公开(公告)号：CN107636809B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN201580080415.7

申请日：2015-06-27

申请人： 英特尔公司(US)

发明人： V.H.勒 ,  G.德维 ,  B.朱-龚 ,  A.阿格拉沃尔 ,  M.V.梅茨 ,  W.拉克马迪 ,  M.C.弗伦奇 ,  J.T.卡瓦利罗斯 ,  R.里奥斯 ,  S.金 ,  S.H.宋 ,  S.K.加德纳 ,  J.M.鲍维斯 ,  S.R.塔夫特

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

摘要： 一种方法包括在衬底上的结区之间形成器件的非平面导电沟道，衬底包括沟道下方的阻挡材料，所述阻挡材料包括用以抑制载流子泄漏的性质；以及在沟道上形成栅极堆叠，所述栅极堆叠包括电介质材料和栅极电极。一种方法包括在半导体衬底上形成缓冲材料，缓冲材料包括包含与衬底不同的晶格结构的半导体材料；在缓冲材料上形成阻挡材料，所述阻挡材料包括用以抑制载流子泄漏的性质；以及在衬底上形成晶体管器件。一种装置包括衬底上的非平面多栅极器件，其包括晶体管器件，所述晶体管器件包括设置在衬底上的沟道，所述衬底包括沟道下方的阻挡材料，所述阻挡材料包括用以抑制载流子泄漏的性质。