基于SiC宽禁带半导体探测器的光电探测器

    公开(公告)号:CN108428761B

    公开(公告)日:2019-12-06

    申请号:CN201810225701.3

    申请日:2018-03-19

    IPC分类号: H01L31/09

    摘要: 本发明属于光电探测和核辐射探测领域,具体涉及一种基于SiC宽禁带半导体探测器的光电探测器。包括真空腔体及位于真空腔体内部的SiC探测器;真空腔体的一侧为入射窗,入射窗内侧覆盖有光电阴极,与入射窗相邻的真空腔体两个内侧分别设有金属电极,光电阴极与金属电极之间通过电阻连接;SiC探测器位于与入射窗相对的真空腔体内侧,SiC探测器的入射面电极接地,出射面的电极引出真空腔体。本发明利用SiC探测器对能量在keV量级电子的响应特性,获得百倍左右增益,同时获得1安培以上的脉冲响应最大线性电流,能够很好地解决当前光电管和光电倍增管之间的衔接问题。

    一种基于光学成像的单粒子能量测量装置及方法

    公开(公告)号:CN106094004B

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201610624040.2

    申请日:2016-08-02

    IPC分类号: G01T1/205

    摘要: 本发明涉及核技术应用领域,尤其涉及一种基于光学成像的单粒子能量测量装置及方法。本发明提出一种基于光学成像的单粒子能量测量装置及方法,利用单丝气体闪烁正比结构中的强电场将单粒子在气体闪烁体中产生的荧光倍增,再通过高灵敏高量子效率的成像装置对倍增强度的径迹荧光成像,就能得到单粒子的径迹发光图像,从图像提取径迹特征信息,进而实现单粒子能量的测量。

    一种α粒子阻隔型低能电子探测器件

    公开(公告)号:CN108445530A

    公开(公告)日:2018-08-24

    申请号:CN201810253358.3

    申请日:2018-03-26

    IPC分类号: G01T7/00

    摘要: 本发明涉及一种α粒子阻隔型低能电子探测器件。包括一端开口的外壳、真空密封窗、α粒子阻隔层及电子探测装置;真空密封窗位于外壳开口端,与外壳形成真空腔室;α粒子阻隔层紧贴真空密封窗位于外壳内部,且与外壳绝缘,用于阻隔α粒子穿过;电子探测装置包括电子探测器、高压模块和信号采集模块;所述电子探测器位于外壳内部并与α粒子阻隔层平行,电子探测器与α粒子阻隔层之间的间隔形成飞行腔室;高压模块和信号采集模块位于外壳外部,电子探测器阳极与高压模块连接,电子探测器信号输出端和信号采集模块连接;α粒子穿过真空密封窗进入并停留在α粒子阻隔层的微孔中。解决了现有技术中高氡环境下不能对氚发射低能电子直接探测的缺陷。

    基于SiC宽禁带半导体探测器的大电流百倍增益光电探测器

    公开(公告)号:CN108428761A

    公开(公告)日:2018-08-21

    申请号:CN201810225701.3

    申请日:2018-03-19

    IPC分类号: H01L31/09

    摘要: 本发明属于光电探测和核辐射探测领域,具体涉及一种基于SiC宽禁带半导体探测器的大电流百倍增益光电探测器。包括真空腔体及位于真空腔体内部的SiC探测器;真空腔体的一侧为入射窗,入射窗内侧覆盖有光电阴极,与入射窗相邻的真空腔体两个内侧分别设有金属电极,光电阴极与金属电极之间通过电阻连接;SiC探测器位于与入射窗相对的真空腔体内侧,SiC探测器的入射面电极接地,出射面的电极引出真空腔体。本发明利用SiC探测器对能量在keV量级电子的响应特性,获得百倍左右增益,同时获得1安培以上的脉冲响应最大线性电流,能够很好地解决当前光电管和光电倍增管之间的衔接问题。

    基于虚拟点探测器原理的放射性区域确定方法

    公开(公告)号:CN104020507B

    公开(公告)日:2017-06-09

    申请号:CN201410264383.3

    申请日:2014-06-13

    IPC分类号: G01V9/00 G01T1/169

    摘要: 本发明提供一种基于虚拟点探测器的放射性区域确定方法,包括拟合得到虚拟点探测器距离探测器下端面距离的拟合参数、求出地面放射性区域对应的虚拟点源位置、建立均匀分布地面放射性区域半径r的和其对应的虚拟点源位置x的函数关系式、地面放射性区域半径参数的反演计算等步骤,本发明利用虚拟点探测器理论及虚拟点源技术,成功地解决了以往高空无法确定放射性可疑区边界的问题,使空中发展为一项更为有效的探测手段。

    基于延迟编码的光纤阵列中子位置灵敏探测系统及方法

    公开(公告)号:CN104090293B

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201410275572.0

    申请日:2014-06-19

    IPC分类号: G01T3/06 G01D5/36

    摘要: 本发明涉及一种基于延迟编码的光纤阵列中子位置灵敏探测系统及方法,通过不同长度的光纤对中子与闪烁体作用发出的脉冲荧光信号进行延迟编码,使得不同长度的光纤传输的脉冲荧光信号到达后端光电探测器的时间不同。这样通过测量光电探测器输出的多个脉冲电流信号之间的时间差,再结合解码技术便可以确定是由哪几根光纤传输过来的脉冲荧光信号,最后以这几根光纤传输的信号大小为权重确定中子的作用位置,而时间信息则可以根据第一个脉冲电流信号的到达时间和获得的中子作用位置反推确定。采用这种方法可以使原来多路并行的信号读取方式转变为单通道串行的信号读取方式,从而使中子作用位置和时间联合测量系统大幅简化。

    缩短CsI(Na)晶体X、γ射线激发下发光衰减时间的方法

    公开(公告)号:CN103422169B

    公开(公告)日:2016-06-01

    申请号:CN201210160213.1

    申请日:2012-05-22

    IPC分类号: C30B29/12

    摘要: 本发明属于核辐射探测领域,涉及一种缩短CsI(Na)晶体对X、γ射线发光衰减时间的方法。本发明利用高能球磨机及高速气流粉碎技术将CsI(Na)块状晶体制备成微米、纳米量级结构晶体,通过改变CsI(Na)的粒度结构来加快其对X、γ射线辐射的发光衰减时间,使CsI(Na)晶体对X、γ射线的发光衰减时间从原来大块结构时的650ns提升到微米结构下的25ns,为快脉冲辐射场探测开辟了新的技术途径,为超快探测器的研制提供新的探测材料。该方法工艺简单、操作简便,具有较好的稳定性和重现性。