-
公开(公告)号:CN1304439A
公开(公告)日:2001-07-18
申请号:CN99801686.1
申请日:1999-02-18
申请人: 莱姆研究公司
发明人: 李煦 , 赵岳星 , 戴安娜·J·海默斯 , 约翰·M·德·拉瑞奥斯
CPC分类号: H01L21/02074 , C09K13/00 , C11D7/08 , C11D7/265 , C11D11/0047 , C23G1/103
摘要: 本发明叙述了用于清洁处理经过化学机械抛光后的半导体衬底的溶液,方法和设备。本发明包括了一种清洁溶液,为去离子水、有机化合物以及铵化合物的混合,产生酸性pH条件,用于清洁处理经过抛光铜层的半导体衬底表面。所述的清洁处理经过铜化学机械抛光后的半导体衬底的方法,缓解了有关刷子载物及表面和表面下污染的问题。
-
公开(公告)号:CN1250675C
公开(公告)日:2006-04-12
申请号:CN99801686.1
申请日:1999-02-18
申请人: 莱姆研究公司
发明人: 李煦 , 赵岳星 , 戴安娜·J·海默斯 , 约翰·M·德·拉瑞奥斯
CPC分类号: H01L21/02074 , C09K13/00 , C11D7/08 , C11D7/265 , C11D11/0047 , C23G1/103
摘要: 本发明叙述了用于清洁处理经过化学机械抛光后的半导体衬底的溶液,方法和设备。本发明包括了一种清洁溶液,为去离子水、有机化合物以及铵化合物的混合,产生酸性pH条件,用于清洁处理经过抛光铜层的半导体衬底表面。所述的清洁处理经过铜化学机械抛光后的半导体衬底的方法,缓解了有关刷子载物及表面和表面下污染的问题。
-