公开(公告)号：CN109767989A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201811591079.4

申请日：2018-12-25

申请人： 西交利物浦大学

发明人： 赵天石 ,  赵春 ,  赵策洲 ,  杨莉 ,  于水长 ,  傅剑峰 ,  谷俊宏

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786

摘要： 本发明属于微电子器件领域，具体要求保护一种利用溶液法与异质结导电原理的低成本薄膜晶体管及其制备方法。该器件以柔性材料为基底，在上面设置有基于溶液法制备的栅极、绝缘层、异质结半导体层与源、漏电极。其中栅、源、漏三电极成份皆为由水溶液法制备的ITO材料，并且利用改变亲水性方法来将栅极图案化。绝缘层成份为水溶液法制备的Al2O3/ZrO2叠层，并且通过掺杂Li元素来提高介电常数，起到提高整个器件性能的作用。半导体层为ZnO/In2O3叠层，这种结构可以形成异质结，基于二维电子气原理来提高电子迁移率。整个制备工艺可在非真空大气条件下进行，并且温度不超过200度，生产成本较低，同时全器件为透明器件，可在光学领域中有重要应用。