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公开(公告)号：CN105720352B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201510981646.7
申请日：2015-12-23
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本公开的实施例涉及具有RFIC和天线系统的RF系统。根据实施例，一种封装的射频(RF)电路，包括：布置在基板上的射频集成电路(RFIC)，该射频集成电路具有耦合到在RFIC的第一边缘处的接收端口的多个接收器电路和耦合到在RFIC的第二边缘处的第一发射端口的第一发射电路。封装的RF电路还包括布置在与RFIC的第一边缘相邻的封装基板上的接收天线系统和布置在与RFIC的第二边缘相邻的封装基板上并且电耦合到RFIC的第一发射端口的第一发射天线。接收天线系统包括多个接收天线元件，多个接收天线元件均电耦合到对应的接收端口。
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公开(公告)号：CN105720352A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510981646.7
申请日：2015-12-23
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： G01S7/032 , G01S7/006 , G01S7/038 , G01S7/354 , G01S13/003 , G01S13/343 , G01S13/584 , G01S13/87 , G01S13/931 , G01S2013/0245 , H01L23/66 , H01L2223/6677 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105 , H01Q9/0407 , H01Q19/30 , H01Q1/2225 , H01Q23/00
摘要： 本公开的实施例涉及具有RFIC和天线系统的RF系统。根据实施例，一种封装的射频(RF)电路，包括：布置在基板上的射频集成电路(RFIC)，该射频集成电路具有耦合到在RFIC的第一边缘处的接收端口的多个接收器电路和耦合到在RFIC的第二边缘处的第一发射端口的第一发射电路。封装的RF电路还包括布置在与RFIC的第一边缘相邻的封装基板上的接收天线系统和布置在与RFIC的第二边缘相邻的封装基板上并且电耦合到RFIC的第一发射端口的第一发射天线。接收天线系统包括多个接收天线元件，多个接收天线元件均电耦合到对应的接收端口。
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公开(公告)号：CN109962056B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201811574662.4
申请日：2018-12-21
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本公开涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括：电路板；具有主表面的半导体封装，其中半导体封装布置在电路板上并且主表面面向电路板；半导体封装的高频线元件，布置在该主表面上或半导体封装内，其中该高频线元件被配置为传输频率大于10GHz的信号；和底部填充材料，其布置在电路板和半导体封装之间，其中高频线元件和底部填充材料在该主表面上的正交投影中不重叠。
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公开(公告)号：CN111799247A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010266528.9
申请日：2020-04-07
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本公开涉及一种半导体装置。该半导体装置包括：具有高频电路和高频端子的半导体芯片；外部高频端子；以及布置在半导体芯片的高频端子与外部高频端子之间的非电连接，其中该非电连接被设计为传输高频信号。
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公开(公告)号：CN109962056A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811574662.4
申请日：2018-12-21
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本公开涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括：电路板；具有主表面的半导体封装，其中半导体封装布置在电路板上并且主表面面向电路板；半导体封装的高频线元件，布置在该主表面上或半导体封装内，其中该高频线元件被配置为传输频率大于10GHz的信号；和底部填充材料，其布置在电路板和半导体封装之间，其中高频线元件和底部填充材料在该主表面上的正交投影中不重叠。
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