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公开(公告)号：CN105895628B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201510243838.8
申请日：2015-05-13
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L23/528
摘要： 一种半导体器件，包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体本体。半导体本体包括负载电流部件和传感器部件，负载电流部件包括负载电流晶体管区域，并且传感器部件包括传感器晶体管区域。传感器晶体管区域包括第一晶体管区域部分和第三晶体管区域部分，第一晶体管区域部分和第三晶体管区域部分与在第一晶体管区域部分和第三晶体管区域部分之间的第二晶体管区域部分不同点在于在第二晶体管区域部分中不存在传感器晶体管区域元件。该不存在的传感器晶体管区域元件将第二晶体管区域部分与第一晶体管区域部分和第三晶体管区域部分的并联连接电断开。
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公开(公告)号：CN110265390A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910305470.1
申请日：2015-05-13
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 一种半导体器件，包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体本体。半导体本体包括负载电流部件和传感器部件，负载电流部件包括负载电流晶体管区域，并且传感器部件包括传感器晶体管区域。传感器晶体管区域包括第一晶体管区域部分和第三晶体管区域部分，第一晶体管区域部分和第三晶体管区域部分与在第一晶体管区域部分和第三晶体管区域部分之间的第二晶体管区域部分不同点在于在第二晶体管区域部分中不存在传感器晶体管区域元件。该不存在的传感器晶体管区域元件将第二晶体管区域部分与第一晶体管区域部分和第三晶体管区域部分的并联连接电断开。
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公开(公告)号：CN116298456A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211642119.X
申请日：2022-12-20
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： C·德耶拉希-切克 , C·M·伯伊安塞亚努 , M·内尔希贝尔
摘要： 本申请的实施例涉及一种电流测量电流。一种电路被说明，其根据一个实施例具有带主电流路径的功率晶体管，主电流路径连接在第一电源节点和用于连接负载的输出引脚之间。在功率晶体管的主电流路径和输出引脚之间布置有电阻，其(尤其)由芯片金属化部形成。电路进一步包括与功率晶体管耦接的电流感测电路，电流感测电路具有与功率晶体管耦接的感测晶体管。电流测量电路被设计为提供表征流过功率晶体管的负载电流的测量电流。放大器电路被设计为产生表征电阻两端电压的放大器输出信号，并且控制电路被设计为借助电子开关第一模式下输出表征测量电流的信号、并在第二种模式下输出取决于放大器信号的信号。
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公开(公告)号：CN105895628A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510243838.8
申请日：2015-05-13
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L23/528
CPC分类号： H01L27/0266 , H01L23/62 , H01L27/088 , H01L29/0653 , H01L29/7827 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体器件，包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体本体。半导体本体包括负载电流部件和传感器部件，负载电流部件包括负载电流晶体管区域，并且传感器部件包括传感器晶体管区域。传感器晶体管区域包括第一晶体管区域部分和第三晶体管区域部分，第一晶体管区域部分和第三晶体管区域部分与在第一晶体管区域部分和第三晶体管区域部分之间的第二晶体管区域部分不同点在于在第二晶体管区域部分中不存在传感器晶体管区域元件。该不存在的传感器晶体管区域元件将第二晶体管区域部分与第一晶体管区域部分和第三晶体管区域部分的并联连接电断开。
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公开(公告)号：CN105261600A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510571361.6
申请日：2015-07-08
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/373 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/427 , H01L21/4871 , H01L21/76838 , H01L23/4275 , H01L23/53209 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及导电元件、包含导电元件的功率半导体器件及制备方法。一种导电元件(200)包括导电材料(210)以及多个相变化材料的夹杂物(220)。该相变化材料具有在150°和400°之间的相变温度Tc。该夹杂物(220)彼此分离并嵌入导电材料(210)中。
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公开(公告)号：CN110265390B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN201910305470.1
申请日：2015-05-13
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 一种半导体器件，包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体本体。半导体本体包括负载电流部件和传感器部件，负载电流部件包括负载电流晶体管区域，并且传感器部件包括传感器晶体管区域。传感器晶体管区域包括第一晶体管区域部分和第三晶体管区域部分，第一晶体管区域部分和第三晶体管区域部分与在第一晶体管区域部分和第三晶体管区域部分之间的第二晶体管区域部分不同点在于在第二晶体管区域部分中不存在传感器晶体管区域元件。该不存在的传感器晶体管区域元件将第二晶体管区域部分与第一晶体管区域部分和第三晶体管区域部分的并联连接电断开。
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公开(公告)号：CN113933670A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110718182.6
申请日：2021-06-28
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： G01R31/26 , G01R19/165 , G01R31/52 , G01R31/56
摘要： 本公开的各实施例涉及用于功率设备的预测健康管理。在一些示例中，一种设备包括功率结构和与功率结构电隔离的感测结构。该设备还包括处理电路装置，处理电路装置被配置为确定感测结构是否包括预测健康指示符，其中，预测健康指示符指示功率结构的健康状况。
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公开(公告)号：CN105261600B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201510571361.6
申请日：2015-07-08
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/373 , H01L21/60
摘要： 本发明涉及导电元件、包含导电元件的功率半导体器件及制备方法。一种导电元件(200)包括导电材料(210)以及多个相变化材料的夹杂物(220)。该相变化材料具有在150°和400°之间的相变温度Tc。该夹杂物(220)彼此分离并嵌入导电材料(210)中。
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公开(公告)号：CN104459504A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410464863.4
申请日：2014-09-12
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R31/021 , G01R1/07 , G01R15/205 , G01R15/207 , G01R31/2853
摘要： 一种用于测试电导体的测试设备包括探头，该探头被配置为测量由被测器件(DUT)的一个或多个电导体中的电流引起的磁场。输出发生器被配置为生成输出数据，其中输出数据依赖于测量的磁场。
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