缩短CsI(Na)晶体X、γ射线激发下发光衰减时间的方法

    公开(公告)号:CN103422169A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201210160213.1

    申请日:2012-05-22

    IPC分类号: C30B29/12

    摘要: 本发明属于核辐射探测领域,涉及一种缩短CsI(Na)晶体对X、γ射线发光衰减时间的方法。本发明利用高能球磨机及高速气流粉碎技术将CsI(Na)块状晶体制备成微米、纳米量级结构晶体,通过改变CsI(Na)的粒度结构来加快其对X、γ射线辐射的发光衰减时间,使CsI(Na)晶体对X、γ射线的发光衰减时间从原来大块结构时的650ns提升到微米结构下的25ns,为快脉冲辐射场探测开辟了新的技术途径,为超快探测器的研制提供新的探测材料。该方法工艺简单、操作简便,具有较好的稳定性和重现性。

    缩短CsI(Na)晶体X、γ射线激发下发光衰减时间的方法

    公开(公告)号:CN103422169B

    公开(公告)日:2016-06-01

    申请号:CN201210160213.1

    申请日:2012-05-22

    IPC分类号: C30B29/12

    摘要: 本发明属于核辐射探测领域,涉及一种缩短CsI(Na)晶体对X、γ射线发光衰减时间的方法。本发明利用高能球磨机及高速气流粉碎技术将CsI(Na)块状晶体制备成微米、纳米量级结构晶体,通过改变CsI(Na)的粒度结构来加快其对X、γ射线辐射的发光衰减时间,使CsI(Na)晶体对X、γ射线的发光衰减时间从原来大块结构时的650ns提升到微米结构下的25ns,为快脉冲辐射场探测开辟了新的技术途径,为超快探测器的研制提供新的探测材料。该方法工艺简单、操作简便,具有较好的稳定性和重现性。