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公开(公告)号：CN107846256B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201710841749.2
申请日：2017-09-18
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本公开涉及用于射频(RF)发射器的相位和幅度信号感测电路。例如，提供了用于自测RF信号的功率和相位的射频(RF)发射器。本地振荡器(LO)被配置为生成LO信号。功率放大器被配置为从LO信号生成RF信号，其中LO和RF信号是共享波形和频率的周期信号。IQ解调器被配置为将LO信号和RF信号降频转换为同相(I)信号和正交(Q)信号，其中I和Q信号各自的直流(DC)电压定义RF信号的功率和相位。还提供了用于自测RF信号的功率和相位的方法，以及其中布置有RF发射器的雷达系统。
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公开(公告)号：CN110018446A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910024259.2
申请日：2019-01-10
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： G01S7/282
摘要： 本文描述了一种电路。根据一个实施例，该电路包括两个或更多个RF通道，其中每个通道均包括输入节点、移相器和输出节点。每个通道均被配置为在输入节点处接收RF振荡器信号，并且在输出节点处提供RF输出信号。该电路还包括：RF组合电路，与RF通道的输出耦合并且被配置为生成表示RF输出信号的组合的组合信号；以及监控电路，包括混频器并且被配置为接收组合信号并且使用RF参考信号下变频该组合信号。因此，根据RF输出信号的相位生成混频器输出信号。
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公开(公告)号：CN107846256A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710841749.2
申请日：2017-09-18
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H04B17/13 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F2200/336 , H03F2200/451 , H04B1/0007 , H04B1/04 , H04B2001/0416 , H04B17/102 , H04B17/104 , H04B17/12 , H04B17/19
摘要： 本公开涉及用于射频（RF）发射器的相位和幅度信号感测电路。例如，提供了用于自测RF信号的功率和相位的射频(RF)发射器。本地振荡器(LO)被配置为生成LO信号。功率放大器被配置为从LO信号生成RF信号，其中LO和RF信号是共享波形和频率的周期信号。IQ解调器被配置为将LO信号和RF信号降频转换为同相(I)信号和正交(Q)信号，其中I和Q信号各自的直流(DC)电压定义RF信号的功率和相位。还提供了用于自测RF信号的功率和相位的方法，以及其中布置有RF发射器的雷达系统。
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公开(公告)号：CN109905184B9
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201811505615.4
申请日：2018-12-10
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H04B17/00
摘要： 根据本公开的实施例描述了一种电路。该电路包括：用于接收高频振荡器信号的输入电路节点；测试信号发生器电路，包括至少一个调制器，并且被配置为通过调制高频振荡器信号以生成高频测试信号。该电路还包括至少一个接收信道，该接收信道包括接收器电路和耦合器，该耦合器被配置为将高频测试信号输送到接收器电路中。
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公开(公告)号：CN108233977A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711271034.4
申请日：2017-12-05
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H04B1/40
摘要： 本文中描述了RF收发器的RF前端电路。根据一个示例性实施例，前端电路包括：被配置为生成RF发射信号的本地振荡器(LO)；耦合到本地振荡器的RF输出端口，其中RF发射信号在RF输出端口处被输出；以及监测电路，接收输入信号并且被配置为确定输入信号的相位或输入信号的功率或两者。定向耦合器耦合到RF输出端口，并且被配置为将在RF输出端口处传入的反射信号作为输入信号引导到监测电路，并且控制器被配置为基于所确定的相位或功率或两者来检测可操作地连接到RF输出端口的信号路径中的缺陷。
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公开(公告)号：CN114628345A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111487320.0
申请日：2021-12-07
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本公开涉及一种半导体器件，包括：半导体芯片，包括布置在半导体芯片的主表面上的电接触件；外部连接元件，被配置为在半导体器件与印刷电路板之间提供第一电连接；以及电再分布层，在与半导体芯片的主表面平行的方向上延伸，并被配置为在半导体芯片的电接触件与外部连接元件之间提供第二电连接。电再分布层包括连接到地电位的地线以及被配置为承载具有波长的电信号的信号线。当在垂直于半导体芯片的主表面的方向上查看时：地线与信号线之间的间隙的宽度沿一路径连续小于波长的10％，且至少小于40微米，该路径的起点和半导体芯片的电接触件相对于从电接触件到外部连接元件的中心的方向具有相似的位置。
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公开(公告)号：CN108233977B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201711271034.4
申请日：2017-12-05
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本文中描述了RF收发器的RF前端电路。根据一个示例性实施例，前端电路包括：被配置为生成RF发射信号的本地振荡器(LO)；耦合到本地振荡器的RF输出端口，其中RF发射信号在RF输出端口处被输出；以及监测电路，接收输入信号并且被配置为确定输入信号的相位或输入信号的功率或两者。定向耦合器耦合到RF输出端口，并且被配置为将在RF输出端口处传入的反射信号作为输入信号引导到监测电路，并且控制器被配置为基于所确定的相位或功率或两者来检测可操作地连接到RF输出端口的信号路径中的缺陷。
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公开(公告)号：CN110018446B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201910024259.2
申请日：2019-01-10
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： G01S7/282
摘要： 本文描述了一种具有相位感测的集成多通道RF电路。根据一个实施例，该电路包括两个或更多个RF通道，其中每个通道均包括输入节点、移相器和输出节点。每个通道均被配置为在输入节点处接收RF振荡器信号，并且在输出节点处提供RF输出信号。该电路还包括：RF组合电路，与RF通道的输出耦合并且被配置为生成表示RF输出信号的组合的组合信号；以及监控电路，包括混频器并且被配置为接收组合信号并且使用RF参考信号下变频该组合信号。因此，根据RF输出信号的相位生成混频器输出信号。
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