一种Ti改性CVD-SiC抗氧化涂层及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118005426A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202410129265.5

    申请日:2024-01-30

    IPC分类号: C04B41/87 B64C1/38

    摘要: 本发明公开了一种Ti改性CVD‑SiC抗氧化涂层及其制备方法和应用,属于材料制备技术领域,该方法首先采用化学气相沉积法在C/C复合材料表面制备SiC涂层,随后利用熔盐反应在1100℃~1400℃下低温热处理,将Ti元素引入SiC涂层中,原位形成Ti‑Si‑C层,制得Ti改性CVD‑SiC抗氧化涂层。本发明利用氧化过程中生成的TiO2和SiO2的互扩散降低SiO2粘度,提高SiO2流动性,进而提高SiC涂层的自愈合效率;同时过量的TiO2对表面氧化膜起到提高稳定性作用,两者协同实现SiC涂层中低温区热防护性能的提升。

    一种熔渗深度可控的难熔金属改性C/C复合材料及制备方法

    公开(公告)号:CN118271118A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202410369201.2

    申请日:2024-03-28

    IPC分类号: C04B41/88 C04B41/85

    摘要: 本发明公开了一种熔渗深度可控的难熔金属改性C/C复合材料及制备方法,属于改性C/C复合材料的制备技术领域。方法如下:对低密度C/C复合材料进行预处理;将WO3粉末、Cu粉末、NaCl粉末和KCl粉末混合后进行球磨处理,后进行过筛和烘干处理获得熔渗粉料;从下至上依次铺设第一层的熔渗粉料、低密度C/C复合材料以及第二层的熔渗粉料,获得多层粉料;将多层粉料进行热处理,后冷却获得熔渗深度可控的难熔金属改性C/C复合材料。以韧性高的难熔金属作为改性组元,并在较低温度下进行制备,能够通过调整熔渗粉料中NaCl‑KCl含量控制熔渗深度。

    一种涂层-基体改性一体化C/C-W-Cu复合材料及制备方法

    公开(公告)号:CN118596662A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202410821292.9

    申请日:2024-06-24

    摘要: 本发明公开了一种涂层‑基体改性一体化C/C‑W‑Cu复合材料及制备方法,属于超高温复合材料技术领域。复合材料包括由上至下依次设置的表涂层、改性基体层和基体层;表涂层为W‑Cu复合涂层,改性基体层为改性C/C‑W‑Cu基体层,基体层为C/C基体层;表涂层与改性基体层的界面处呈梯度结构,改性基体层和基体层的界面处形成钉扎结构。向C/C复合材料内引入适量W‑Cu金属材料,采用金属改性C/C复合材料,采用涂层‑基体改性一体化设计,在试样表面制备致密的防护涂层,用以解决现有技术存在单一难熔金属材料密度过高难以满足轻量化设计要求、超高温陶瓷改性组元脆性大和断裂韧性低、基体改性试样表面缺陷多和在高速粒子冲击下易产生裂纹以及单一涂层与基体热物理性质差异大和高温下易剥离的问题。

    一种超高温陶瓷选区改性回转体C/C复合材料的真空抽滤装置

    公开(公告)号:CN220989977U

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202322609148.2

    申请日:2023-09-26

    IPC分类号: B01D35/02 B01D35/16

    摘要: 本发明一种超高温陶瓷选区改性回转体C/C复合材料的真空抽滤装置,属于料浆浸渗工艺领域,装置包括模具、底座、压紧装置、密封垫片、漏斗、过滤瓶、真空泵;模具中心设有通孔,模具侧壁均布2个与通孔贯通的抽气口;底座、密封垫片、压紧装置自下而上同轴安装于通孔内;密封垫片有2个,环状C/C同轴置于2个密封垫片之间;压紧装置设有中心通孔与密封垫片中心孔、环状C/C的内孔相通;漏斗插入压紧装置的中心通孔导入陶瓷浆料;抽气口通过软管与过滤瓶和真空泵接通,通过真空泵将陶瓷浆料从环状C/C的内壁向外壁抽出。发明解决了传统料浆浸渗法无法在回转体C/C复合材料内壁面一定厚度范围引入改性组元的问题。