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公开(公告)号：CN109742232A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811410331.7
申请日：2018-11-23
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明涉及一种凹槽阳极平面耿氏二极管，包括：衬底；成核层，位于衬底上；背势垒层，位于成核层上；沟道层，位于背势垒层上；势垒层，位于沟道层上；势垒层和沟道层上设置有凹槽，凹槽将沟道层和势垒层形成的2DEG沟分割为第一2DEG沟道和第二2DEG沟道；阳极，位于凹槽中和势垒层上；阴极，位于背势垒层上；介质层，位于势垒层上。本发明实施例利用凹槽形成两个并联的平面耿氏二极管，通过改变两个沟道的长度来改变沟道中电子畴的运动，实现器件工作频率和输出功率的自由调控，对提高器件工作频率和输出功率的研究具有重要意义。
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公开(公告)号：CN110350084A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910491144.4
申请日：2019-06-06
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： H01L47/02 , H01L47/00 , H01L23/367 , H01L23/373 , B82Y30/00
摘要： 本发明涉及一种基于复合散热阳极的GaN平面耿氏二极管及制备方法，该平面耿氏二极管包括：AlGaN背势垒层；GaN沟道层，位于所述AlGaN背势垒层上；AlGaN势垒层，位于所述GaN沟道层上；欧姆接触阳极和欧姆接触阴极，分别位于所述AlGaN背势垒层、所述GaN沟道层和所述AlGaN势垒层的两端；以及肖特基延伸层，位于所述AlGaN势垒层上且覆盖所述欧姆接触阳极。该平面耿氏二极管肖特基延伸层在平面耿氏二极管的沟道中形成一个耗尽层，削弱了高能偶极畴的强度，从而分散了电子畴的能量，降低了平面耿氏二极管的阳极端的碰撞电离，缓冲了热发生，进而有效抑制了器件的自热效应，提高了器件的负阻效应、功率和频率。
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公开(公告)号：CN109742232B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201811410331.7
申请日：2018-11-23
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明涉及一种凹槽阳极平面耿氏二极管，包括：衬底；成核层，位于衬底上；背势垒层，位于成核层上；沟道层，位于背势垒层上；势垒层，位于沟道层上；势垒层和沟道层上设置有凹槽，凹槽将沟道层和势垒层形成的2DEG沟分割为第一2DEG沟道和第二2DEG沟道；阳极，位于凹槽中和势垒层上；阴极，位于背势垒层上；介质层，位于势垒层上。本发明实施例利用凹槽形成两个并联的平面耿氏二极管，通过改变两个沟道的长度来改变沟道中电子畴的运动，实现器件工作频率和输出功率的自由调控，对提高器件工作频率和输出功率的研究具有重要意义。
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公开(公告)号：CN110350084B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201910491144.4
申请日：2019-06-06
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： H01L47/02 , H01L47/00 , H01L23/367 , H01L23/373 , B82Y30/00
摘要： 本发明涉及一种基于复合散热阳极的GaN平面耿氏二极管及制备方法，该平面耿氏二极管包括：AlGaN背势垒层；GaN沟道层，位于所述AlGaN背势垒层上；AlGaN势垒层，位于所述GaN沟道层上；欧姆接触阳极和欧姆接触阴极，分别位于所述AlGaN背势垒层、所述GaN沟道层和所述AlGaN势垒层的两端；以及肖特基延伸层，位于所述AlGaN势垒层上且覆盖所述欧姆接触阳极。该平面耿氏二极管肖特基延伸层在平面耿氏二极管的沟道中形成一个耗尽层，削弱了高能偶极畴的强度，从而分散了电子畴的能量，降低了平面耿氏二极管的阳极端的碰撞电离，缓冲了热发生，进而有效抑制了器件的自热效应，提高了器件的负阻效应、功率和频率。
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