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公开(公告)号：CN116014029A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211690411.9
申请日：2022-12-27
申请人： 西南技术物理研究所
发明人： 代千 , 李宛励 , 袁菲 , 谢修敏 , 刘绍斌 , 梁丕刚 , 舒域鑫 , 陈庆敏 , 孔繁林 , 路小龙 , 梁晨宇 , 袁鎏 , 郑博仁 , 柯尊贵 , 郭雨航 , 李潇 , 宋海智
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0304
摘要： 本发明属于半导体光电器件技术领域，公开了一种铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法，采用表面浅层Zn扩散工艺，在铟镓砷盖革雪崩二极管表面的i InP顶层上直接进行浅层Zn扩散，制备Zn掺杂自淬灭环结构，作为铟镓砷盖革雪崩二极管自身的被动淬灭电阻。本发明解决自由模式光子计数用铟镓砷盖革雪崩二极管存在的后脉冲高、死时间长的问题，通过实现低寄生效应的原位被动淬灭，有效提升铟镓砷盖革雪崩二极管的最大计数率，满足单光子计数探测需求。
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公开(公告)号：CN117872323A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311694071.1
申请日：2023-12-11
申请人： 西南技术物理研究所
IPC分类号： G01S7/497 , G01S7/48 , G01S17/894
摘要： 本发明属于激光雷达应用性能评估领域，公开了一种基于实时操作系统的激光雷达实验室模拟装置，包括探测器信号采集系统、目标模拟器、大气传输环境模拟器、激光器和探测器；所述探测器信号采集系统用于控制激光器发射激光，所述探测器用于接收激光的回波，探测器信号采集系统与探测器之间进行数据传输；所述目标模拟器在步进电机的控制下运动，用于实现对真实场景中不同高度、不同反射率的探测目标的模拟；所述大气传输环境模拟器用于在实验室内模拟大气传输环境模拟器用于在实验室内模拟激光的实际运用环境。本发明与传统的程序控制系统相比，本发明能够对激光雷达实验室模拟装置的多个模块进行协同控制，实时响应用户的操作，有助于实验室测试指标和激光雷达应用性能关系的评估。
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公开(公告)号：CN117833836A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311632426.4
申请日：2023-12-01
申请人： 西南技术物理研究所
摘要： 本发明电子及光电子技术领域，公开了一种带输入保护的高增益跨阻放大电路，其包括输入保护电路(1)、高增益跨阻放大电路(2)和APD(3)，APD(3)通过光照产生光生电流信号，跨阻放大电路(2)将APD(3)产生的光生电流信号转换并放大为电压信号Vout；当光强增大，跨阻放大电路(2)饱和后，输入保护电路(1)将饱和后的电流信号泄放，实现输入保护。本发明结构简单，通过简单结构实现了大动态范围跨阻放大器的目的；冗余性高，能够保证在10mA以上的输入电流情况下，跨阻放大电路安全稳定工作。
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公开(公告)号：CN117650201A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311706819.5
申请日：2023-12-13
申请人： 西南技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/107 , H01L31/0236
摘要： 本发明公开了一种近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法，选用P型高阻单晶硅衬底，高温推结形成隔离环与活性区；高温推结后形成主结区；完成正面钝化层与正面金属电极区制备；通过湿法电化学腐蚀在所述衬底背面形成具有倒金字塔阵列形状的微构造硅层；在上述硅衬底背面涂覆光刻胶，背面淀积介质膜钝化层，涂覆光刻胶，光刻、刻蚀介质膜层，去除光刻胶后，背面淀积金属，随后重新涂覆光刻胶，光刻后进行金属腐蚀，再次去除光刻胶，完成背面钝化层与背面金属电极区制备，然后进行电极合金化。本发明具备操作简便、成本低廉、不引入金属杂质离子、与现有硅基雪崩二极管制造工艺相兼容等特点，具备规模化生产的应用前景。
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