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公开(公告)号：CN116736195A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310221021.5
申请日：2023-03-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及带机械保护的永磁体的磁场传感器。提出一种磁场传感器(0600)，带有：半导体芯片(0111)的，其中半导体芯片(0111)具有至少一个磁场传感器元件(0112)，其中半导体芯片(0111)嵌入半导体芯片封装部中；永磁体，其中永磁体嵌入磁体封装部中，其中在半导体芯片封装部与磁体封装部之间的边界层延伸直至磁场传感器的裸露表面。还公开了用于制造磁场传感器的方法。
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公开(公告)号：CN106910729A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201610848939.2
申请日：2016-09-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： H·阿兰格阿布德哈米德 , A·阿尔迈尔 , J·丹格尔迈尔 , K·H·华 , D·朗
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 提供了一种具有多个单元引线框架的引线框架条。每个单元引线框架均包括芯片焊盘、远离所述芯片焊盘延伸的多个引线以及分界出所述引线的外部部分和所述引线的内部部分的外围环。将增粘剂镀覆材料选择性地镀覆在第一单元引线框架的封装体轮廓区域内。所述芯片焊盘和所述引线的所述内部部分设置在所述封装体轮廓区域内，所述引线的所述外部部分设置在所述封装体轮廓区域之外。处理线结合部位，使得在选择性地镀覆所述增粘剂镀覆材料之后，所述线结合部位基本上没有所述增粘剂镀覆材料。所述线结合部位设置在所述封装体轮廓区域内并且与所述外围环间隔开。
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公开(公告)号：CN112289749B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202010722586.8
申请日：2020-07-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/10 , H01L23/495 , H01L21/56 , H01L23/00
Abstract: 一种封装体(100)包括：载体(114)；安装在所述载体(114)上的电子器件(102)；以及包封剂(106)，其包封所述电子器件(102)的至少一部分和所述载体(114)的仅一部分，使得所述载体(114)的另一暴露部分(115)相对于所述包封剂(106)暴露，其中，所述载体(114)的暴露部分(115)包括电连接结构(117)和腐蚀保护结构(110)，并且其中，所述电连接结构(117)和所述腐蚀保护结构(110)中的一个选择性地仅形成在所述电连接结构(117)和所述腐蚀保护结构(110)中的另一个的位于所述包封剂(106)外的子部分上。
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公开(公告)号：CN115480089A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210636924.5
申请日：2022-06-07
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 提出了一种带有电流轨(101)的电流传感器(100)，其具有磁场传感器(102)，磁场传感器(102)被设置为测量由流过电流轨(101)的电流感应的磁场，其中电流轨(101)与磁场传感器(102)之间布置有第一绝缘层(103)和第二绝缘层(104)，其中第一绝缘层(103)与第二绝缘层之间的界面(104)不与电流轨(101)接触和/或不与磁场传感器(102)接触。
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公开(公告)号：CN107403782B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201710358120.2
申请日：2017-05-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： M·鲍尔 , J·丹格尔迈尔 , R·恩格尔 , J·加特鲍尔 , F·希勒 , M·许廷格 , W·卡纳特 , H·克尔纳 , J·马勒 , B·吕勒 , F·J·桑托斯罗德里格斯 , A·韦莱伊
Abstract: 在各种实施例中，提供了芯片封装体。所述芯片封装体可包括：芯片；包括非贵金属并且电接触所述芯片的金属接触结构；封装材料；和保护层，所述保护层包括或基本上由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成，其中，所述保护层可包括贵金属，所述保护层的所述部分可包括多个不含所述贵金属的区域，所述不含所述贵金属的区域可提供所述封装材料与所述金属接触结构的非贵金属之间的接合面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107403782A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710358120.2
申请日：2017-05-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： M·鲍尔 , J·丹格尔迈尔 , R·恩格尔 , J·加特鲍尔 , F·希勒 , M·许廷格 , W·卡纳特 , H·克尔纳 , J·马勒 , B·吕勒 , F·J·桑托斯罗德里格斯 , A·韦莱伊
Abstract: 在各种实施例中，提供了芯片封装体。所述芯片封装体可包括：芯片；包括非贵金属并且电接触所述芯片的金属接触结构；封装材料；和保护层，所述保护层包括或基本上由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成，其中，所述保护层可包括贵金属，所述保护层的所述部分可包括多个不含所述贵金属的区域，所述不含所述贵金属的区域可提供所述封装材料与所述金属接触结构的非贵金属之间的接合面。
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公开(公告)号：CN104254045A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410283528.4
申请日：2014-06-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H04R31/00 , B81B2201/0257 , B81B2207/092 , B81B2207/096 , B81C1/0023 , B81C1/00301 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/8592 , H01L2924/10158 , H01L2924/16195 , H04R1/086 , H04R19/005 , H04R19/04 , Y10T29/49121 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种麦克风组件，其中预制模包括弯曲引线框和模主体，其中模主体被模制来用于至少部分地封装弯曲引线框，从而构建预制模的空腔，该空腔用于容纳麦克风，并且其中预制模包括能传送声波的通孔。
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公开(公告)号：CN113460947B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202110243145.4
申请日：2021-03-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 根据本公开的各实施例涉及传感器封装件和用于制造传感器封装件的方法。一种传感器封装件包括：MEMS传感器芯片；被布置在MEMS传感器芯片的第一主面上方的盖部，该盖部由模塑料制成；以及延伸穿过盖部的电过孔，该电过孔被设计为将传感器封装件与被布置在盖部上方的电路板电耦连。
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公开(公告)号：CN111443230B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201911226548.7
申请日：2019-12-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及具有可布线模制引线框的电流传感器设备。一种电流传感器设备可以包括可布线模制引线框，其包括模制衬底。电流传感器设备可以包括导体和安装至模制衬底的半导体芯片。半导体芯片可以包括磁场传感器，磁场传感器通过模制衬底与导体电流隔离，并且被配置为感测由流过导体的电流创建的磁场。电流传感器设备可以包括一条或多条引线，其被配置为输出由半导体芯片生成的信号。一条或多条引线可以通过模制衬底与导体电流隔离。
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公开(公告)号：CN111682007A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010305127.X
申请日：2017-05-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： M·鲍尔 , J·丹格尔迈尔 , R·恩格尔 , J·加特鲍尔 , F·希勒 , M·许廷格 , W·卡纳特 , H·克尔纳 , J·马勒 , B·吕勒 , F·J·桑托斯罗德里格斯 , A·韦莱伊
Abstract: 在各种实施例中，提供了芯片封装体。所述芯片封装体可包括：芯片；包括非贵金属并且电接触所述芯片的金属接触结构；封装材料；和保护层，所述保护层包括或基本上由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成，其中，所述保护层可包括贵金属，所述保护层的所述部分可包括多个不含所述贵金属的区域，所述不含所述贵金属的区域可提供所述封装材料与所述金属接触结构的非贵金属之间的接合面。
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