一种多功能Al掺杂核壳结构SiC纳米线及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118026731A

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202410131944.6

    申请日:2024-01-30

    IPC分类号: C04B41/87

    摘要: 本发明公开了一种多功能Al掺杂核壳结构SiC纳米线及其制备方法和应用,以SiO粉和Al粉为前驱体,经过研磨混合,在较低温度下即可于多种基体表面合成大量Al掺杂核壳结构SiC纳米线。该方法可以在较低温度下、低成本、高效的制备出大量尺寸均匀的Al掺杂核壳结构SiC纳米线。所制备纳米线具有较好的光致发光性能和促进涂层在高温下的自愈合性能。合成的纳米线具有以下特征:直径分布在100~130nm之间,纳米线中心为晶态Al掺杂SiC核,直径约为50~80nm,外层为非晶Al掺杂SiO2层,厚度约为30~50nm。纳米线组成元素为Si、O、C和Al,纳米线长度可达毫米级。

    一种超高温陶瓷选区改性碳/碳复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN108424162A

    公开(公告)日:2018-08-21

    申请号:CN201810289910.4

    申请日:2018-04-03

    IPC分类号: C04B35/83 C04B41/81

    摘要: 本发明涉及一种超高温陶瓷选区改性碳/碳复合材料的制备方法,在常温常压条件下制备超高温陶瓷选区改性碳/碳(C/C)复合材料的方法。采用碳纤维预制体或密度为0.5~1.3g/cm3的C/C复合材料作为实施对象,在常温常压将超高温陶瓷相前驱体溶液定向引入C/C复合材料中,再对其进行热处理和致密化,从而得到超高温陶瓷选区改性的C/C复合材料。本发明可缩短制备周期,降低实施成本,同时可有效提高材料的抗烧蚀性能。此外,本方法可解决背景技术中无法实现选区改性的难题,为定向改性C/C复合材料提供了方案。

    一种用于多层结构的非正侵彻试验装置及其使用方法

    公开(公告)号:CN118640749A

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202410709529.4

    申请日:2024-06-03

    IPC分类号: F42B35/00 F41J1/00 F41J1/10

    摘要: 本发明属于侵彻试验技术领域,公开了一种用于多层结构的非正侵彻试验装置及其使用方法,包括试验台本体、若干靶体固定夹具及若干靶体;所述试验台本体水平设置,若干所述靶体固定夹具沿所述试验台本体的长轴中心线依次间隔设置,若干所述靶体分别安装在所述靶体固定夹具的顶端;其中,所述靶体固定夹具用于对所述靶体进行夹持固定,并能够对所述靶体的水平角和俯仰角进行调节;本发明通过在试验台本体的长轴中心线上依次设置若干靶体固定夹具,并利用靶体固定夹具对靶体的水平角及俯仰角进行调节,以满足对弹体实际着靶角度的真实模拟,确保了侵彻试验结果的真实性和精确性。

    一种氧乙炔火焰处理MOF阵列表面原位快速生长CNTs的方法

    公开(公告)号:CN116119651A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202211600904.9

    申请日:2022-12-12

    摘要: 本发明涉及一种氧乙炔火焰处理MOF阵列表面原位快速生长CNTs的方法,首先在基底上制备MOF阵列,既作为CNTs生长的基底,又为CNTs生长提供催化剂;CNTs生长的碳源来源于MOF自身热解产生的含碳小分子气体以及火焰燃烧剩余的乙炔。通过调控碳源与氧气比例、处理时间、距离等工艺参数,实现MOF阵列的快速碳化并保证阵列结构完整性,CNTs的原位快速生长。此外,CNTs与基底间具有良好的结合力。本发明相比与传统方法利用MOF制备碳纳米催化材料,该工艺制备的碳纳米催化材料保持阵列化特征,不仅可以避免后续应用中使用导电添加剂等,结构也具有良好的稳定性、大的比表面积、多的活性位点;同时,CNTs可以增大碳纳米催化剂的比表面积,暴露更多活性位点,提高导电性。

    一种超高温陶瓷选区改性碳/碳复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN108424162B

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN201810289910.4

    申请日:2018-04-03

    IPC分类号: C04B35/83 C04B41/81

    摘要: 本发明涉及一种超高温陶瓷选区改性碳/碳复合材料的制备方法,在常温常压条件下制备超高温陶瓷选区改性碳/碳(C/C)复合材料的方法。采用碳纤维预制体或密度为0.5~1.3g/cm3的C/C复合材料作为实施对象,在常温常压将超高温陶瓷相前驱体溶液定向引入C/C复合材料中,再对其进行热处理和致密化,从而得到超高温陶瓷选区改性的C/C复合材料。本发明可缩短制备周期,降低实施成本,同时可有效提高材料的抗烧蚀性能。此外,本方法可解决背景技术中无法实现选区改性的难题,为定向改性C/C复合材料提供了方案。

    一种涡轮叶片气膜孔气动阻尼计算模型及方法

    公开(公告)号:CN118350310A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410500262.8

    申请日:2024-04-24

    摘要: 本发明公开了一种涡轮叶片气膜孔气动阻尼计算模型及方法,包括气缸本体、分隔壁板及活塞;所述气缸本体内充填有预设压力的冷却气体;所述分隔壁板设置在所述气缸本体内,并沿所述气缸本体的长轴方向通长设置;所述分隔壁板将所述气缸本体的内腔划分为主缸腔和副缸腔;所述活塞滑动设置在所述主缸腔内,并将所述主缸腔分隔为第一主缸腔和第二主缸腔;所述分隔壁板上设置有第一气膜孔及第二气膜孔;其中,所述第一气膜孔的第一侧与所述第一主缸腔连通,所述第二气膜孔的第一侧与所述第二主缸腔连通,所述第一气膜孔及所述第二气膜孔的第二侧均与所述副缸腔连通;本发明实现对涡轮叶片气膜孔气动阻尼的精确计算,计算过程简单,计算结果的精度较高。

    一种Ti改性CVD-SiC抗氧化涂层及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118005426A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202410129265.5

    申请日:2024-01-30

    IPC分类号: C04B41/87 B64C1/38

    摘要: 本发明公开了一种Ti改性CVD‑SiC抗氧化涂层及其制备方法和应用,属于材料制备技术领域,该方法首先采用化学气相沉积法在C/C复合材料表面制备SiC涂层,随后利用熔盐反应在1100℃~1400℃下低温热处理,将Ti元素引入SiC涂层中,原位形成Ti‑Si‑C层,制得Ti改性CVD‑SiC抗氧化涂层。本发明利用氧化过程中生成的TiO2和SiO2的互扩散降低SiO2粘度,提高SiO2流动性,进而提高SiC涂层的自愈合效率;同时过量的TiO2对表面氧化膜起到提高稳定性作用,两者协同实现SiC涂层中低温区热防护性能的提升。

    一种气体阻尼器及其使用方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117646777A

    公开(公告)日:2024-03-05

    申请号:CN202311788566.0

    申请日:2023-12-23

    IPC分类号: F16F9/02

    摘要: 本发明公开了一种气体阻尼器,包括缸体;缸体为两端封闭且中空的筒状结构,缸体的内部充满空气;第一磁性活塞滑动设置在缸体的内部,第一磁性活塞将缸体的内部空间划分第一空腔和第二空腔;第一磁性活塞上开设有若干活塞通孔,活塞通孔的两端分别连通第一空腔与第二空腔;杆体滑动穿插在缸体的顶盖中心,杆体的第一端伸入第一空腔内并通过若干第一弹簧与第一磁性活塞相连;第二磁性活塞滑动设置在第二空腔内,且第二磁性活塞通过若干第二弹簧与缸体的缸底内壁相连;第一磁性活塞与第二磁性活塞的磁性相同;本发明装置结构简单,占用空间小,在抵抗高强冲击时能够表现出强大的缓冲性,对高频、高强冲击等工程应用具有重大意义。

    一种实现梯度温度场的振动疲劳试验装置及方法

    公开(公告)号:CN116929687A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202310877309.8

    申请日:2023-07-17

    IPC分类号: G01M7/02 G01M7/06 G01M15/14

    摘要: 本发明公开了一种实现梯度温度场的振动疲劳试验装置及方法,包括高温炉;高温炉包括温控箱、炉膛、试件夹持面板、观察窗面板及试件夹具;温控箱为两端开口且中空的箱型结构,炉膛内嵌设置在温控箱的内部;其中,炉膛用于在温控箱的内部形成梯度温度场;试件夹持面板配合设置在温控箱的第一端开口处,观察窗面板配合设置在温控箱的第二端开口处;试件夹具可旋转设置在试件夹持面板的内侧,待测试件的一端夹持固定在试件夹具上,待测试件的另一端延伸至温控箱的内部;试件夹持面板的外侧或温控箱的底部与激振机构相连;本发明装置结构简单,试验结果准确性高,有效提高了设备的振动疲劳试验过程的可靠性,并降低了振动试验的额外能源损耗。