公开(公告)号：CN106848226B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201710045553.2

申请日：2017-01-20

申请人： 西南交通大学

发明人： 胡春峰 ,  朱德贵 ,  许璐迪 ,  姚远思

IPC分类号： H01M4/36 ,  C04B35/58

摘要： 本发明公开了一种各向异性氮化钛陶瓷薄膜及其制备方法，由统一晶格取向的单层氮化钛纳米层片晶粒构成，所述层片晶粒的（111）晶面平行于薄膜表面排列堆垛，形成具有织构取向的氮化钛陶瓷薄膜；制备方法包括以下步骤：（1）置于氢氟酸中，腐蚀得Ti3C2陶瓷粉末；（2）将陶瓷粉末清洗后超声剥离，得单层的Ti3C2纳米片；（3）将Ti3C2纳米片经离心，真空抽滤后得到Ti3C2陶瓷薄膜前驱体；（4）干燥后得到Ti3C2陶瓷薄膜；（5）将Ti3C2陶瓷薄膜高温氮化处理得目标产物；本发明通过对Ti3C2陶瓷薄膜前驱体进行热处理，在高温下实现原位氮化，得到导电性能好、硬度高，具有各向异性的氮化钛陶瓷薄膜。

公开(公告)号：CN106848226A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710045553.2

申请日：2017-01-20

申请人： 西南交通大学

发明人： 胡春峰 ,  朱德贵 ,  许璐迪 ,  姚远思

IPC分类号： H01M4/36 ,  C04B35/58

CPC分类号： H01M4/366 ,  C04B35/58

摘要： 本发明公开了一种各向异性氮化钛陶瓷薄膜及其制备方法，由统一晶格取向的单层氮化钛纳米层片晶粒构成，所述层片晶粒的（111）晶面平行于薄膜表面排列堆垛，形成具有织构取向的氮化钛陶瓷薄膜；制备方法包括以下步骤：（1）置于氢氟酸中，腐蚀得Ti3C2陶瓷粉末；（2）将陶瓷粉末清洗后超声剥离，得单层的Ti3C2纳米片；（3）将Ti3C2纳米片经离心，真空抽滤后得到Ti3C2陶瓷薄膜前驱体；（4）干燥后得到Ti3C2陶瓷薄膜；（5）将Ti3C2陶瓷薄膜高温氮化处理得目标产物；本发明通过对Ti3C2陶瓷薄膜前驱体进行热处理，在高温下实现原位氮化，得到导电性能好、硬度高，具有各向异性的氮化钛陶瓷薄膜。

公开(公告)号：CN106892663B

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201710045432.8

申请日：2017-01-20

申请人： 西南交通大学

发明人： 胡春峰 ,  朱德贵 ,  许璐迪 ,  姚远思

IPC分类号： C04B35/58 ,  C04B35/626

摘要： 本发明公开了一种片层状氮化物陶瓷颗粒及其制备方法，所述氮化物陶瓷颗粒由多层纳米晶粒组成，具有叠层结构；制备过程如下：（1）将Xn‑Al‑C相粉末材料放入质量浓度为47%的氢氟酸中腐蚀，在40‑60℃条件下腐蚀20‑40小时，得到片层状的碳化物颗粒；（2）将步骤（1）中得到的碳化物颗粒进行清洗直至洗涤液PH值达7，然后进行干燥；（3）将步骤（2）中得到的碳化物颗粒放入流动的氮气中，900‑1300℃条件下保温处理1‑4小时，冷却后即获得目标产物；本发明制备的氮化物陶瓷颗粒具有片层结构，可以在片层间隙引入基体材料，起到强化契合提升性能的作用，制备工艺简单，生产成本低。

公开(公告)号：CN106892663A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201710045432.8

申请日：2017-01-20

申请人： 西南交通大学

发明人： 胡春峰 ,  朱德贵 ,  许璐迪 ,  姚远思

IPC分类号： C04B35/58 ,  C04B35/626

摘要： 本发明公开了一种片层状氮化物陶瓷颗粒及其制备方法，所述氮化物陶瓷颗粒由多层纳米晶粒组成，具有叠层结构；制备过程如下：（1）将Xn‑Al‑C相粉末材料放入质量浓度为47%的氢氟酸中腐蚀，在40‑60℃条件下腐蚀20‑40小时，得到片层状的碳化物颗粒；（2）将步骤（1）中得到的碳化物颗粒进行清洗直至洗涤液PH值达7，然后进行干燥；（3）将步骤（2）中得到的碳化物颗粒放入流动的氮气中，900‑1300℃条件下保温处理1‑4小时，冷却后即获得目标产物；本发明制备的氮化物陶瓷颗粒具有片层结构，可以在片层间隙引入基体材料，起到强化契合提升性能的作用，制备工艺简单，生产成本低。