公开(公告)号：CN104737278B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201380054154.2

申请日：2013-10-11

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 中子伟夫 ,  神代恭 ,  纳堂高明 ,  稻田麻希 ,  黑田杏子

IPC: H01L21/311 ,  H01L31/0224

CPC classification number: C09K13/00 ,  C09K13/10 ,  H01L21/31111 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种刻蚀材料，其含有选自结构中含有硼和与该硼结合的卤素的路易斯酸、所述路易斯酸的盐以及产生所述路易斯酸的化合物之中的至少一种硼化合物。

公开(公告)号：CN104995336B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201480009111.7

申请日：2014-10-16

Applicant: 奥野制药工业株式会社

Inventor： 永峰伸吾 ,  北晃治 ,  大塚邦显

IPC: C23C18/24 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  C23C18/30 ,  C25B1/30

CPC classification number: C09K13/00 ,  C08J7/14 ,  C09K13/04 ,  C23C18/1641 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/2086 ,  C23C18/24 ,  C23C18/285 ,  C23C18/30 ,  C23C18/32 ,  C23C18/38 ,  C23F1/14 ,  C23F3/02 ,  C25B1/28 ,  C25D5/14 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明提供了一种树脂材料蚀刻处理用组合物，所述组合物包含具有0.2mmol/L以上的高锰酸根离子浓度和10mol/L以上的总酸浓度的水溶液，并且所述水溶液满足以下条件(1)至(3)中的至少一个：(1)含有量为1.5mol/L以上的有机磺酸，(2)将二价锰离子摩尔浓度设置为高锰酸根离子摩尔浓度的15倍以上，(3)将无水镁盐的添加量设置为0.1至1mol/L。本发明的蚀刻处理用组合物是不含有六价铬并具有出色的蚀刻性能和良好的浴稳定性的组合物。

公开(公告)号：CN103571495B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201310319674.3

申请日：2013-07-26

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  朴弘植 ,  李旺宇 ,  文英慜 ,  尹升好 ,  崔永株 ,  金相佑 ,  李骐范 ,  李大雨 ,  曹三永

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/465 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/465 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C23F1/30 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸铵((NH4)2S2O8)、基于唑的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物和剩余的水。

公开(公告)号：CN104369543B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201410393734.0

申请日：2014-08-12

Applicant: NLT科技股份有限公司

Inventor： 森茂 ,  金子节夫 ,  浅田秀树

IPC: B41J2/16 ,  B41J2/01

CPC classification number: B41J2/1601 ,  B41J2/0455 ,  B41J2/0458 ,  B41J2/14016 ,  B41J2/14129 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1634 ,  B41J2002/14387 ,  B81C1/00357 ,  B81C1/00817 ,  B81C2201/0194 ,  C09K13/00

Abstract: 本发明提供喷墨打印头及其制造方法和装配有喷墨打印头的绘图设备。制造方法包括：在基板上形成分离辅助层；在分离辅助层上形成加热电阻器、薄膜晶体管和用于喷出液体的喷嘴；将分离辅助层从基板分离；在分离辅助层的与喷嘴相反的表面上形成第一热传导层；和形成墨供给口以将墨从喷墨打印头的第一热传导层侧供给到喷嘴。

公开(公告)号：CN105121705B

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201480022520.0

申请日：2014-04-09

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 玉井聪 ,  夕部邦夫

IPC: C23F1/14 ,  C09K13/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/47635 ,  C09K13/00 ,  C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H05K3/067 ,  H05K2201/0338

Abstract: 本发明提供包含铜和钼的多层膜的蚀刻中使用的液体组合物和包含铜和钼的多层膜的蚀刻的蚀刻方法、以及基板。本发明中使用如下液体组合物，其包含：(A)马来酸根离子供给源；(B)铜离子供给源；以及(C)胺化合物，其为选自由1‑氨基‑2‑丙醇、2‑(甲基氨基)乙醇、2‑(乙基氨基)乙醇、2‑(丁基氨基)乙醇、2‑(二甲基氨基)乙醇、2‑(二乙基氨基)乙醇、2‑甲氧基乙基胺、3‑甲氧基丙基胺、3‑氨基‑1‑丙醇、2‑氨基‑2‑甲基‑1‑丙醇、1‑二甲基氨基‑2‑丙醇、2‑(2‑氨基乙氧基)乙醇、吗啉和4‑(2‑羟基乙基)吗啉组成的组中的至少一种，且所述液体组合物的pH值为4～9。

公开(公告)号：CN106590159A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611162563.6

申请日：2016-12-15

Applicant: 陕西一品达石化有限公司

Inventor： 李长英

IPC: C09D11/102 ,  C08G18/67 ,  C08G18/66 ,  C08G18/48 ,  C08G18/34 ,  C08G18/32 ,  C09K13/00

CPC classification number: C09D11/102 ,  C08G18/0823 ,  C08G18/3206 ,  C08G18/348 ,  C08G18/4833 ,  C08G18/6692 ,  C08G18/672 ,  C09K13/00

Abstract: 本发明公开一种水性聚氨酯基氧化铟锡蚀刻油墨的制备方法，包含以下步骤：（1）以聚乙二醇‑1000、丙酮、二月桂酸二丁基锡为原料搅拌反应；（2）将佛尔酮二异氰酸酯转移至恒压滴液漏斗中；称取2,2‑二羟甲基丙酸与N‑甲基吡咯烷酮混合，形成2,2‑二羟甲基丙酸溶液；（3）向步骤（1）的溶液中滴加异佛尔酮二异氰酸酯后，再滴加2,2‑二羟甲基丙酸溶液，然后加入1,2‑丙二醇，滴加甲基丙烯酸羟乙酯，降温，加入三乙胺、蒸馏水，搅拌，得到水性聚氨酯基氧化铟锡蚀刻油墨。本发明提供的方法，操作简单，制备的油墨油墨水溶性以及剥落脱离性能好，易清洗除掉，保水性能良好。

公开(公告)号：CN103681959B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201310502556.6

申请日：2013-08-28

Applicant: 太阳化学公司

Inventor： M·P·托本 ,  R·K·巴尔 ,  C·奥康纳

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236

CPC classification number: C09K13/06 ,  A01N35/08 ,  A01N43/28 ,  C07D275/04 ,  C09K13/00 ,  C09K13/02 ,  C23C18/38 ,  C23C18/40 ,  G02B1/111 ,  H01L31/02363 ,  Y02E10/50

Abstract: 用碱性溶液织构化单晶半导体衬底以在其表面形成锥形结构从而减少入射光反射且提高晶圆的光吸收。碱性浴包含与烷氧基化二醇组合使用的乙内酰脲化合物及其衍生物，以抑制锥形结构之间平坦区域的形成，从而提高光的吸收。

公开(公告)号：CN105103274B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580000336.0

申请日：2015-02-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 森口尚树

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32697 ,  C03C15/00 ,  C09K13/00 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/04 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H02N13/00 ,  H05F3/00

Abstract: 一种等离子体蚀刻方法，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体(PL1)中将基板(S)吸附于单极式静电卡盘(15)上之后，停止生成第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体(PL2)中对基板(S)进行了蚀刻之后，停止生成第2等离子体。然后，在第1工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体(PL1)，在第2工序中，在从单极式静电卡盘第2等离子体(PL2)。(15)向基板(S)施加了负电压的状态下停止生成

公开(公告)号：CN103718277B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201280037156.6

申请日：2012-06-13

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 菊池亚纪应 ,  梅崎智典 ,  日比野泰雄 ,  毛利勇 ,  冈本觉

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: [课题]提供对地球环境的影响小且具有所需要的性能的干蚀刻剂。[解决手段]提供一种干蚀刻剂，其分别以特定的体积%包含(A)式CaFbHc(式中，a、b和c分别表示正整数，并且满足2≤a≤5、c＜b≥1、2a+2＞b+c、b≤a+c的关系。其中，a=3、b=4、c=2的情况除外。)所示的含氟不饱和烃、(B)选自由O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2以及YFn(其中，Y表示Cl、Br或I。n表示1～5的整数。)组成的组中的至少一种气体、和(C)选自由N2、He、Ar、Ne、Xe以及Kr组成的组中的至少一种气体。

公开(公告)号：CN105719949A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510957911.8

申请日：2015-12-18

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 伊凡·L·贝瑞三世 ,  伊夫兰·安格洛夫 ,  琳达·马克斯 ,  费萨尔·雅各布 ,  皮利翁·帕克 ,  海伦·H·朱 ,  贝尤·阿特马加·西德乔伊斯沃罗 ,  李昭

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/31116 ,  C09K13/00 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/0217 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/0234

Abstract: 本发明涉及选择性氮化物蚀刻。提供了高选择性蚀刻氮化硅的方法。使氮化硅层暴露于氟化气体和一氧化氮(NO)，一氧化氮(NO)可以在等离子体中通过使一氧化二氮(N2O)与氧气(O2)反应形成。方法还包括在关闭所述等离子体之前使所述衬底脱氟以增大氮化硅的蚀刻选择率。