公开(公告)号：CN107012423B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201710124149.4

申请日：2017-03-03

申请人： 西北大学

发明人： 王雪文 ,  张繁 ,  吴朝科 ,  翟春雪 ,  张志勇 ,  赵武 ,  张远

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/35

摘要： 本发明公开了一种InN薄膜的制备方法，包括以下步骤，用丙酮、四氯化碳、无水乙醇和去离子水清洗硅片；清洗后的硅片进行磁控溅射沉积InN薄膜。本发明研究首次采用In2O3靶，在溅射温度600℃，溅射压强0.6Pa时，生长出纯的InN薄膜材料，且微观形貌颗粒逐渐增大、结晶质量好、纯度高、没有杂质生成。

公开(公告)号：CN107012423A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710124149.4

申请日：2017-03-03

申请人： 西北大学

发明人： 王雪文 ,  张繁 ,  吴朝科 ,  翟春雪 ,  张志勇 ,  赵武 ,  张远

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/35

摘要： 本发明公开了一种InN薄膜的制备方法，包括以下步骤，用丙酮、四氯化碳、无水乙醇和去离子水清洗硅片；清洗后的硅片进行磁控溅射沉积InN薄膜。本发明研究首次采用In2O3靶，在溅射温度600℃，溅射压强0.6Pa时，生长出纯的InN薄膜材料，且微观形貌颗粒逐渐增大、结晶质量好、纯度高、没有杂质生成。

公开(公告)号：CN106835237A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710009660.X

申请日：2017-01-06

申请人： 西北大学

发明人： 胡峰 ,  王凯歌 ,  王雪文 ,  翟春雪 ,  王爽 ,  张繁

IPC分类号： C25D11/10 ,  C25D11/12 ,  C25D11/16 ,  G01N33/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明提供一种花瓣状薄膜型Zn‑Al类气敏材料的制备方法，制备出的气敏材料是由众多纳米片交错形成的均匀薄膜，纳米片光滑平整，厚度为几十纳米，直径为1μm左右，在纳米片层表面形成了纳米花瓣状结构，比表面积大，对乙醇，甲醇，丙酮都表现出气敏特性，与单纯的ZnO薄膜材料相比，具有更高稳定性，制备出的薄膜气敏材料直接生长基底上，因此制备出的样品机械强度更高，不易脱落。

公开(公告)号：CN106835237B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201710009660.X

申请日：2017-01-06

申请人： 西北大学

发明人： 胡峰 ,  王凯歌 ,  王雪文 ,  翟春雪 ,  王爽 ,  张繁

IPC分类号： C25D11/10 ,  C25D11/12 ,  C25D11/16 ,  G01N33/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明提供一种花瓣状薄膜型Zn‑Al类气敏材料的制备方法，制备出的气敏材料是由众多纳米片交错形成的均匀薄膜，纳米片光滑平整，厚度为几十纳米，直径为1μm左右，在纳米片层表面形成了纳米花瓣状结构，比表面积大，对乙醇，甲醇，丙酮都表现出气敏特性，与单纯的ZnO薄膜材料相比，具有更高稳定性，制备出的薄膜气敏材料直接生长基底上，因此制备出的样品机械强度更高，不易脱落。