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公开(公告)号：CN102530826B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110433760.8
申请日：2011-09-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： F-P·卡尔茨
IPC: B81C1/00 , B23K26/402
CPC classification number: B81C1/00801 , B23K2103/50 , B81C2201/0142 , B81C2201/0143
Abstract: 本发明涉及组件(100)，具有衬底(90)、涂层(10)，其中，涂层(10)至少部分覆盖衬底(90)以及其中涂层(10)被构造用于至少部分地借助激光烧蚀被剥蚀，其中，在衬底(90)与涂层(10)之间至少部分地构造激光探测层(20)，以产生结束激光烧蚀的探测信号(54)。
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公开(公告)号：CN110015634B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN201811459226.2
申请日：2018-11-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 提供了一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，使得微机电系统(MEMS)元件在早期制造阶段受到保护。一种用于保护MEMS元件的方法包括：在衬底上提供具有敏感区的至少一个MEMS元件；以及在封装体组装工艺之前，在所述至少一个MEMS元件的所述敏感区之上沉积保护材料，使得所述至少一个MEMS元件的所述敏感区被密封而与外部环境隔开，其中所述保护材料允许所述至少一个MEMS元件的传感器功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110015634A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811459226.2
申请日：2018-11-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 提供了一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，使得微机电系统(MEMS)元件在早期制造阶段受到保护。一种用于保护MEMS元件的方法包括：在衬底上提供具有敏感区的至少一个MEMS元件；以及在封装体组装工艺之前，在所述至少一个MEMS元件的所述敏感区之上沉积保护材料，使得所述至少一个MEMS元件的所述敏感区被密封而与外部环境隔开，其中所述保护材料允许所述至少一个MEMS元件的传感器功能。
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公开(公告)号：CN102530826A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110433760.8
申请日：2011-09-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： F-P·卡尔茨
CPC classification number: B81C1/00801 , B23K2103/50 , B81C2201/0142 , B81C2201/0143
Abstract: 本发明涉及组件(100)，具有衬底(90)、涂层(10)，其中，涂层(10)至少部分覆盖衬底(90)以及其中涂层(10)被构造用于至少部分地借助激光烧蚀被剥蚀，其中，在衬底(90)与涂层(10)之间至少部分地构造激光探测层(20)，以产生结束激光烧蚀的探测信号(54)。
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公开(公告)号：CN108695286B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201810315685.7
申请日：2018-04-10
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/50
Abstract: 一种封装体(100)包括至少部分导电的载体(102)、安装在所述载体(102)上的无源构件(106)以及至少部分导电的连接结构(108)，所述连接结构(108)将所述载体(102)与构件(106)电连接，并且包括被配置用于将载体(102)与所述构件(106)间隔开的间隔颗粒(170)。
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公开(公告)号：CN108695286A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810315685.7
申请日：2018-04-10
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/50
Abstract: 一种封装体(100)包括至少部分导电的载体(102)、安装在所述载体(102)上的无源构件(106)以及至少部分导电的连接结构(108)，所述连接结构(108)将所述载体(102)与构件(106)电连接，并且包括被配置用于将载体(102)与所述构件(106)间隔开的间隔颗粒(170)。
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公开(公告)号：CN107146776A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710111548.7
申请日：2017-02-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/24 , H01L23/495 , H01L21/50 , H01L21/58
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底、半导体芯片和位于所述衬底与所述半导体芯片之间的抗静电芯片附连材料。所述抗静电芯片附连材料包括非导电粘合剂材料与炭黑或石墨的混合物。在一种示例中，所述抗静电芯片附连材料具有101Ω·cm与1010Ω·cm之间的电阻率。
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