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公开(公告)号：CN117313552A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311595862.9
申请日：2023-11-28
申请人： 菏泽学院
IPC分类号： G06F30/27 , G06F30/23 , G06N3/0464 , G06N3/084 , G06N3/0985 , G06F119/02 , G06F111/10
摘要： 本发明涉及微电子学技术领域，具体为半导体器件建模方法、系统及电子设备，包括以下步骤：基于已有的半导体器件性能数据，采用深度神经网络算法进行模型的初步选择和框架建立，并进行模型的初始化，生成初步神经网络模型。本发明中，通过深度神经网络，构建半导体器件性能的预测框架，结合梯度下降优化算法，减小模型误差，确保性能的优化，在线学习策略允许模型根据新数据实时调整，以适应不断变化的环境和数据，耦合算法考虑了电子传输、热传导和光学效应，为器件提供了多场耦合的全面模拟，通过有限元分析扩展和材料参数插值算法，模型能考虑非均匀材料的属性和分布，提高准确性，GPU加速技术确保了高效仿真，经过严格验证和优化。
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公开(公告)号：CN114256123A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111568467.2
申请日：2021-12-21
申请人： 菏泽学院
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明提出一种半导体承载系统及半导体承载装置，包括工作台，工作台的两侧设有吸附固定组件，两个吸附固定组件之间设有安装于吸附固定组件壳体上的正压支撑组件以及柔性支撑组件；吸附固定组件包括安装于工作台外表面的支撑板，安装于支撑板上表面的负压吸气头；正压支撑组件包括安装于工作台下表面的第一正压空气室，以及一端延伸至第一正压空气室内部、另一端贯穿工作台的多个正压喷气头；柔性支撑组件包括安装于第一正压空气室下表面的分隔室，安装于分隔室内部的多个套筒，以及插接于套筒壳体上的柔性支撑头，套筒的内部设有锁紧机构。本发明能够从多个方向给予半导体支撑和限位，从而为半导体提供稳定的支撑。
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公开(公告)号：CN118919445A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410961598.4
申请日：2024-07-17
申请人： 菏泽学院
IPC分类号： H01L21/67 , G05B19/4097 , G01B11/24
摘要： 本发明适用于硅纳米器件加工技术领域，尤其涉及一种硅纳米器件加工智能控制系统及方法，所述方法包括：获取待加工图纸，将待加工原材料固定在夹具上；对待加工原材料进行图像采集，对待加工原材料进行定位，生成全局加工路径；对待加工图纸进行识别，确定局部加工路径，生成智能控制路径；根据智能控制路径对硅纳米器件进行图像采集，得到实时监测图像，对实时监测图像进行成品比对，判定加工是否存在误差，生成监测结果。本发明通过对图纸和原料进行图像识别，从而自动进行加工路径规划，在加工过程中，自动识别加工好的成品与图纸之间的误差，当误差过大时，自动停止，避免了由于出现误差导致的大批量残次品出现的情况。
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公开(公告)号：CN114199526A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111535783.X
申请日：2021-12-15
申请人： 菏泽学院
IPC分类号： G01M11/02
摘要： 本发明提出一种桌面型高能量密度极紫外辐照损伤测试装置，包括测试箱，测试箱的外部连接有充气组件和抽气组件，测试箱的顶端设有密封组件，测试箱的内部设有导气组件；测试箱包括与抽气组件的吸气端相连接的光波腔室，以及安装于光波腔室外表面的光源腔室以及物镜腔室；密封组件包括安装于光波腔室上表面的第一气缸，安装于物镜腔室上表面的第二气缸，以及安装于第一气缸的活塞杆延伸至光波腔室内部的一端和第二气缸的活塞杆延伸至物镜腔室内部的一端的密封板；导气组件包括设于光波腔室内部第一导气扇，以及设于物镜腔室内部的第二导气扇。本发明能够快速引导氦气和氮气充入测试箱，以便于调整测试箱内部气压。
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公开(公告)号：CN114107919A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111472807.1
申请日：2021-12-03
申请人： 菏泽学院
摘要： 本发明提出一种磁控溅射装置及磁控溅射方法，包括磁控溅射箱，磁控溅射箱内通过铜隔板分为磁力腔以及镀膜腔，镀膜腔内设有基片固定板，铜隔板侧壁设有靶材调距离装置以及均匀气体装置，磁力腔内设有磁力调控装置；靶材调距离装置包括定位板，对称设于定位板两侧的翻转板，以及设于翻转板远离定位板一侧的平行固定部件，磁控溅射箱顶部设有翻转驱动部件；均匀气体装置包括外罩板，设于外罩板端部的延展部件，以及设于外罩板顶部的均匀进气部件；磁力调控装置包括移动板，设于移动板一侧的间距调节部件，以及设于间距调节部件执行端的两个磁铁。本发明是一种便于对磁控溅射的镀膜效率进行提升的溅射装置及溅射方法。
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公开(公告)号：CN109279622A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811214707.7
申请日：2018-10-18
申请人： 菏泽学院
摘要： 本发明提供了一种结构可控的周期性介孔有机氧化硅材料及其制备方法，属于介孔材料技术领域，该方法首先利用模板法合成PMOs材料，再利用此时材料孔道仍然被模板剂占据且骨架结构灵活的特点，通过添加不同的钠盐或改变钠盐加入量并经水热再晶化使PMOs材料具有可控的介相结构及形貌，呈现出从三维立方结构到二维六方结构到蠕虫洞结构的变化。
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公开(公告)号：CN118170996B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410560932.5
申请日：2024-05-08
申请人： 菏泽学院
IPC分类号： G06F16/9536 , G06Q50/00 , G06F18/20 , G06F18/213
摘要： 本发明涉及活动分析技术领域，用于解决现有的在对用户进行活动分析的方式中，难以结合用户的基础偏好、历史活动行为和意向活动行为进行分析，导致推荐给用户推荐的活动精准度较低，故难以给用户推荐最佳的活动，给用户带来极差的体验感的问题，具体为一种基于大数据的活动分析系统及方法，包括数据采集单元、云数据库、人画像特征单元、历史活动画像单元、活动形态画像单元、综合匹配推荐单元和显示终端。本发明，通过对用户的基础偏好、历史活动行为以及意向活动行为进行分析，并采用数据模型计算的方式挖掘出用户的兴趣和偏好，从而为用户推荐适合的活动。
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公开(公告)号：CN117313552B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311595862.9
申请日：2023-11-28
申请人： 菏泽学院
IPC分类号： G06F30/27 , G06F30/23 , G06N3/0464 , G06N3/084 , G06N3/0985 , G06F119/02 , G06F111/10
摘要： 本发明涉及微电子学技术领域，具体为半导体器件建模方法、系统及电子设备，包括以下步骤：基于已有的半导体器件性能数据，采用深度神经网络算法进行模型的初步选择和框架建立，并进行模型的初始化，生成初步神经网络模型。本发明中，通过深度神经网络，构建半导体器件性能的预测框架，结合梯度下降优化算法，减小模型误差，确保性能的优化，在线学习策略允许模型根据新数据实时调整，以适应不断变化的环境和数据，耦合算法考虑了电子传输、热传导和光学效应，为器件提供了多场耦合的全面模拟，通过有限元分析扩展和材料参数插值算法，模型能考虑非均匀材料的属性和分布，提高准确性，GPU加速技术确保了高效仿真，经过严格验证和优化。
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公开(公告)号：CN109516470B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201811477466.5
申请日：2018-12-05
申请人： 菏泽学院
摘要： 本发明属于介孔材料技术领域，具体涉及一种周期性介孔有机氧化硅材料的绿色制备方法，在Na2S2O8溶液中利用超声波独特的微流射效应和空化冲击波效应消除局部的浓度不均，加速羟基自由基的产生，并促进桥联有机倍半硅氧烷的水解，之后与有机模板剂P123和水溶性无机盐在超声下混合，促进有机模板剂和有机硅源之间的自组装过程；该方法是在无酸、无碱、无重金属离子的中性条件下进行的，不会产生酸碱性以及含有重金属离子的废液，反应过程绿色无污染；该反应具有效率高，反应条件温和，操作方便等优点，利于在大规模生产中的应用。
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公开(公告)号：CN109516470A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811477466.5
申请日：2018-12-05
申请人： 菏泽学院
摘要： 本发明属于介孔材料技术领域，具体涉及一种周期性介孔有机氧化硅材料的绿色制备方法，在Na2S2O8溶液中利用超声波独特的微流射效应和空化冲击波效应消除局部的浓度不均，加速羟基自由基的产生，并促进桥联有机倍半硅氧烷的水解，之后与有机模板剂P123和水溶性无机盐在超声下混合，促进有机模板剂和有机硅源之间的自组装过程；该方法是在无酸、无碱、无重金属离子的中性条件下进行的，不会产生酸碱性以及含有重金属离子的废液，反应过程绿色无污染；该反应具有效率高，反应条件温和，操作方便等优点，利于在大规模生产中的应用。
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