)号：CN108701087A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780014644.8
申请日：2017-03-02
申请人： 英特尔公司
发明人： F.T.哈迪
IPC分类号： G06F12/02
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/1016 , G06F2212/1036 , G06F2212/7201 , G06F2212/7207 , G06F2212/7208 , G06F2212/7211
摘要： 提供的是用于处理到存储器装置中的物理块的块群组的顺序写入的设备和方法。接收针对多个连续逻辑地址的顺序写入数据，并且进行包括块群组的连续物理块的确定。每个物理块具有针对多个连续逻辑地址的数据。顺序写入数据被写入到具有针对块群组的确定的连续物理块的数据的连续物理数据位置。针对块群组的块群组元数据被更新。
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公开(公告)号：CN107092561B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201610912901.7
申请日：2011-12-29
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/08 , G06F3/06 , G06F12/1009 , G11C11/56
摘要： 本发明公开了用于实现具有直接存取的多级存储器的方法、设备以及系统的实施例。在一个实施例中，该方法包括在计算机系统中将某一量的非易失性随机存取存储器（NVRAM）指定为用作可替换于动态随机存取存储器（DRAM）的存储器。该方法通过将第二量的NVRAM指定为用作可替换于大容量存储设备的存储装置而继续。然后，该方法在计算机系统的操作期间将第一量的NVRAM的至少第一部分从存储器可替换指定重新指定为存储装置可替换指定。最后，该方法在计算机系统的操作期间将第二量的NVRAM的至少第一部分从存储装置可替换指定重新指定为存储器可替换指定。
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公开(公告)号：CN107092561A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610912901.7
申请日：2011-12-29
申请人： 英特尔公司
摘要： 本发明公开了用于实现具有直接存取的多级存储器的方法、设备以及系统的实施例。在一个实施例中，该方法包括在计算机系统中将某一量的非易失性随机存取存储器（NVRAM）指定为用作可替换于动态随机存取存储器（DRAM）的存储器。该方法通过将第二量的NVRAM指定为用作可替换于大容量存储设备的存储装置而继续。然后，该方法在计算机系统的操作期间将第一量的NVRAM的至少第一部分从存储器可替换指定重新指定为存储装置可替换指定。最后，该方法在计算机系统的操作期间将第二量的NVRAM的至少第一部分从存储装置可替换指定重新指定为存储器可替换指定。
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公开(公告)号：CN104011690B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201180075995.2
申请日：2011-12-29
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： G06F3/0644 , G06F3/0604 , G06F3/0631 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F12/023 , G06F12/0238 , G06F12/0246 , G06F12/08 , G06F12/10 , G06F12/1009 , G06F2212/2024 , G06F2212/205 , G06F2212/7201 , G06F2212/7204 , G11C7/1006 , G11C11/56 , G11C16/00 , Y02D10/13
摘要： 本发明公开了用于实现具有直接存取的多级存储器的方法、设备以及系统的实施例。在一个实施例中，该方法包括在计算机系统中将某一量的非易失性随机存取存储器（NVRAM）指定为用作可替换于动态随机存取存储器（DRAM）的存储器。该方法通过将第二量的NVRAM指定为用作可替换于大容量存储设备的存储装置而继续。然后，该方法在计算机系统的操作期间将第一量的NVRAM的至少第一部分从存储器可替换指定重新指定为存储装置可替换指定。最后，该方法在计算机系统的操作期间将第二量的NVRAM的至少第一部分从存储装置可替换指定重新指定为存储器可替换指定。
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公开(公告)号：CN103999057B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201180076011.2
申请日：2011-12-30
申请人： 英特尔公司
发明人： L.K.普蒂耶达思 , M.T.琼斯 , S.R.特特里克 , R.J.小罗耶 , R.K.拉马努彦 , G.J.欣顿 , B.芬宁 , R.S.吉廷斯 , M.A.施米索伊尔 , F.T.哈迪 , R.W.法伯
CPC分类号： G11C16/3431 , G06F11/1048 , G06F12/0246 , G11C13/0004 , G11C14/0045
摘要： 描述与PCM(具有开关的相变存储器)装置的元数据的管理和/或支持相关的方法和设备。在一个实施例中，PCMS控制器基于元数据来允许对PCMS装置的访问。元数据可用来提供效率、耐久性、纠错等，如本公开中所述。还公开并且要求保护其它实施例。
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公开(公告)号：CN104011690A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201180075995.2
申请日：2011-12-29
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： G06F3/0644 , G06F3/0604 , G06F3/0631 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F12/023 , G06F12/0238 , G06F12/0246 , G06F12/08 , G06F12/10 , G06F12/1009 , G06F2212/2024 , G06F2212/205 , G06F2212/7201 , G06F2212/7204 , G11C7/1006 , G11C11/56 , G11C16/00 , Y02D10/13
摘要： 本发明公开了用于实现具有直接存取的多级存储器的方法、设备以及系统的实施例。在一个实施例中，该方法包括在计算机系统中将某一量的非易失性随机存取存储器（NVRAM）指定为用作可替换于动态随机存取存储器（DRAM）的存储器。该方法通过将第二量的NVRAM指定为用作可替换于大容量存储设备的存储装置而继续。然后，该方法在计算机系统的操作期间将第一量的NVRAM的至少第一部分从存储器可替换指定重新指定为存储装置可替换指定。最后，该方法在计算机系统的操作期间将第二量的NVRAM的至少第一部分从存储装置可替换指定重新指定为存储器可替换指定。
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