公开(公告)号：CN100533165C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN02820299.6

申请日：2002-08-12

申请人： 菲尼萨公司

发明人： M·J·哈吉-谢克 ,  J·R·比亚尔 ,  B·M·豪金斯 ,  S·拉比诺维奇 ,  J·K·冈特

IPC分类号： G01R31/316

CPC分类号： G01R31/275 ,  G01R31/2831 ,  G01R31/2863 ,  G01R31/2872 ,  G01R31/2874 ,  G01R31/2884 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/005 ,  H01S5/423

摘要： 描述了执行半导体器件的晶片级老化(WLBI)的方法，其中，系统设置为具有至少两个电极(210、215)。电偏压(920)和/或热功率(925)施加在具有用于由晶片承载的半导体器件的前后电接触件的晶片(100)的每个侧面上。柔性导电层(910)描述为用于用电接触件来供给晶片的器件侧面上的引脚，和/或还用于保护晶片不受到施加到其表面上的机械压力。还描述了使用冷却系统(950)来使得可以施加均匀的温度到受到老化的晶片。晶片级老化这样执行，即，通过使用上部接触板来将电和机械接触(915)施加到用于半导体器件的单个接触件；使用下部接触板(910)来将电和机械接触施加到所述半导体晶片的衬底表面；从连接到所述上下接触板的电源通过所述上下第二接触板来给所述半导体器件提供电能(920)；根据特定的老化标准监测和控制给所述半导体器件的电能(935)一段时间；在所述一段时间(955)完成时去除电能；以及去除到给述半导体晶片的电和机械接触(965)。