公开(公告)号：CN114744123A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202111580324.3

申请日：2021-12-22

申请人： 西南技术物理研究所

发明人： 代千 ,  程碑彤 ,  邓杰 ,  杨瑞雨 ,  罗国凌 ,  陈剑 ,  黄海华 ,  庞树帅 ,  黄帅 ,  蒋若梅 ,  谭扬 ,  宋海智

IPC分类号： H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48

摘要： 本发明公开了一种基于染料钙钛矿的柔性短波红外探测器，基于柔性透明衬底制备；具有透明导电阳极、电子阻挡层、光吸收活性层、电子传输层、空穴阻挡层、阴极修饰层、金属阴极的器件结构；采用ITO和PEDOT:PSS复合透明导电薄膜阳极；采用PS‑TPD‑PFCB等材料作为电子阻挡层；采用基于Cy18F4等短波红外吸收染料与钙钛矿材料制备光吸收活性层；采用P3HT：PCBM等材料混合共掺杂作为电子传输层；采用C60等材料作为空穴阻挡层；采用LiF阴极修饰层和Al金属阴极。本发明采用高短波红外吸收染料钙钛矿，解决现有有机聚合物等光电材料对短波红外波段响应较差的问题，采用电子传输材料混合共掺杂技术，解决有效提升载流子传输效率的问题。

公开(公告)号：CN111323986A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201911311292.X

申请日：2019-12-18

申请人： 西南技术物理研究所

发明人： 徐强 ,  谢修敏 ,  张伟 ,  代千 ,  陈剑 ,  胡卫英 ,  周强 ,  宋海智

IPC分类号： G02F1/35 ,  G02F1/365

摘要： 本发明公开了一种基于Sagnac光纤环路产生三光子偏振纠缠GHZ态的系统，该方法使用Sagnac光纤环路，基于光纤中的三阶非线性光学过程-自发四波混频原理，包括：连续激光泵浦光源、密集波分复用器、掺铒光纤放大器、可变光衰减器、耦合器、功率计、滤波器、偏振控制器、可调延时线、Sagnac环、偏振分析仪、单光子探测器。本发明产生三光子偏振纠缠GHZ态的各部分组件，均可来自通讯波段商用化的成熟器件，这有利于光源的组装制备和实用化发展。通过此方法制备出的光源具有小型化、实用化、易与光纤系统集成的特点，所产生的纠缠三光子波长在1550nm波段，可在量子雷达、量子通讯、量子计量、多量子纠缠网络等领域得到广泛应用。

公开(公告)号：CN118738192A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410785618.7

申请日：2024-06-18

申请人： 西南技术物理研究所

发明人： 王江 ,  郝昕 ,  陈蔚 ,  李喆 ,  王鸥 ,  姚梦麒 ,  邓杰 ,  刘永 ,  罗国凌 ,  柯尊贵 ,  邓世杰 ,  代千

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管，自下而上依次包括：背面金属电极、抗反射层、P+型非耗尽层、Π型外延层、P型活性区、N+型接触层、隔离环、永久键合胶层、键合基片、通孔电极、以及正面金属电极。本发明可有效提升APD的雪崩信号触发概率，从而提高蓝绿光波段的探测效率。

公开(公告)号：CN117872323A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311694071.1

申请日：2023-12-11

申请人： 西南技术物理研究所

发明人： 袁鎏 ,  代千 ,  呙长冬 ,  郑博仁 ,  李潇 ,  孔繁林 ,  路小龙 ,  袁菲 ,  柯尊贵 ,  周小燕 ,  梁晨宇

IPC分类号： G01S7/497 ,  G01S7/48 ,  G01S17/894

摘要： 本发明属于激光雷达应用性能评估领域，公开了一种基于实时操作系统的激光雷达实验室模拟装置，包括探测器信号采集系统、目标模拟器、大气传输环境模拟器、激光器和探测器；所述探测器信号采集系统用于控制激光器发射激光，所述探测器用于接收激光的回波，探测器信号采集系统与探测器之间进行数据传输；所述目标模拟器在步进电机的控制下运动，用于实现对真实场景中不同高度、不同反射率的探测目标的模拟；所述大气传输环境模拟器用于在实验室内模拟大气传输环境模拟器用于在实验室内模拟激光的实际运用环境。本发明与传统的程序控制系统相比，本发明能够对激光雷达实验室模拟装置的多个模块进行协同控制，实时响应用户的操作，有助于实验室测试指标和激光雷达应用性能关系的评估。

公开(公告)号：CN116417531A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202211707653.4

申请日：2022-12-29

申请人： 西南技术物理研究所

发明人： 潘旭 ,  刘绍斌 ,  柯尊贵 ,  陈剑 ,  代千 ,  覃文治 ,  谢骞

IPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/101

摘要： 本发明公开了一种用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构，包括在半导体衬底上外延In组分呈纺锤型递变的InGaAs外延层作为缓冲层。该缓冲层结构适用于半导体衬底上制备高In组分的InGaAs红外探测器，特别是波长大于1.7μm的InxGa1‑xAs(x>0.53)探测器的制备，提高了制备高In组分InGaAs探测器在衬底选择上的自由度和结构选择上的多样性。由于纺锤型缓冲层呈现上下对称的结构，所以缓冲层中的应力状态可以更有效的阻止穿透位错等缺陷往缓冲层以上的器件有源区蔓延，有望提高吸收层的结晶质量，改善器件性能。纺锤型缓冲层思想对于其他较大失配材料体系的生长同样具有借鉴意义，具有很好的通用性，减小了失配材料生长对于衬底的束缚。

公开(公告)号：CN116053336A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202211691594.6

申请日：2022-12-27

申请人： 西南技术物理研究所

发明人： 代千 ,  陈蔚 ,  刘期斌 ,  李宛励 ,  舒域鑫 ,  陈庆敏 ,  梁丕刚 ,  黄海华 ,  姚梦麒 ,  庞树帅 ,  邓杰 ,  杨瑞雨 ,  罗国凌 ,  陈剑 ,  王鸥 ,  宋海智

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

摘要： 本发明属于半导体光电器件技术领域，公开了一种铟镓砷雪崩探测器表面陷光结构制备方法，基于吸收倍增分离雪崩二极管结构，以铟镓砷作为吸收层材料、磷化铟作为倍增层材料制备台面型的铟镓砷雪崩探测器，采用一种新型的具有倒金字塔正四面锥形槽结构紧密排布的表面陷光结构。本发明减少了InGaAs表面对近红外激光反射率，实现了1064nm波长的近红外吸收增强，解决了传统铟镓砷雪崩探测器在1064nm波段量子效率较低的问题。

公开(公告)号：CN116014029A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211690411.9

申请日：2022-12-27

申请人： 西南技术物理研究所

发明人： 代千 ,  李宛励 ,  袁菲 ,  谢修敏 ,  刘绍斌 ,  梁丕刚 ,  舒域鑫 ,  陈庆敏 ,  孔繁林 ,  路小龙 ,  梁晨宇 ,  袁鎏 ,  郑博仁 ,  柯尊贵 ,  郭雨航 ,  李潇 ,  宋海智

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304

摘要： 本发明属于半导体光电器件技术领域，公开了一种铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法，采用表面浅层Zn扩散工艺，在铟镓砷盖革雪崩二极管表面的i InP顶层上直接进行浅层Zn扩散，制备Zn掺杂自淬灭环结构，作为铟镓砷盖革雪崩二极管自身的被动淬灭电阻。本发明解决自由模式光子计数用铟镓砷盖革雪崩二极管存在的后脉冲高、死时间长的问题，通过实现低寄生效应的原位被动淬灭，有效提升铟镓砷盖革雪崩二极管的最大计数率，满足单光子计数探测需求。

公开(公告)号：CN106816392A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201611115793.7

申请日：2016-12-07

申请人： 西南技术物理研究所

发明人： 谢和平 ,  覃文治 ,  石柱 ,  代千 ,  邓慧中

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/113 ,  H01L2224/81815

摘要： 本发明公开了一种焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法，采用氩气和氢气的等离子体对铟柱回流成球的方法。在铟柱回流过程中，利用感应耦合等离子、反应离子刻蚀或其他等离子设备完成对铟柱的回流处理。氩等离子体主要用于清洗样品和击碎铟柱表面的氧化层；氢气等离子体主要用于还原铟柱表面氧化物。该方法不需要助熔剂，方便可靠，对焦平面探测器无任何负面影响，且具有回流工艺易于控制，回流均匀性、重复性好的优势。

公开(公告)号：CN117650201A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311706819.5

申请日：2023-12-13

申请人： 西南技术物理研究所

发明人： 王江 ,  王鸥 ,  刘永 ,  罗国凌 ,  郑博仁 ,  杨瑞雨 ,  谭杨 ,  郝昕 ,  代千 ,  柯尊贵 ,  邓世杰 ,  邓杰 ,  姚梦麒 ,  陈生琼 ,  李喆

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/107 ,  H01L31/0236

摘要： 本发明公开了一种近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法，选用P型高阻单晶硅衬底，高温推结形成隔离环与活性区；高温推结后形成主结区；完成正面钝化层与正面金属电极区制备；通过湿法电化学腐蚀在所述衬底背面形成具有倒金字塔阵列形状的微构造硅层；在上述硅衬底背面涂覆光刻胶，背面淀积介质膜钝化层，涂覆光刻胶，光刻、刻蚀介质膜层，去除光刻胶后，背面淀积金属，随后重新涂覆光刻胶，光刻后进行金属腐蚀，再次去除光刻胶，完成背面钝化层与背面金属电极区制备，然后进行电极合金化。本发明具备操作简便、成本低廉、不引入金属杂质离子、与现有硅基雪崩二极管制造工艺相兼容等特点，具备规模化生产的应用前景。

公开(公告)号：CN116435386A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202211691595.0

申请日：2022-12-27

申请人： 西南技术物理研究所

发明人： 代千 ,  龚赤坤 ,  覃文治 ,  李宛励 ,  陈庆敏 ,  梁丕刚 ,  舒域鑫 ,  谢和平 ,  潘旭 ,  谢骞 ,  王国胜 ,  郝昕 ,  周小燕 ,  刘源 ,  田洪军 ,  宋海智

IPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L31/107

摘要： 本发明公开了一种铟镓砷盖革雪崩探测器的雪崩区外吸收抑制结构制备方法，基于吸收倍增分离盖革雪崩二极管结构，以铟镓砷作为吸收层材料、铟铝砷作为能带渐变材料、磷化铟作为倍增层材料，采用Zn保护环掺杂区结合凹槽扩散主结的新型PN结制备方法，缓解传统无保护环的两次扩散主结中存在的雪崩电场对雪崩区外吸收的载流子的虹吸效应，解决雪崩区内外电场控制问题，结合厚铝膜对雪崩区外的1.06μm和1.55μm波长入射光子的强吸收，有效遮蔽雪崩区外入射光，解决雪崩区外吸收载流子扩散至雪崩区问题，从光生载流子扩散路径和光子吸收路径两方面，解决雪崩区外的载流子吸收和扩散导致的光生电流发生响应拖尾的问题。