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公开(公告)号：CN105680803B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201510886328.2
申请日：2015-12-04
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H03F1/26
摘要： 根据实施例，一种电路包括：被置于第一集成电路上的低噪声放大器晶体管、被置于第二集成电路上的单刀多掷(SPMT)开关，以及被耦合在低噪声放大器晶体管的控制节点与低噪声放大器晶体管的输出节点之间的旁路开关。该SPMT开关将多个模块输入端子耦合到低噪声放大器晶体管的控制节点，并且旁路开关包括被耦合在低噪声放大器晶体管的控制节点与中间节点之间的第一开关、被耦合在中间节点与低噪声放大器晶体管的输出节点之间的第二开关，以及被耦合在中间节点与第一参考节点之间的第三开关。第一集成电路和第二集成电路被置于一衬底上。
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公开(公告)号：CN105680803A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201510886328.2
申请日：2015-12-04
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H03F1/26
CPC分类号： H03F3/19 , H03F1/0261 , H03F3/191 , H03F2200/111 , H03F2200/249 , H03F2200/294 , H03F2200/39 , H03F2200/451 , H04B1/10
摘要： 根据实施例，一种电路包括：被置于第一集成电路上的低噪声放大器晶体管、被置于第二集成电路上的单刀多掷(SPMT)开关，以及被耦合在低噪声放大器晶体管的控制节点与低噪声放大器晶体管的输出节点之间的旁路开关。该SPMT开关将多个模块输入端子耦合到低噪声放大器晶体管的控制节点，并且旁路开关包括被耦合在低噪声放大器晶体管的控制节点与中间节点之间的第一开关、被耦合在中间节点与低噪声放大器晶体管的输出节点之间的第二开关，以及被耦合在中间节点与第一参考节点之间的第三开关。第一集成电路和第二集成电路被置于一衬底上。
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公开(公告)号：CN105375885B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201510509337.X
申请日：2015-08-18
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 提供了用于低噪声放大器的系统和方法。根据一个实施例，电路包括耦合在输入端口和输出端口之间的第一信号路径，以及耦合在输入端口和输出端口之间与第一信号路径并联的第二信号路径。第一信号路径包括具有耦合到输入端口的输入节点的低噪声放大器(LNA)，以及第二信号路径包括耦合在输入端口和输出端口之间的开关。
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公开(公告)号：CN105375885A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510509337.X
申请日：2015-08-18
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H03F1/565 , H03F1/0205 , H03F3/19 , H03F2200/213 , H03F2200/222 , H03F2200/252 , H03F2200/294 , H03F2200/421 , H03F2200/451
摘要： 提供了用于低噪声放大器的系统和方法。根据一个实施例，电路包括耦合在输入端口和输出端口之间的第一信号路径，以及耦合在输入端口和输出端口之间与第一信号路径并联的第二信号路径。第一信号路径包括具有耦合到输入端口的输入节点的低噪声放大器(LNA)，以及第二信号路径包括耦合在输入端口和输出端口之间的开关。
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