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公开(公告)号：CN106356078B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201610550190.3
申请日：2016-07-13
申请人： HGST荷兰公司
CPC分类号： G11B5/3163 , G11B5/3133 , G11B5/314 , G11B5/40 , G11B2005/0021
摘要： 本文公开的实施例总体上涉及一种形成HAMR头的方法。所述方法包含使用按需滴喷工具在滑块表面的一部分上沉积按需滴喷掩模。所述滑块的表面包含NFT的至少一部分。第一保护层沉积在滑块表面的剩余的部分之上，以及按需滴喷掩模之上。将按需滴喷掩模以及设置在按需滴喷掩模上的第一保护层的一部分移除，暴露NFT的至少一部分。第二保护层沉积在第一保护层和NFT的至少暴露的部分上。通过使用按需滴喷工具来沉积按需滴喷掩模，降低按需滴喷掩模和NFT的该部分之间的对齐的严格度，并且可以使用擦除工具轻易地移除按需滴喷掩模。
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公开(公告)号：CN103886873B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201310594776.6
申请日：2013-11-21
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11B5/3163 , G11B5/112 , G11B5/1272 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B5/3948 , G11B5/3958 , G11B2005/3996 , H01J37/32009 , H01J2237/334 , Y10T29/49046 , Y10T29/49052
摘要： 一种多读取器方法和装置。根据一个实施例，可制造多读取器，由此能在操作中同时地从存储设备的多个区域进行读取。可配置这种设备，例如通过形成第一壁、形成第二壁并利用第一壁和第二壁来形成两个毗邻的读取器叠层。
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公开(公告)号：CN104050986B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201410086587.2
申请日：2014-03-11
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： G11B5/60
CPC分类号： G11B5/3176 , B81C1/00611 , B81C2201/0109 , C09K13/00 , C23F4/00 , G03F7/0041 , G11B5/1278 , G11B5/187 , G11B5/232 , G11B5/235 , G11B5/3109 , G11B5/3116 , G11B5/3143 , G11B5/3163
摘要： 本申请公开了磁性材料之间的间隙。根据一个实施例，一种方法可通过如下实施：在磁性材料的主磁极层上沉积材料的非磁性间隙层；在材料的非磁性间隙层上沉积材料的牺牲层；蚀刻所述材料的牺牲层的部分，并不完全去除所述材料的牺牲层；并将其他的牺牲材料沉积到所蚀刻的牺牲层。
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公开(公告)号：CN103855298B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201310625298.0
申请日：2013-11-28
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11C11/14 , B82Y25/00 , G11B5/3163 , G11B5/3906 , G11B5/647 , G11B5/653 , G11B5/84 , H01F41/22
摘要： 一种装置和方法一般被描述为表现出经调谐的各向异性和磁矩的薄膜。各实施例可形成一磁性层，该磁性层通过在被冷却至预定衬底温度的衬底上沉积材料而被调谐至预定的各向异性和磁矩。
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公开(公告)号：CN103296199B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201310054860.9
申请日：2013-02-20
申请人： 西部数据(弗里蒙特)公司
CPC分类号： H01L43/12 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3163 , G11B5/3909 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/307
摘要： 本发明描述了新颖的隧道磁阻（TMR）沉积过程，该过程可增强TMR读取器的信噪比（SNR）。制造隧道磁阻传感器的方法包括：提供衬底；在衬底上形成磁性隧道结（MTJ）的第一部分；在衬底上形成MTJ的第二部分；在第一部分和第二部分之间形成MTJ结构的隧道势垒层；在形成隧道势垒层之前或者在形成隧道势垒层的至少一部分之后，加热MTJ结构的第一部分；以及冷却隧道势垒层。
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公开(公告)号：CN102820038B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210182781.1
申请日：2012-06-05
申请人： 西部数据(弗里蒙特)公司
CPC分类号： G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B5/315 , G11B5/3163
摘要： 本发明涉及一种制造用于数据存储系统的磁记录换能器的过程，该过程包括提供衬底、下层以及在下层上沉积至第一厚度并与所述下层接触的第一非磁性中间层，在第一中间层的第一部分上执行第一扫描抛光以平面化第一中间层的第一部分至第二厚度，在平面化的第一中间层的第一部分中提供主磁极，提供位于第一中间层的第一部分上并与其接触的光阻材料的第一图案，该图案包括限定侧面护罩沟槽的孔隙，执行湿蚀刻以去除第一中间层的至少部分从而暴露多个主磁极侧面中的至少一个，以及在侧面护罩沟槽中沉积侧面护罩材料。
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公开(公告)号：CN106558322A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610031179.6
申请日：2016-01-18
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： G11B5/315 , G11B5/1278 , G11B5/1871 , G11B5/235 , G11B5/3133 , G11B5/3146 , G11B5/3169 , G11B5/3173 , G11B5/4853 , G11B2005/0024 , G11B5/3163 , G11B5/11 , G11B5/4806
摘要： 本发明提供可实现稳定的高频辅助且实现高记录密度化的磁头、具备其的盘装置及磁头的制造方法。磁头具备：空气支撑面(43)；第1面，其设置有包括第1连接焊盘及第2连接焊盘的多个连接焊盘；一对第2面，其设置有与第1连接焊盘及第2连接焊盘分别连接、用于对元件通电的一对连接端子；主磁极(60)，其具有延伸到空气支撑面的前端部，产生记录磁场；写屏蔽件(62)，其与主磁极的前端部隔着写间隙相对，与主磁极一起构成磁芯；高频振荡器(65)，其在写间隙内设置于主磁极与写屏蔽件之间。高频振荡器具有旋转注入层(65a)及振荡层(65c)，至少振荡层相对于空气支撑面，与主磁极及写屏蔽件相比，向从空气支撑面离开的方向后退。
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公开(公告)号：CN104821171A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510178423.7
申请日：2015-01-30
申请人： HGST荷兰公司
CPC分类号： G11B5/398 , G11B5/3163 , G11B5/39 , G11B5/3912 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要： 本发明公开了磁传感器及其制造方法以及磁数据记录系统。一种磁传感器，具有第一传感器叠层部分，该第一传感器叠层部分包括自由层、非磁间隔或阻挡层、以及被钉扎层结构的一部分。该传感器具有形成在第一传感器叠层部分上面的第二传感器叠层部分。第二传感器叠层部分包括被钉扎层结构的第二部分和形成在上面的反铁磁材料层。第一传感器叠层部分形成有定义传感器的起作用的宽度和条高度的宽度和条高度，而上部可以被制造得更宽和更深而不影响传感器性能。由于与图案化整个传感器叠层所需的结构相比，第一传感器叠层部分的图案化在更薄的结构上进行，所以能够以更小的尺寸和更高的分辨率来进行图案化。
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公开(公告)号：CN102402989B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201110269383.9
申请日：2011-09-13
申请人： 精工电子有限公司
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： G11B5/3163 , G11B5/314 , G11B5/6088 , G11B2005/0021
摘要： 本发明提供近场光产生元件、近场光头及它们的制造方法和再现装置，它们能够在确保光量的基础上，缩小近场光的点径。作为解决手段，从Z方向观察，芯部(23)形成为多边形形状，且具有第1芯部(54)和覆盖第1芯部(54)的侧面的第2芯部(55)，金属膜(51)配置于芯部(23)的侧面(23g)，从Z方向观察，金属膜(51)与芯部(23)的界面的宽度(W1)形成得比芯部(23)的侧面(23g)的宽度(W3)小。
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公开(公告)号：CN104240722A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201310461793.2
申请日：2013-09-30
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： G11B5/3163 , G11B5/29 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B5/3932 , G11B5/3958 , G11B5/4886 , G11B5/4976
摘要： 本发明难以因再现的盘半径位置的不同而使再现信号的轨道间干扰量变化。根据实施方式，一种磁头，具备：第一再现元件；第一磁性膜，其在所述第一再现元件的第一侧壁隔着第一侧壁绝缘膜而形成；第二磁性膜，其在与所述第一侧壁相对的第一再现元件的第二侧壁隔着第二侧壁绝缘膜而形成；第二再现元件，其与所述第一再现元件电绝缘且在所述第一磁性膜上形成；第三磁性膜，其在所述第一磁性膜上形成；和第四磁性膜，其与所述第二再现元件电绝缘且在所述第一再现元件上形成。
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