穿主体过孔隔离的共轴电容器及其形成技术

    公开(公告)号:CN105706239A

    公开(公告)日:2016-06-22

    申请号:CN201380080847.9

    申请日:2013-12-23

    申请人: 英特尔公司

    IPC分类号: H01L27/108

    摘要: 公开了用于在半导体管芯中形成穿主体过孔(TBV)隔离的共轴电容器的技术。在一些实施例中,利用所公开的技术提供的圆柱形电容器可以包括,例如由电介质材料和外导体板环绕的导电TBV。例如,根据一些实施例,可以形成TBV和外板,以便在共轴配置中彼此自对准。公开的电容器可以贯穿主管芯的主体,使得它的端子可以在其上表面和/或下表面上可及。因此,在一些情况下,根据一些实施例,主管芯可以与另一个管芯电连接,以提供管芯叠置体或其它三维集成电路(3D IC)。在一些情况下,例如,可以利用公开的电容器来提供开关式电容器电压调节器(SCVR)中的集成电容。

    稳压器及包括稳压器的系统

    公开(公告)号:CN203733021U

    公开(公告)日:2014-07-23

    申请号:CN201320598466.7

    申请日:2013-09-25

    申请人: 英特尔公司

    IPC分类号: G05F1/56

    CPC分类号: G05F1/56 G05F1/565

    摘要: 本实用新型公开了一种稳压器及包括稳压器的系统,包括:输出级,其具有用以接收输入电源的输入电源节点和用以向负载提供输出电源的输出节点;放大器,其用以根据输出电源和基准电压控制输出级的电流强度;及滞后单元,其用以监控输出电源,并且可操作用于根据输出电源的电压电平控制输出级的电流强度。