公开(公告)号：CN118039688A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410195964.X

申请日：2024-02-22

申请人： 英诺赛科(苏州)半导体有限公司

发明人： 尹杰 ,  陈扶 ,  李兴俊

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

摘要： 本发明公开了一种双向开通HEMT器件和制作方法，势垒层设置于沟道层远离衬底的一侧；第一栅极和第一电极相邻设置，第二栅极和第二电极相邻设置；介质层位于势垒层远离衬底的一侧，并覆盖第一栅极和第二栅极；第一场板与第一栅极相邻，第二场板与第二栅极相邻；第一电极、第一栅极和第一场板与第二电极、第二栅极和第二场板对称设置；第一电场调整层设置于第一场板的末端和势垒层之间，第二电场调整层设置于第二场板的末端和势垒层之间。本发明可以避免在第一场板和第二场板的末端产生击穿。

公开(公告)号：CN117096182A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202310833504.0

申请日：2023-07-07

申请人： 英诺赛科(苏州)半导体有限公司

发明人： 杜卫星 ,  陈扶 ,  尹杰

IPC分类号： H01L29/43 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，本发明提供一种半导体器件及其制造方法，包括：栅极结构，栅极结构包括p型掺杂氮化物半导体层、n型掺杂氮化物半导体层和栅极电极层，p型掺杂氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层上，n型掺杂氮化物半导体层设置于p型掺杂氮化物半导体层上，栅极电极层设置于n型掺杂氮化物半导体层上，p型掺杂氮化物半导体层和n型掺杂氮化物半导体层适于形成PN结；n型掺杂氮化物半导体层包括基体和延伸部，延伸部连接于基体并沿基体向p型掺杂氮化物半导体层延伸预设深度，基体覆盖p型掺杂氮化物半导体层。延伸部向p型掺杂氮化物半导体层延伸预设深度，能够扩大PN结耗尽区的面积，降低栅极结构的击穿电场。

公开(公告)号：CN117877980A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410170791.6

申请日：2024-02-06

申请人： 英诺赛科(苏州)半导体有限公司

发明人： 尹杰 ,  陈扶 ,  赵杰

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/06

摘要： 本发明公开了一种功率器件的制备方法，包括：在掺杂的氮化物半导体层远离第一势垒层的一侧形成栅极和第二势垒层，栅极包括第一栅极和第二栅极，第一栅极在衬底的正投影覆盖至少部分第一掺杂的氮化物半导体层在衬底的正投影，第二栅极在衬底的正投影覆盖至少部分第二掺杂的氮化物半导体层在衬底的正投影；第二势垒层位于掺杂的氮化物半导体层和栅极之间，或者第二势垒层位于栅极远离掺杂的氮化物半导体层的一侧，或者，第二势垒层位于掺杂的氮化物半导体层远离第一势垒层的一侧。本发明可以提高二维电子气浓度，有效降低漂移区电阻，提高器件饱和电流，实现高压双向开通关断。