公开(公告)号：CN1446353A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN01813828.4

申请日：2001-06-01

申请人： 西加特技术有限责任公司

发明人： M·H·奥斯特洛夫斯基 ,  H·肖祥

IPC分类号： G11B5/31 ,  C25D5/02

CPC分类号： G11B5/312 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3133 ,  G11B5/3146 ,  G11B5/3163

摘要： 一种磁记录头包括形成于底部磁极层上的零喉道和形成于底部磁极层一部分上及零喉道一部分上的介质层。底部磁极延伸部分、间隙层和顶部磁极延伸部分在记录头的极尖区域内被电镀，这样，介质层使在极尖区域内电镀的层与零喉道隔开。介质层防止底部磁极延伸部分和间隙层电镀在零喉道上，从而减少记录头的底部磁极延伸部分和顶部磁极延伸部分之间的磁通泄漏。

公开(公告)号：CN1256717C

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN01813828.4

申请日：2001-06-01

申请人： 西加特技术有限责任公司

发明人： M·H·奥斯特洛夫斯基 ,  H·肖祥

IPC分类号： G11B5/31 ,  C25D5/02

CPC分类号： G11B5/312 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3133 ,  G11B5/3146 ,  G11B5/3163

摘要： 一种磁记录头包括形成于底部磁极层上的零喉道和形成于底部磁极层一部分上及零喉道一部分上的介质层。底部磁极延伸部分、间隙层和顶部磁极延伸部分在记录头的极尖区域内被电镀，这样，介质层使在极尖区域内电镀的层与零喉道隔开。介质层防止底部磁极延伸部分和间隙层电镀在零喉道上，从而减少记录头的底部磁极延伸部分和顶部磁极延伸部分之间的磁通泄漏。