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公开(公告)号：CN110015634B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN201811459226.2
申请日：2018-11-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 提供了一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，使得微机电系统(MEMS)元件在早期制造阶段受到保护。一种用于保护MEMS元件的方法包括：在衬底上提供具有敏感区的至少一个MEMS元件；以及在封装体组装工艺之前，在所述至少一个MEMS元件的所述敏感区之上沉积保护材料，使得所述至少一个MEMS元件的所述敏感区被密封而与外部环境隔开，其中所述保护材料允许所述至少一个MEMS元件的传感器功能。
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公开(公告)号：CN110015634A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811459226.2
申请日：2018-11-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 提供了一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，使得微机电系统(MEMS)元件在早期制造阶段受到保护。一种用于保护MEMS元件的方法包括：在衬底上提供具有敏感区的至少一个MEMS元件；以及在封装体组装工艺之前，在所述至少一个MEMS元件的所述敏感区之上沉积保护材料，使得所述至少一个MEMS元件的所述敏感区被密封而与外部环境隔开，其中所述保护材料允许所述至少一个MEMS元件的传感器功能。
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