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公开(公告)号：CN116184506A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211600917.6
申请日：2022-12-12
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： G01V3/08
摘要： 本发明公开了一种基于磁性传感器的障碍物后方探测方法，通过磁性传感器检测墙体等障碍物后方目标附近磁场信息，再根据所获磁场信息计算障碍物后方目标的位置、特征磁矩等信息；采用单个磁性传感器，用于测量墙体等障碍物后方目标附近的磁场三维矢量强度；采用磁性传感器阵列，用于测量墙体等障碍物后方目标附近的磁梯度张量，对目标进行定位。采用本发明进行探测，可以很好地探测金属介质后的目标。此外，本发明还可以通过组网探测，有效解决传统单节点障碍物后方探测存在的探测盲区、目标遮挡等问题。
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公开(公告)号：CN112179380A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011025235.8
申请日：2020-09-25
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明提供了一种动态情况下速率陀螺误差补偿方法。当载体处于圆周运动或盘旋飞行运动状态的航向角在90°±Δφ和270°±Δφ范围内，倾斜角γ在0°±Δγ和180°±Δγ的范围内时，利用加速度计纵向分量解算俯仰角，利用该俯仰角和三轴磁传感器的输出在解算出载体倾斜角和航向角。再利用俯仰角、倾斜角和航向角对速率陀螺解算出的俯仰角、倾斜角和航向角进行补偿。该方法解决了载体长时间处于加速运动时，陀螺仪漂移误差大、系统精度低的问题。
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公开(公告)号：CN102012492A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010556482.0
申请日：2010-11-22
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明公开了一种单铁芯磁通门以及磁通门单轴传感器，用于解决现有的磁通门铁芯加工困难的技术问题。技术方案是磁通门的铁芯是长条形，加工绕线更加方便，更能保证测量轴与安装轴的一致。采用长条形铁芯磁通门的单轴磁通门传感器，采用挡板和电路板固定方式，保证了可靠性和可维修性，也使引线焊接更为方便，成本较低；电路板的橡胶垫和顶丝上的橡胶垫以及柔性套管减小了铁芯所受的应力，提高了磁通门铁芯抗冲击能力。
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公开(公告)号：CN102012491A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010556481.6
申请日：2010-11-22
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明公开了一种单铁芯磁通门以及磁通门双轴传感器，用于解决现有的双轴磁通门传感器绕线困难的技术问题。技术方案是磁通门的铁芯是长条形，加工绕线更加方便，更能保证测量轴与安装轴的一致。磁通门与传感器支架分离，降低铁芯、线圈的加工、绕线和装配的复杂程度，保证了两个轴之间的相互垂直和测量轴与外壳的一致性，提高了磁通门双轴传感器的可靠性和可维修性；电路板的橡胶垫和顶丝上的橡胶垫以及柔性套管减小了铁芯所受的应力，提高了磁通门铁芯抗冲击能力。
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公开(公告)号：CN101604966A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910023295.3
申请日：2009-07-10
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： H03K5/02 , H03K19/0175
摘要： 本发明公开了一种磁通门传感器激励电路，其特点是采用积分、微分和相加的方法把方波信号转换成在峰值处带有尖脉冲的三角波电流信号作为磁通门的激励信号。该电路的一种形式是由一个积分器、一个微分器和一个加法器组成；另一种形式是由一个运算放大器、两个电阻和两个电容组成。第一种形式中的微分电路有同相微分器、反相器加反相微分器和反相微分器加反相放大器三种形式。该电路可以用于产生磁通门传感器的激励信号，在低功耗条件下降低磁通门的剩磁误差，且不需要激励电路工作在调谐状态。本发明的有益效果是，在经历磁场强度为10mT的冲击后，剩磁误差可达到0.5nT，消耗功率为42mW。
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公开(公告)号：CN110715964A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910929439.5
申请日：2019-09-27
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明公开了一种差分型光寻址电位传感器，其特点是采用半导体器件作为参考子传感器，所述的半导体器件剖面结构为金属电极-敏感层-过渡层-半导体层-输出电极五层结构。测量时参考子传感器无需添加基准溶液，简化了测量步骤；参考子传感器与测量子传感器建立在互不相连的硅片上，方便差分型光寻址电位传感器的更换；参考子传感器由偏置电压与参考电压叠加控制，避免外界因素影响输出光电流，提高差分型光寻址电位传感器精度。
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公开(公告)号：CN106252019B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201610538539.1
申请日：2016-07-09
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： H01F5/00
摘要： 本发明公开了一种多层三维磁场发射线圈，用于宽量程的直流磁场跟踪定位系统。采用多层形状相同、直径不同、匝数不同的空心线圈同轴共心嵌套而成，每层线圈均由两两相互垂直且共心的三轴漆包线绕制在骨架上制成，由内到外，每层线圈半径依次增大，骨架用于缠绕线圈并固定每层相对位置。这样可以根据定位所需范围设计适当的线圈层数以及每层线圈的半径、匝数和激励电流大小。使其发射磁场在跟踪范围内，既可近似为磁偶极子模型，又可获得较大磁场强度，在便于计算的同时，又减小了测量误差。
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公开(公告)号：CN106647687A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610807485.4
申请日：2016-09-07
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： G05B23/02
CPC分类号： G05B23/0213 , G05B2219/24065
摘要： 本发明公开了一种无刷永磁电机驱动控制器的模拟加载测试方法。其特征在于利用共轴双绕组无刷永磁电机(含转子位置传感器及无位置传感器)作为驱动控制器的模拟加载单元，再配合加载可调电阻器、电功率计等，即可实现对无刷永磁电机驱动控制器的模拟加载并完成其输出性能测试。本发明无需无刷永磁电机必须采用传统的“联轴器－转速转矩传感器－测功机”等多环节组成的转速‑转矩试验台就能实现驱动控制器的性能测试且测试效率高、精度高、一致性好、测试成本低；同时杜绝了传统测试方法因高同轴度要求导致的安装、调试、维护等困难，改善了操作使用性和长期维护性；还提高了高转速旋转加载测试过程的安全性。可广泛应用于工业、航空航天等领域。
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公开(公告)号：CN106517305A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611017280.2
申请日：2016-11-19
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： C01G9/02
CPC分类号： C01G9/02 , C01P2004/03 , C01P2004/80
摘要： 本发明提供了一种无催化剂条件下制备镁掺杂ZnO纳米线的方法，采用双温区化学气相沉积管式炉，低温区为镁源，温度460-960℃；高温区为锌源，温度800-1100℃；镁源为镁粉，锌源为氧化锌和碳粉混合物，将镁粉放置在低温区，氧化锌和碳粉放置在高温区，硅衬底置于管式炉中，调节升温速率20℃/min，通入由纯氮和纯氧组成的混合载气，当双温区达到各自的温度后，继续通氧，保温20-40min，在硅衬底上制备出镁掺杂ZnO纳米线。本发明通过用双温区气相沉积法制备纳米线，不需要提前制备催化层，完全是无催化剂条件，在20-40min内即可制备成功，实现了纳米线在无催化条件下的快速自生长，耗时短，操作简单。
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公开(公告)号：CN103336252B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310217695.4
申请日：2013-06-04
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： G01R33/04
摘要： 本发明公开了一种迟滞时间差型磁通门传感器信号检测方法，用于解决现有磁通门传感器信号检测方法依赖阈值选取致使检测精度难以保证的技术问题。技术方案是获取RTD磁通门传感器信号，对RTD信号正脉冲最大值附近的N1个数据进行曲线拟合，对RTD信号负脉冲最小值附近的N2个数据进行曲线拟合；根据相邻的三个峰值点的时间计算迟滞时间差；根据迟滞时间差计算出外磁场。由于该方法通过寻找RTD信号正脉冲峰值与负脉冲峰值在时间轴上的位置计算迟滞时间差，从而计算被测磁场强度。本方法无需考虑阈值设置的大小对传感器输出性能的影响，测量结果与阈值无关，提高了磁通门传感器信号的检测精度。
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