公开(公告)号：CN114256171A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110980597.0

申请日：2021-08-25

申请人： 英特尔公司

发明人： S·达斯马哈帕特拉 ,  M·桑卡拉苏布拉玛尼安 ,  S·豪厄尔 ,  J·哈珀 ,  M·莫迪

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/50

摘要： 一种集成电路(IC)封装包括具有正面和背面的管芯。包括第一金属的焊料热界面材料(STIM)在所述背面之上。TIM具有不小于40W/mK的热导率；并且包括第二金属的管芯背面材料(DBM)在STIM之上，其中DBM具有不小于18x10‑6m/mK的CTE，其中STIM和DBM之间的界面包括第一金属和第二金属的至少一种金属间化合物(IMC)。

公开(公告)号：CN115020353A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210105728.5

申请日：2022-01-28

申请人： 英特尔公司

发明人： V·乌瓦洛夫-班卡莱罗 ,  J·哈珀 ,  M·桑卡拉苏布拉玛尼安 ,  P·纳迪 ,  B·D·法罗拉 ,  R·斯达帕 ,  J·默滕斯

IPC分类号： H01L23/14 ,  C22C22/00 ,  C22C38/04 ,  C22C38/08 ,  C22C38/40

摘要： 本发明公开了一种用于集成电路(IC)封装组件的加强件，集成电路(IC)封装组件包括电互连至衬底的IC管芯。加强件将在与IC管芯的至少一个边缘相邻的位置处机械附接至衬底，并且具有超过衬底的线性热膨胀系数(CTE)的CTE。加强件可以是“反因瓦”金属合金。反因瓦合金表现出“反因瓦”行为，其中，材料的热膨胀相对于特定合金系的其他成分显著增强。一种封装加强件可以是高Mn钢，例如，ASTM国际A128。在其他示例中，一种封装加强件是MnCuNi、FeNiMn或者FeNiCr合金，其在25‑100℃的范围内具有至少18ppm的平均CTE并且具有至少120GPa的室温弹性模量。