公开(公告)号：CN114628345A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111487320.0

申请日：2021-12-07

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： W·哈特纳 ,  F·阿尔乔尼 ,  T·厄尔德埃尔 ,  V·费奥雷 ,  H·科尔曼 ,  A·罗尼 ,  E·斯塔瓦格纳 ,  C·瓦格纳

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L21/48

摘要： 本公开涉及一种半导体器件，包括：半导体芯片，包括布置在半导体芯片的主表面上的电接触件；外部连接元件，被配置为在半导体器件与印刷电路板之间提供第一电连接；以及电再分布层，在与半导体芯片的主表面平行的方向上延伸，并被配置为在半导体芯片的电接触件与外部连接元件之间提供第二电连接。电再分布层包括连接到地电位的地线以及被配置为承载具有波长的电信号的信号线。当在垂直于半导体芯片的主表面的方向上查看时：地线与信号线之间的间隙的宽度沿一路径连续小于波长的10％，且至少小于40微米，该路径的起点和半导体芯片的电接触件相对于从电接触件到外部连接元件的中心的方向具有相似的位置。