公开(公告)号：CN109524385A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201811093826.1

申请日：2018-09-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C.布雷特豪尔 ,  B.劳梅尔 ,  H.珀勒 ,  M.施特夫雷夫

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/768

摘要： 具有绝缘分离体的半导体管芯接合焊盘。一种半导体管芯包括在半导体衬底上方的最后金属化层；在最后金属化层上方的接合焊盘；保护层，其覆盖接合焊盘的部分并且具有限定接合焊盘的接触区的开口；绝缘区域，其至少在与接合焊盘的接触区相对应的区中将接合焊盘与最后金属化层分离；以及导电互连结构，其在接合焊盘的接触区的外部从接合焊盘延伸到上金属化层。还提供了相应的制造方法。

公开(公告)号：CN105905865A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610103116.7

申请日：2016-02-25

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C.布雷特豪尔 ,  D.梅因霍尔德

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B1/00

摘要： 本发明涉及半导体元件和用于制造半导体元件的方法。一种方法包括提供经处理的衬底布置，所述经处理的衬底布置包括经处理的半导体衬底和在经处理的半导体衬底的主表面上的金属化层结构。所述方法进一步包括释放蚀刻，其用于在经处理的半导体衬底中的分离区处在金属化层结构中生成截槽，所述分离区定义经处理的衬底布置的管芯区与经处理的衬底布置的至少第二区之间的边界。

公开(公告)号：CN109524385B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN201811093826.1

申请日：2018-09-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C.布雷特豪尔 ,  B.劳梅尔 ,  H.珀勒 ,  M.施特夫雷夫

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/768

摘要： 具有绝缘分离体的半导体管芯接合焊盘。一种半导体管芯包括在半导体衬底上方的最后金属化层；在最后金属化层上方的接合焊盘；保护层，其覆盖接合焊盘的部分并且具有限定接合焊盘的接触区的开口；绝缘区域，其至少在与接合焊盘的接触区相对应的区中将接合焊盘与最后金属化层分离；以及导电互连结构，其在接合焊盘的接触区的外部从接合焊盘延伸到上金属化层。还提供了相应的制造方法。

公开(公告)号：CN105905865B

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN201610103116.7

申请日：2016-02-25

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C.布雷特豪尔 ,  D.梅因霍尔德

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B1/00

摘要： 本发明涉及半导体元件和用于制造半导体元件的方法。一种方法包括提供经处理的衬底布置，所述经处理的衬底布置包括经处理的半导体衬底和在经处理的半导体衬底的主表面上的金属化层结构。所述方法进一步包括释放蚀刻，其用于在经处理的半导体衬底中的分离区处在金属化层结构中生成截槽，所述分离区定义经处理的衬底布置的管芯区与经处理的衬底布置的至少第二区之间的边界。