开放腔桥功率递送架构和工艺
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113451288A

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN202011528760.1

    申请日:2020-12-22

    申请人: 英特尔公司

    摘要: 本文公开的实施例包括具有开放腔桥的多管芯封装。在示例中,电子设备包括具有交替的金属化层和电介质层的封装衬底。封装衬底包括第一多个衬底焊盘和第二多个衬底焊盘以及开放腔。桥管芯在开放腔中,该桥管芯包括第一多个桥焊盘、第二多个桥焊盘、第一多个桥焊盘与第二多个桥焊盘之间的功率递送桥焊盘,以及导电迹线。第一管芯耦合到第一多个衬底焊盘和第一多个桥焊盘。第二管芯耦合到第二多个衬底焊盘和第二多个桥焊盘。功率递送导电线耦合到功率递送桥焊盘。

    开放空腔桥接器共面放置架构和工艺

    公开(公告)号:CN113451255A

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN202011543791.4

    申请日:2020-12-24

    申请人: 英特尔公司

    IPC分类号: H01L23/498

    摘要: 本文公开的实施例包括具有开放空腔桥接器的多管芯封装。在示例中,电子装置包括具有交替的金属化层和电介质层的封装衬底。封装衬底包括第一多个衬底焊盘和第二多个衬底焊盘。封装衬底还包括位于第一多个衬底焊盘和第二多个衬底焊盘之间的开放空腔,开放空腔具有底部和侧面。电子装置还包括位于开放空腔中的桥接管芯,桥接管芯包括第一多个桥接焊盘、第二多个桥接焊盘和导电迹线。间隙横向地位于桥接管芯与开放空腔的侧面之间,间隙围绕桥接管芯。

    具有共形EMI屏蔽的电子器件封装和有关方法

    公开(公告)号:CN108292646B

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN201680068857.4

    申请日:2016-11-24

    申请人: 英特尔公司

    摘要: 公开了电子器件封装。在一个示例中,电子器件封装可以包括底表面和从底表面延伸的侧表面。侧表面可以被定向为与底表面成非垂直角。在另一示例中,电子器件封装可以包括具有第一区域的平坦顶表面、具有第二区域的平坦底表面和在顶表面和底表面之间延伸的侧表面。第二区域可以大于第一区域。在又一示例中,电子器件封装可以包括限定平面的衬底、设置在衬底上的电子部件和设置在电子部件的横向侧周围的材料层。材料层可以被定向为与平面成小于90度的角。