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公开(公告)号：CN106716636B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201480081235.6
申请日：2014-09-17
申请人： 英特尔公司
摘要： 本公开内容的实施例描述了具有使用穿硅过孔(TSV)和相关联的技术和构造的集成麦克风设备的管芯。在一个实施例中，一种装置包括具有第一侧和被设置为与第一侧相对的第二侧的半导体衬底，形成在半导体衬底的第一侧上的互连层，形成为穿过半导体衬底并且被配置为在半导体衬底的第一侧与半导体衬底的第二侧之间传送电信号的穿硅过孔(TSV)，以及形成在半导体衬底的第二侧上并与TSV电气耦合的麦克风器件。可以描述和/或要求保护其它实施例。
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公开(公告)号：CN107077946A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201480080466.5
申请日：2014-08-07
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： H01L23/645 , H01F17/0006 , H01F27/2804 , H01F41/041 , H01F2017/002 , H01L23/481 , H01L23/5227 , H01L28/10
摘要： 所描述的是一种装置，其包括衬底；在衬底中形成为通孔(例如，穿硅通孔(TSV))的多个孔；和形成在多个孔上方的金属层中的金属环，使得金属环的平面与多个孔正交。
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公开(公告)号：CN105242127A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510398701.X
申请日：2015-06-03
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： H03K5/13 , H03D13/003 , H03K2005/00019 , H03L7/097 , H04B3/146 , H04L1/205
摘要： 本发明的实施例包括用于抖动均衡和相位误差检测的装置、方法和系统。在实施例中，通信电路可以包括用于传递数据信号的数据路径、以及用于传递时钟信号的时钟路径。抖动均衡器可以与所述数据路径和/或所述时钟路径耦合，以向所述数据信号和/或所述时钟信号分别提供可编程的延迟。所述延迟可以由训练过程来确定，在所述训练过程中，可以由调制频率来调制电源电压。所述延迟可以取决于所述电源电压的值，例如所述电源电压的电压电平和/或抖动频率分量。还描述了相位误差检测器，其可以用于所述通信电路和/或其它实施例中。
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公开(公告)号：CN107111347B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201580061514.0
申请日：2015-09-17
申请人： 英特尔公司
摘要： 本公开的实施例提供了用于具有电力状态控制的可穿戴设备的技术及配置。在一个实例中，所述设备：功能模块，所述功能模块用于以第一电力状态或以不同于所述第一电力状态的第二电力状态操作；电源，所述电源与所述功能模块耦合，用于向所述功能模块提供操作电力；以及电力状态控制模块，所述电力状态控制模块与所述功能模块耦合，用于响应于输入而致使所述功能模块从所述第一电力状态转变到所述第二电力状态。所述电力状态控制模块可包括电力生成设备，所述电力生成设备用于：独立于所述电源，响应于所述输入而生成电力；以及响应于所述所生成的电力而致使所述功能模块从所述第一电力状态转变到所述第二电力状态。可描述和/或要求保护其他实施例。
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公开(公告)号：CN107925263A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680049232.3
申请日：2016-08-24
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： H02J7/007 , H02J7/0052 , H02J7/0068 , H02J7/0073 , H02J7/045
摘要： 在实施例中，一种系统包括：电压感测逻辑，用于确定与第一源相对应的第一源电压V第一源；以及控制器，用于从所述电压感测逻辑接收V第一源的指示。所述控制器用于：响应于V第一源＞第一输出电压(V1)而选择第一源第一调节器来输入V第一源并提供V1；响应于V第一源＞第二输出电压(V2)而选择输入V第一源的第一源第二电压调节器并提供V2；响应于V第一源≤V1而选择输入与第二源相对应并在时间上基本恒定的第二源电压V第二源的第二源第一电压调节器，其中，V第二源＞V1，并且独立于所述第一源第一调节器和所述第一源第二电压调节器来提供V1。描述并要求保护了其他实施例。
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公开(公告)号：CN104871369A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201480003454.2
申请日：2014-01-09
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： H01L21/486 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L23/5225 , H01L23/5227 , H01L23/66 , H01L2924/0002 , H01Q1/2283 , H01Q21/065 , H01L2924/00
摘要： 本发明描述了一种贴片天线系统，其包括：集成电路管芯，其具有包括有源层的有源侧、以及背面；形成在所述背面上的电介质层；以及形成在所述电介质层上的再分布层，其中，所述再分布层形成贴片阵列。所述贴片天线还包括多个穿硅通孔(TSV)，其中，所述TSV将所述贴片阵列电连接到所述有源层。
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公开(公告)号：CN102142862B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201010576477.6
申请日：2010-12-02
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H04B1/7176 , H04B1/719
CPC分类号： H03K3/84
摘要： 本发明的实施例涉及用于经由混沌宽带频率调制来降低在计算机系统中的电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI)的装置和方法。在一个实施例中，混沌噪声调制器包括：主单元，用于产生与未调制参考信号对应的控制电压；以及从单元，其具有用于产生随机噪声信号的混沌信号产生器，所述从单元与所述主单元耦合，并且能够操作来响应于所述控制电压而产生调制输出信号。
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公开(公告)号：CN104871369B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201480003454.2
申请日：2014-01-09
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： H01L21/486 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L23/5225 , H01L23/5227 , H01L23/66 , H01L2924/0002 , H01Q1/2283 , H01Q21/065 , H01L2924/00
摘要： 本发明描述了一种贴片天线系统，其包括：集成电路管芯，其具有包括有源层的有源侧、以及背面；形成在所述背面上的电介质层；以及形成在所述电介质层上的再分布层，其中，所述再分布层形成贴片阵列。所述贴片天线还包括多个穿硅通孔(TSV)，其中，所述TSV将所述贴片阵列电连接到所述有源层。
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公开(公告)号：CN106716636A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201480081235.6
申请日：2014-09-17
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： H04R1/04 , B81B7/02 , B81B2201/0257 , B81B2207/096 , B81C1/00158 , B81C2201/0132 , B81C2203/0109 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/27002 , H01L2224/27618 , H01L2224/27848 , H01L2224/29011 , H01L2224/2919 , H01L2224/3201 , H01L2224/32058 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/83005 , H01L2224/83193 , H01L2224/83438 , H01L2224/8346 , H01L2224/83488 , H01L2224/8359 , H01L2224/83688 , H01L2224/83862 , H01L2224/92 , H01L2224/9222 , H01L2224/92225 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/161 , H01L2924/16151 , H01L2924/16152 , H01L2924/163 , H01L2924/166 , H04R1/406 , H04R19/005 , H04R19/04 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/01014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/11 , H01L2224/27 , H01L2224/83 , H01L2224/81 , H01L2221/68304
摘要： 本公开内容的实施例描述了具有使用穿硅过孔(TSV)和相关联的技术和构造的集成麦克风设备的管芯。在一个实施例中，一种装置包括具有第一侧和被设置为与第一侧相对的第二侧的半导体衬底，形成在半导体衬底的第一侧上的互连层，形成为穿过半导体衬底并且被配置为在半导体衬底的第一侧与半导体衬底的第二侧之间传送电信号的穿硅过孔(TSV)，以及形成在半导体衬底的第二侧上并与TSV电气耦合的麦克风器件。可以描述和/或要求保护其它实施例。
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