公开(公告)号：CN100483593C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200480008832.2

申请日：2004-02-19

申请人： 英特尔公司

发明人： H·巴

IPC分类号： H01H59/00

CPC分类号： H01H59/0009 ,  H01H2001/0084

摘要： 一种微型机电系统开关可以形成有确定于衬底上的突起，其与设置于衬底上方的可偏转构件接触。例如，可偏转构件可以是悬臂或可偏转梁。在一个实施例中，可以使用场氧化技术在衬底中形成突起。

公开(公告)号：CN1938807A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580010340.1

申请日：2005-03-02

申请人： 英特尔公司

发明人： T·-K·A·仇 ,  H·巴

IPC分类号： H01H59/00

CPC分类号： H01H59/0009 ,  H01H1/18 ,  H01H2059/0018 ,  H01H2059/0072

摘要： 本发明的实施例描述了接触开关，该接触开关可以包括底电极结构和顶电极结构，底电极结构包括底驱动电极，顶电极结构包括顶驱动电极和一个或多个当开关在弯折状态时能保持顶电极和底电极之间的预先确定的间隙的止动件。

公开(公告)号：CN1938807B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200580010340.1

申请日：2005-03-02

申请人： 英特尔公司

发明人： T·-K·A·仇 ,  H·巴

IPC分类号： H01H59/00

CPC分类号： H01H59/0009 ,  H01H1/18 ,  H01H2059/0018 ,  H01H2059/0072

摘要： 本发明的实施例描述了接触开关，该接触开关可以包括底电极结构和顶电极结构，底电极结构包括底驱动电极，顶电极结构包括顶驱动电极和一个或多个当开关在弯折状态时能保持顶电极和底电极之间的预先确定的间隙的止动件。

公开(公告)号：CN1768408A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200480008832.2

申请日：2004-02-19

申请人： 英特尔公司

发明人： H·巴

IPC分类号： H01H59/00

CPC分类号： H01H59/0009 ,  H01H2001/0084

摘要： 一种微型机电系统开关可以形成有确定于衬底上的突起，其与设置于衬底上方的可偏转构件接触。例如，可偏转构件可以是悬臂或可偏转梁。在一个实施例中，可以使用场效氧化技术在衬底中形成突起。