公开(公告)号：CN115130414B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202210598903.9

申请日：2022-05-30

Applicant: 西北工业大学深圳研究院

Inventor： 骆光照 ,  罗斌 ,  安泽舟 ,  刘春强 ,  鲁绪恺 ,  王涛鸣 ,  李寅

IPC: G06F30/367 ,  G01R27/26

Abstract: 本发明涉及一种Cascode型器件内部寄生电容参数提取的方法，提出了一种基于实验测量和2端口网络分析的混合物理行为建模法，测量出Cascode型GaN器件的输入电容Ciss，传输电容Crss和输出电容Coss。通过对不同电压等级下的测量数据进行拟合，得到Cascode型GaN器件的Ciss–VDS，Crss–VDS和Coss–VDS非线性压变特性曲线。从测量结果来看，这几个电容容值是随着电压的不同非线性变化的。第二步，根据测量拟合的3条非线性压变电容曲线和低压Si‑MOSFET的3个寄生电容的参数曲线，通过二端口网络分析法推导出取Cascode型GaN器件内部耗尽型的GaN的三个结电容的C–V模型。本发明获得了Cascode GaN的内部的高压耗尽型GaN的非线性电容参数及C‑V其特性曲线，为定量地分析振荡以及设计抑制电路提供参数依据。

公开(公告)号：CN115130414A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210598903.9

申请日：2022-05-30

Applicant: 西北工业大学深圳研究院

Inventor： 骆光照 ,  罗斌 ,  安泽舟 ,  刘春强 ,  鲁绪恺 ,  王涛鸣 ,  李寅

IPC: G06F30/367 ,  G01R27/26

Abstract: 本发明涉及一种Cascode型器件内部寄生电容参数提取的方法，提出了一种基于实验测量和2端口网络分析的混合物理行为建模法，测量出Cascode型GaN器件的输入电容Ciss，传输电容Crss和输出电容Coss。通过对不同电压等级下的测量数据进行拟合，得到Cascode型GaN器件的Ciss–VDS，Crss–VDS和Coss–VDS非线性压变特性曲线。从测量结果来看，这几个电容容值是随着电压的不同非线性变化的。第二步，根据测量拟合的3条非线性压变电容曲线和低压Si‑MOSFET的3个寄生电容的参数曲线，通过二端口网络分析法推导出取Cascode型GaN器件内部耗尽型的GaN的三个结电容的C–V模型。本发明获得了Cascode GaN的内部的高压耗尽型GaN的非线性电容参数及C‑V其特性曲线，为定量地分析振荡以及设计抑制电路提供参数依据。