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公开(公告)号：CN106612108B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201610765771.9
申请日：2016-08-30
申请人： 联发科技股份有限公司
发明人： 林建诚
IPC分类号： H03H7/38
CPC分类号： H03H7/38 , H03F1/0277 , H03F1/565 , H03F3/19 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/06 , H03F2200/222 , H03F2200/294 , H03F2200/429 , H03F2200/507 , H03F2203/7209 , H03F2203/7227 , H03H2210/025 , H04B1/0458
摘要： 本发明提供一种匹配网络电路和相关的装置。该匹配网络电路包括耦接于匹配网络电路的公共路径端口和第一路径端口之间的匹配单元以及耦接于所述匹配网络电路的所述公共路径端口和第二路径端口之间的阻抗单元。公共路径端口用于将所述匹配网络电路连接至公共路径，以及第一路径端口用于将所述匹配网络电路连接至第一路径上的第一设备，第二路径端口用于将所述匹配网络电路连接至第二路径上的第二设备。匹配单元被设置为执行所述公共路径端口和所述第一路径端口之间的阻抗匹配，以及阻抗单元被设置为执行所述公共路径端口和所述第二路径端口之间的阻抗匹配。本发明可在每种不同的情形下保持电子装置的高稳定性。
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公开(公告)号：CN109639244A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811167115.4
申请日：2018-10-08
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H03G3/3036 , H03B5/1212 , H03F1/0205 , H03F1/0261 , H03F1/223 , H03F1/565 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/45475 , H03F2200/171 , H03F2200/18 , H03F2200/21 , H03F2200/216 , H03F2200/222 , H03F2200/27 , H03F2200/294 , H03F2200/301 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2200/453 , H03F2200/456 , H03F2200/471 , H03F2200/489 , H03F2200/492 , H03F2200/498 , H03F2200/534 , H03F2200/541 , H03F2200/555 , H03F2200/61 , H03F1/26 , H03F1/0211 , H03F1/3205 , H03F1/3223
摘要： 本文公开了用于偏置RF电路的系统和方法。根据一个实施例，一种电路包括复制输入晶体管、第一复制共源共栅晶体管、有源电流源和有源共源共栅偏置电路。有源电流源被配置为通过调节复制输入晶体管的控制节点的电压来将流过第一复制共源共栅晶体管和复制输入晶体管的电流设置为预定值。有源共源共栅偏置电路包括耦合到第一复制共源共栅晶体管的控制节点的第一输出。有源共源共栅偏置电路被配置为通过调节第一复制共源共栅晶体管的控制节点的电压来将复制输入晶体管的漏极电压设置为预定电压。
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公开(公告)号：CN109525211A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811098636.9
申请日：2018-09-19
申请人： 恩智浦有限公司
CPC分类号： H03F1/56 , H03F1/0205 , H03F1/26 , H03F3/189 , H03F3/193 , H03F3/45475 , H03F3/68 , H03F2200/129 , H03F2200/144 , H03F2200/222 , H03F2200/294 , H03F2200/324 , H03F2200/372 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2200/465 , H03F2203/45116 , H04B1/16 , H03F3/45179 , H03F2203/45201 , H03F2203/45202
摘要： 一种放大器，其包括：供电电压端和参考电压端以及输入端；放大器布置，其包括耦合在所述供电电压端与所述参考电压端之间的第一和第二分支，以及一个或多个晶体管，所述一个或多个晶体管配置成基于所述输入端处的输入信号提供流经所述分支中的每一个的电流；第一输出端，其耦合到所述第一分支以基于流经其的电流提供第一输出信号；以及第二输出端，其耦合到所述第二分支以基于流经其的电流提供第二输出信号，其中阻抗修正电路耦合到所述第二输出端以提供响应于所述输入信号的所述第二输出信号的电压变化，其大于响应于所述输入信号的所述第一输出信号的电压变化。
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公开(公告)号：CN108462473A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810009286.8
申请日：2018-01-04
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H03F1/0211 , H03F1/56 , H03F3/19 , H03F3/21 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/451
摘要： 本发明提供一种功率放大模块，能实现功率放大模块的动作电压的低电压化。功率放大模块(120)具备功率放大电路(200)和控制IC(300)。功率放大电路(200)具备将RF信号进行功率放大并输出放大信号的双极性晶体管(Tr1)。控制IC(300)具备作为对双极性晶体管(Tr1)供给偏置信号的偏置电路发挥功能的场效应晶体管(Tr5)。场效应晶体管(Tr5)能够以低于双极性晶体管的阈值电压进行动作，因此能够实现功率放大模块(120)的动作电压的低电压化。
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公开(公告)号：CN108233881A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711397687.7
申请日：2017-12-21
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H03F1/565 , H01L23/66 , H01L2223/6611 , H01L2223/6655 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F2200/111 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03H7/1758 , H03H7/38
摘要： 本公开涉及一种紧凑型F类芯片和接线匹配拓扑结构。放大器电路包括RF输入端口、RF输出端口、参考电势端口、以及具有输入端子和第一输出端子的RF放大器。输出阻抗匹配网络将第一输出端子电耦合至RF输出端口。第一电感器串联电连接在第一输出端子和RF输出端口之间，第一LC谐振器直接电连接在第一输出端子和参考电势端口之间，以及第二LC谐振器直接电连接在第一输出端子和参考电势端口之间。第一LC谐振器被配置用于在RF信号的中心频率处补偿RF放大器的输出电容。第二LC谐振器被配置用于补偿RF信号的二阶谐波。
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公开(公告)号：CN108141184A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680041165.0
申请日：2016-04-28
申请人： QORVO美国公司
发明人： 史蒂文·詹姆斯·弗兰克 , 王鑫 , 阿里礼萨·欧斯寇伊
CPC分类号： H03F1/3258 , H03F1/0205 , H03F1/0266 , H03F1/223 , H03F1/3205 , H03F1/3223 , H03F1/56 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F2200/108 , H03F2200/18 , H03F2200/211 , H03F2200/222 , H03F2200/228 , H03F2200/234 , H03F2200/246 , H03F2200/301 , H03F2200/318 , H03F2200/321 , H03F2200/408 , H03F2200/42 , H03F2200/435 , H03F2200/451 , H03F2200/465 , H03F2200/61 , H03F2200/75 , H03F2200/99 , H03F2201/3212 , H03F2201/3218 , H03G3/3042 , H03G2201/106 , H03G2201/40
摘要： 本发明涉及一种功率放大器(PA)系统，所述功率放大器(PA)系统被设置在半导体装置中并且具有前馈增益控制。所述PA系统包括发送路径和控制电路。所述发送路径被配置来放大输入射频(RF)信号并且包括第一谐振电路和PA级。所述控制电路被配置来检测与所述输入RF信号相关联的功率电平并且基于所述功率电平的第一函数来控制被提供给所述PA级的第一偏置信号并且基于所述功率电平的第二函数来控制所述第一谐振电路的质量因数(Q)。
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公开(公告)号：CN104681552B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201410693875.4
申请日：2014-11-26
申请人： 安普林荷兰有限公司
发明人： 诸毅 , 约瑟夫斯·H·B·范德赞登
CPC分类号： H05K7/14 , H01L23/66 , H01L2223/6644 , H01L2223/665 , H01L2924/0002 , H03F1/56 , H03F3/189 , H03F3/245 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H01L2924/00
摘要： 描述了一种封装射频功率晶体管器件，包括：(a)组件载体(254、256)；(b)管芯(110、210a)；(c)接地连接(232a)；(d)输出端引线(136、236a)，该输出端引线电连接到漏极(112d)；(e)谐振电路(122)，该谐振电路电插入到输出端引线与接地连接(232a)之间；以及(f)视频引线(134、234)，该视频引线电连接到谐振电路(122)。视频引线连接到解耦电容器(144、244)的第一接触点。接地连接连接到解耦电容器的第二接触点。相对于由组件载体(254、256)的底面横跨的基准平面，输出端引线和视频引线(234)被至少近似地布置在相同的高度水平。还描述了一种RF功率放大器，包括所述封装射频功率晶体管器件。
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公开(公告)号：CN104935268B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201510121357.X
申请日：2015-03-19
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H03F1/0222 , H03F1/0211 , H03F1/0261 , H03F1/30 , H03F1/56 , H03F3/19 , H03F3/193 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F2200/108 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/555
摘要： 本发明提供了能以低电压驱动、能改善温度特性的功率放大模块。功率放大模块包括：第一双极晶体管，该第一双极晶体管将输入至基极的无线频率信号放大并输出；电流源，该电流源输出控制电流；第二双极晶体管，该第二双极晶体管与电流源的输出端连接，将控制电流中的第一电流输入集电极；控制电压生成电路，该控制电压生成电路与输出端连接，生成与控制电流中的第二电流相对应的控制电压；第一FET，该第一FET中，电源电压被提供至漏极，源极与第一双极晶体管的基极连接，控制电压被提供至栅极；以及第二FET，该第二FET中，电源电压被提供至漏极，源极与第二双极晶体管的基极连接，控制电压被提供至栅极。
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公开(公告)号：CN107078693A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580055259.9
申请日：2015-09-23
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H04B15/06 , H03D7/1458 , H03D7/1483 , H03F2200/165 , H03F2200/222 , H03F2200/225 , H03F2200/451 , H03F2200/534 , H03F2200/541 , H04B2215/064
摘要： 提供了一种用于减小电子电路中的谐波响应的装置。该装置包括RF输入，其被配置为提供在射频处操作的第一信号。该装置包括本地振荡器，其被配置为产生在本地振荡器(LO)频率处操作的第二信号。该装置包括开关混频器，其被配置为将第一和第二信号混频。该装置包括陷波滤波器，其包括并联连接的电感器和电容器。陷波滤波器直接串联耦合到开关混频器的输入。陷波滤波器被调谐以使得它的谐振频率是LO频率信号的谐波。在一个方面中，该装置还包括变压器，其被配置为提供第一信号。在一个方面中，该装置还包括第二陷波滤波器，其包括并联连接的第二电感器和第二电容器。
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公开(公告)号：CN106992795A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201610810277.X
申请日：2016-09-08
申请人： 联发科技股份有限公司
CPC分类号： H04B1/1638 , H03D7/1491 , H03F3/19 , H03F2200/222 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03G3/3036 , H03G3/3052 , H04B1/40
摘要： 本申请提供了一种射频接收器。该接收器可以使用在低功率(或超低功率)接收器架构，以产生基带信号或中频信号。此外，该接收器包括增益控制的功能，以提供不同的增益设置，以及提供更好的/改进的阻抗匹配控制。
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