公开(公告)号：CN119125610A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411147088.X

申请日：2024-08-21

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 张昊哲 ,  马晓 ,  傅茂森 ,  刘效治 ,  王成宇

IPC: G01Q30/20 ,  G01N1/28

Abstract: 本申请公开了一种利用FIB获得块体材料原位透射气氛芯片样品的制备方法，涉及芯片制备方法领域。包括：采集试样的目标区域的EBSD数据，根据EBSD数据生成目标取向的晶面族的极图，根据极图获取目标取向的晶面位置；在晶面位置沉积保护材料，得到保护层；对保护层外围的试样的材料进行去除，得到第一试样；对第一试样的目标区域进行削减，得到目标区域厚度为第一预设厚度的中间试样，对中间试样进行非晶去除，得到第二试样；将第二试样固定在芯片的观察窗口，得到芯片样品。联用EBSD与FIB技术，在保证晶面位置的准确性的前提下，制备了适用于Protochips气氛芯片的原位气氛实验用样品。

公开(公告)号：CN115536376A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211116779.4

申请日：2022-09-14

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 傅茂森 ,  何家明 ,  马晓 ,  刘洋洋

IPC: C04B35/20 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种低介电常数低损耗硅酸锌镁体系微波介质陶瓷的制备方法。本发明的方法以Zn2SiO4陶瓷为基体，采用Mg2+掺杂取代，将ZnO、MgO和SiO2按化学式(Zn1‑xMgx)2SiO4的化学计量比进行配料，其中x＝0.6～0.8，通过传统固相反应法合成了Zn2SiO4‑Mg2SiO4两相复合的微波介质陶瓷。两相复合提高了样品的致密性，使得制备出的(Zn1‑xMgx)2SiO4具备低的介电常数和低的介电损耗，并且降低了陶瓷样品的烧结温度。本发明可以为谐振器和滤波器等微波通讯元器件提供一种备选材料，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN117417188A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311353615.8

申请日：2023-10-19

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 傅茂森 ,  马晓 ,  党楠 ,  刘洋洋

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明涉及一种织构多晶微波介电陶瓷材料的制备方法。该方法通过对造粒的Nd(Mg1/2T i 1/2)O3陶瓷粉料进行模压成型，获得板状陶瓷压胚，再对板状陶瓷压胚进行无压烧结得到板状陶瓷预制体；进行棒状预制体的连续定向凝固，通过控制凝固速率、固液界面形状和温度梯度等定向凝固参数，使得Nd(Mg1/2T i 1/2)O3微波介电陶瓷凝固组织沿着特定取向生长。该方法能够实现陶瓷微观组织由随机取向的疏松多孔多晶组织到具有明显晶粒取向的均匀致密近单晶组织的调控，尤其适用于难以通过工艺调控获得大尺寸近单晶组织的陶瓷材料。

公开(公告)号：CN119187606A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411381176.6

申请日：2024-09-30

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 张译鹤 ,  马晓 ,  王品杰 ,  王成宇 ,  傅茂森

IPC: B22F10/28 ,  B22F10/366 ,  B22F10/38 ,  B22F10/32 ,  C22C19/05 ,  F01D5/14 ,  F01D5/28 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00 ,  B33Y80/00

Abstract: 本发明公开了一种镍基高温合金复杂结构叶片的选区激光熔化制造工艺，涉及高温合金加工技术领域。所述方法包括配制镍基高温合金粉末；构建待成形复杂结构叶片三维模型，并对叶片三维模型进行分层处理，将该三维模型的各参数导入选区激光熔化设备中；设置填充工艺参数以及轮廓工艺参数；通过激光扫描方式进行激光熔化成形，其中，激光扫描方式包括：先对每一层内部填充部分进行扫描，随后在该层进行一次单轮廓激光扫描；本发明通过探索优化后的工艺参数可以实现IN718Plus镍基高温合金复杂结构叶片的选区激光熔化成形制造。

公开(公告)号：CN119038979A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411212535.5

申请日：2024-08-30

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 傅茂森 ,  郭汉举 ,  张芩宇 ,  刘洋洋 ,  马晓

IPC: C04B35/20 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明涉及一种低介低损耗硅酸镁体系微波介质陶瓷及其低温制备方法。本发明以Mg2SiO4陶瓷为基体，采用Mg2+非化学计量改性，CaTiO3调节温度稳定性以及LiF降低烧结温度，通过传统固相反应法合成了Mg2.1SiO4.1‑xCaTiO3‑yLiF的多相复合微波介质陶瓷，其中x＝0.09～0.13，y＝0.05～0.25。多相复合使制备出的Mg2.1SiO4.1‑xCaTiO3‑yLiF具备低的介电常数、低的介电损耗和接近零的谐振频率温度系数，并且降低了陶瓷样品的烧结温度。本发明可以为LTCC技术制备高频通讯用组件提供一种备选材料，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN119328160A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202411317639.2

申请日：2024-09-20

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 王品杰 ,  马晓 ,  傅茂森 ,  王成宇 ,  王理林

IPC: B22F10/28 ,  C22F1/10 ,  B33Y70/00 ,  B33Y10/00

Abstract: 本发明涉及一种提高选区激光熔化IN718Plus合金高温性能的方法，包括使用选区激光熔化制备IN718Plus合金试样、均质处理、固溶处理及双时效处理。本发明方法通过控制固溶处理后冷却方式，实现了IN718Plus合金单极、双极的γ'相的调控。本发明还提供了所述方法制备得到的IN718Plus合金，通过固溶后空冷，使得合金具有双极γ'相，使其γ'相的高温稳定性大大提高，因而提高了IN718Plus合金的高温力学性能。

公开(公告)号：CN118851739A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410892235.X

申请日：2024-07-04

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 傅茂森 ,  张芩宇 ,  马晓 ,  刘洋洋 ,  何家明

IPC: C04B35/20 ,  C04B35/495 ,  C04B35/64 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种温度稳定型硅酸锌镁微波介电陶瓷及制备方法和应用，涉及介电陶瓷技术领域。所述方法包括分别制备(Zn0.4Mg0.6)2SiO4和Ba3(VO4)2陶瓷粉末；将(Zn0.4Mg0.6)2SiO4和Ba3(VO4)2陶瓷粉末进行球磨混合，获得化合物粉末；将化合物粉末与粘合剂混合后，进行压制成型，获得陶瓷生坯；将陶瓷生坯经排胶后，于1100～1200℃进行烧结，保温3～5h，即得温度稳定型硅酸锌镁微波介电陶瓷。本发明以(Zn0.4Mg0.6)2SiO4为基体，采用Ba3(VO4)2掺杂，通过传统固相法合成Zn2SiO4‑Mg2SiO4‑Ba3(VO4)2微波介质陶瓷。复相使得微波介质陶瓷谐振频率温度系数近零，制备的微波介质陶瓷介电性能优异，损耗低。

公开(公告)号：CN117819955A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311736276.1

申请日：2023-12-15

Applicant: 深圳陕煤高新技术研究院有限公司 ,  西北工业大学

Inventor： 张芩宇 ,  傅茂森 ,  郭汉举 ,  刘洋洋 ,  马晓 ,  李宇杰

IPC: C04B35/20 ,  C04B35/622 ,  C04B35/624

Abstract: 本发明公开了一种硅酸镁微波介电陶瓷及其制备方法和应用，涉及介电陶瓷技术领域。该方法包括将硅源和镁源，按化学式MgxSiO2+x的化学计量比进行配料；获取硅源的乙醇溶液和镁源的乙醇溶液；经搅拌陈化成胶；将干凝胶于850～950℃进行预烧，得到MgxSiO2+x陶瓷前驱体粉末；将MgxSiO2+x陶瓷前驱体粉末采用固相法制得MgxSiO2+x微波介质陶瓷。本发明基于溶胶凝胶法制备非化学计量比制备MgxSiO2+x硅酸盐，降低MgxSiO2+x粉体的制备温度，以及降低MgxSiO2+x微波介质陶瓷的烧结温度和缩短保温时间，同时减少能源消耗。