公开(公告)号：CN118056778A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202311545922.6

申请日：2023-11-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·加德里 ,  D·图姆波德

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00

Abstract: 本公开涉及具有应力解耦结构的MEMS器件。提出了一种MEMS器件(100)，该MEMS器件(100)包括具有内膜区段(112)和外膜区段(114)的悬置膜结构(110)。外膜区段(114)围绕内膜区段(112)。膜结构(110)包括在外膜区段(114)中的可弹性形变的弹簧结构(116)，其中弹簧结构(116)被布置为将悬置膜结构(110)中的热致压缩应力转换为弹簧位移。

公开(公告)号：CN119706728A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411331860.3

申请日：2024-09-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·豪夫 ,  D·图姆波德 ,  T·米特雷德 ,  M·加德里 ,  S·汉普 ,  A·西格尔 ,  S·施瓦格尔

IPC: B81B7/00 ,  G01N27/18 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本公开涉及半导体设备、微机电系统气体传感器、方法。示例提供了一种半导体设备。半导体设备包括辐射元件和检测元件。辐射元件包括用于辐射电磁波的辐射层。检测元件包括用于检测电磁波的检测层。此外，半导体设备包括衬底和界面层。界面层被布置在辐射元件和/或检测元件与衬底之间。辐射元件和/或检测元件的热导率不同于界面层的热导率。

公开(公告)号：CN119893762A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411478126.X

申请日：2024-10-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·米特雷德 ,  M·加德里

IPC: H05B3/00 ,  B81B7/02 ,  G01N21/3504 ,  H05B3/02 ,  H05B1/02

Abstract: 本公开涉及热发射器、用于热发射器的操作方法和MEMS气体/流体传感器。一种用于操作具有导电半导体部分的热发射器的方法包括在操作周期期间向热发射器的导电半导体部分提供具有第一能级(焦耳加热)的激活信号以发射IR辐射，以及在刷新周期期间向热发射器的导电半导体部分提供具有第二能级的刷新信号，其中第二能级不同于第一能级。