-
公开(公告)号：CN113120915B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202110442214.4
申请日：2021-04-23
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷涂层制备方法，具体涉及一种纳米TiB2涂层的制备方法。本发明的目的是解决现有TiB2涂层制备方法存在采用化学气相沉积法时，BCl3对设备及管路的腐蚀性极强，导致成本高、难度大，而采用渗Ti和B的包埋法时，涂层结构致密度差，表面粗糙度大，涂层易残留杂质元素，降低了涂层高温性能的技术问题。通过化学沉积法在样件表面沉积TiC涂层；将沉积有TiC涂层的样件和BN粉料均加入石墨坩埚中，使BN粉料将沉积有TiC涂层的样件完全覆盖；在Ar气氛或Ar和O2的混合气氛或Ar、O2和H2的混合气氛下，以恒定升温速率升至600～2000℃，进行硼化反应；在Ar气氛下自然降温至室温，取出试样，清除其表面附着的BN粉料，获得沉积有纳米TiB2涂层的样件。
-
公开(公告)号：CN115753325A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211588185.3
申请日：2022-12-09
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01N1/44
Abstract: 本发明涉及一种辐照腔，具体为一种全局均匀增强大型效应物内部场强及避免击穿的辐照腔。即克服常规增加辐照腔场强手段存在的实施可行性低、加剧辐照腔击穿的问题，又克服在辐照腔内使用绝缘介质块和绝缘介质套方案，存在的场强增强均匀性略差及不能完全避免辐照腔击穿的问题。本发明在传统辐照腔工作空间的两个平行金属板之间加上由绝缘介质构成的绝缘介质框，且在绝缘介质框内加上特定数量、形状及尺寸的绝缘介质块，并在大型效应物的下方加上特定形状及尺寸的绝缘介质底座，同时达到了“全局均匀增强辐照腔中大型效应物内场强”和“有效避免辐照腔击穿”的技术效果。
-
公开(公告)号：CN113131210B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202110395293.8
申请日：2021-04-13
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明属高功率微波传输与发射技术领域，提供一种高功率微波用正馈卡塞格伦天线,由主反射面、副反射面、馈源、介质锥形筒组成，介质锥形筒放置于馈源和副反射面之间，为圆锥筒状结构，介质锥形筒利用法兰分别与馈源的馈源口面法兰及副反射面的外沿法兰连接，且法兰上刻密封槽放置密封圈密封，确保馈源及副反射面工作在真空环境中，采用介质锥形筒实现电磁波正常透射，同时实现馈源与副反射面与外界大气真空隔离。采用这种结构，馈源口面不再作为真空与大气分界面，因此不需要通过增大馈源口面面积来降低口面场强，本发明的馈源的口面面积可以减小，同时减小馈源纵向尺寸以及馈源与副反射面之间的距离。利用常规(低功率传输用)卡塞格伦天线就能够传输高功率微波，天线功率容量提高30％，天线纵向总长度减少20％。
-
公开(公告)号：CN109545638A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811381757.4
申请日：2018-11-20
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明提供一种谐振腔及交叉结构的太赫兹扩展互作用振荡器，交叉结构太赫兹扩展互作用振荡器，与传统的太赫兹扩展互作用振荡器有较大差别。在传统器件中，纵向电场集中沿某一个方向分布(如x或y方向)，而在该交叉型结构的器件中，纵向电场同时分布在两个方向上(即x和y方向)。因而在该型结构中，纵向电场与圆柱形电子束的能量交换效率可以得到有效增强，输出功率可以得到有效提高。通过对工作在0.3THz的交叉型扩展互作用振荡器进行优化设计，最终器件可以在14kV、0.1A的工作条件下，实现约51.5W的功率输出。该交叉型结构适用于提高太赫兹扩展互作用振荡器的输出功率，尤其适合在较低的工作电流下提高器件的工程可实现性与工作稳定性。
-
公开(公告)号：CN106098511B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201610537795.9
申请日：2016-07-08
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01J25/10
Abstract: 本发明涉及一种基于高次模式梯形结构扩展互作用速调管的微波放大方法，本发明提供的微波放大方法是基于传统梯形结构的扩展互作用速调管，选定采用的高次工作模式，通过增大传统扩展互作用谐振腔的横向结构尺寸，并调整其纵向结构尺寸，可使扩展互作用速调管放大器以预定的高次模式工作。本发明在很大程度上缓解了在亚毫米波段由于器件尺寸微小所导致的加工、装配难度增大，功率容量降低，电子注聚束和对准的难度增大，增益减小，热稳定性降低等问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105489460B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201510943407.2
申请日：2015-12-16
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所 , 西北核技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种K波段同轴相对论返波振荡器，包括：阳极，其为包含有慢波结构的圆柱波导腔；阴极，其设置在所述圆柱波导腔内并通过绝缘子连接在所述阳极的一个端面上；电子束引导栅网，其设置在所述圆柱波导腔内并位于所述阴极的电子发射端的下游；同轴内导体，其为圆柱体结构；所述同轴内导体的一端设置在所述圆柱波导腔内，另一端通过金属支架连接在所述阳极的另一个端面上；且所述同轴内导体与所述阴极、所述圆柱波导腔形成同轴结构。本发明采用电子束透过率大于90％的电子束引导栅网引导电子束进入束波互作用区，降低了所需的外部磁场强度，使得器件需要的引导磁场降低至0.5T，减小了器件外部庞大的引导磁场系统的尺寸以及对能源提供的需求。
-
公开(公告)号：CN106098511A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610537795.9
申请日：2016-07-08
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01J25/10
CPC classification number: H01J25/10
Abstract: 本发明涉及一种基于高次模式梯形结构扩展互作用速调管的微波放大方法，本发明提供的微波放大方法是基于传统梯形结构的扩展互作用速调管，选定采用的高次工作模式，通过增大传统扩展互作用谐振腔的横向结构尺寸，并调整其纵向结构尺寸，可使扩展互作用速调管放大器以预定的高次模式工作。本发明在很大程度上缓解了在亚毫米波段由于器件尺寸微小所导致的加工、装配难度增大，功率容量降低，电子注聚束和对准的难度增大，增益减小，热稳定性降低等问题。
-
公开(公告)号：CN113131210A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110395293.8
申请日：2021-04-13
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明属高功率微波传输与发射技术领域，提供一种高功率微波用正馈卡塞格伦天线,由主反射面、副反射面、馈源、介质锥形筒组成，介质锥形筒放置于馈源和副反射面之间，为圆锥筒状结构，介质锥形筒利用法兰分别与馈源的馈源口面法兰及副反射面的外沿法兰连接，且法兰上刻密封槽放置密封圈密封，确保馈源及副反射面工作在真空环境中，采用介质锥形筒实现电磁波正常透射，同时实现馈源与副反射面与外界大气真空隔离。采用这种结构，馈源口面不再作为真空与大气分界面，因此不需要通过增大馈源口面面积来降低口面场强，本发明的馈源的口面面积可以减小，同时减小馈源纵向尺寸以及馈源与副反射面之间的距离。利用常规(低功率传输用)卡塞格伦天线就能够传输高功率微波，天线功率容量提高30％，天线纵向总长度减少20％。
-
公开(公告)号：CN113120915A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110442214.4
申请日：2021-04-23
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷涂层制备方法，具体涉及一种纳米TiB2涂层的制备方法。本发明的目的是解决现有TiB2涂层制备方法存在采用化学气相沉积法时，BCl3对设备及管路的腐蚀性极强，导致成本高、难度大，而采用渗Ti和B的包埋法时，涂层结构致密度差，表面粗糙度大，涂层易残留杂质元素，降低了涂层高温性能的技术问题。通过化学沉积法在样件表面沉积TiC涂层；将沉积有TiC涂层的样件和BN粉料均加入石墨坩埚中，使BN粉料将沉积有TiC涂层的样件完全覆盖；在Ar气氛或Ar和O2的混合气氛或Ar、O2和H2的混合气氛下，以恒定升温速率升至600～2000℃，进行硼化反应；在Ar气氛下自然降温至室温，取出试样，清除其表面附着的BN粉料，获得沉积有纳米TiB2涂层的样件。
-
公开(公告)号：CN108807114B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201810533135.2
申请日：2018-05-29
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种工作在高次模的太赫兹EIO制作方法及该太赫兹EIO及谐振腔，在高次模工作环境下，通过对工作电压、电流的优化，在保证太赫兹扩展互作用振荡器稳定运行的前提下，确定太赫兹扩展互作用振荡器中谐振间隙数目；与传统的工作在基模的扩展互作用振荡器有较大差别。通过选择TM31模作为工作模式，在相同工作频率下，谐振腔的空间得以扩大。这样做，一方面提高了谐振腔内部的功率容量，有助于提升器件的输出功率；另一方面，器件尺寸得到扩大，可以在一定程度上降低微细加工的难度。最终的器件可以实现约85W的功率输出，工作频率为338.4GHz。该工作在高次模的设计方法适用于提高太赫兹扩展互作用振荡器的输出功率和器件的工程可实现性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.019 seconds)
