公开(公告)号：CN114883489A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210589118.7

申请日：2022-05-27

Applicant: 西南大学

Inventor： 周广东 ,  冉皓丰 ,  胡小方 ,  宋群梁 ,  王丽丹 ,  段书凯

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种异质结自整流忆阻器及其制备方法。其中，一种异质结自整流忆阻器，包括依次叠加的第一电极层、具有忆阻特性的异质结层和第二电极层，所述第一电极层、具有忆阻特性的异质结层和第二电极层的势垒能够通过能带工程进行调控。其方法包括以下步骤：取基底、第一电极层材料、具有忆阻特性的异质结层材料和第二电极层材料；在所述基底上依次叠加进行第一电极层材料、具有忆阻特性的异质结层材料和第二电极层材料的溅射镀膜，镀膜后形成异质结自整流忆阻器。本发明的目的是解决现有的忆阻器会产生潜行电流，使其电阻值会发生变化，导致其储存的数据失效的问题。

公开(公告)号：CN114883489B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202210589118.7

申请日：2022-05-27

Applicant: 西南大学

Inventor： 周广东 ,  冉皓丰 ,  胡小方 ,  宋群梁 ,  王丽丹 ,  段书凯

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种异质结自整流忆阻器及其制备方法。其中，一种异质结自整流忆阻器，包括依次叠加的第一电极层、具有忆阻特性的异质结层和第二电极层，所述第一电极层、具有忆阻特性的异质结层和第二电极层的势垒能够通过能带工程进行调控。其方法包括以下步骤：取基底、第一电极层材料、具有忆阻特性的异质结层材料和第二电极层材料；在所述基底上依次叠加进行第一电极层材料、具有忆阻特性的异质结层材料和第二电极层材料的溅射镀膜，镀膜后形成异质结自整流忆阻器。本发明的目的是解决现有的忆阻器会产生潜行电流，使其电阻值会发生变化，导致其储存的数据失效的问题。

公开(公告)号：CN114349040A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202210055412.X

申请日：2022-01-18

Applicant: 西南大学

Inventor： 李庆 ,  胡海 ,  黄智 ,  王梓琦 ,  冉皓丰 ,  周李文

IPC: C01G3/05 ,  B01J27/122 ,  C02F1/72 ,  C02F101/30

Abstract: 本发明公开了一种简便无模板制备CuCl纳米颗粒的方法和应用，属于光催化材料合成技术领域，包含如下制备步骤：(1)取芦荟粉加入去离子水中，搅拌并静置后，离心取上清液备用；(2)向步骤(1)制备的芦荟上清液中加入二水氯化铜，然后移至反应釜中在加热反应。本发明使用芦荟粉萃取液作为还原剂，催化二水氯化铜生成氯化亚铜，制备方法简便、绿色环保，无模版，可以在较低的反应温度(160℃、170℃、180℃)下实现对罗丹明的高效降解，180℃下的产物光催化性能最优，在15分钟内对罗丹明完全降解，降解率为99％，其催化效率比目前报道的利用氯化亚铜降解罗丹明的效果要好，适合大量生产并应用于环境治理之中。