公开(公告)号：CN101834053B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010177285.8

申请日：2010-05-19

申请人： 西南科技大学

发明人： 代波 ,  蒋庆林 ,  邢永燕

IPC分类号： H01F10/32 ,  H01F10/10 ,  H01F41/14

摘要： 本发明公开了一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法，该多层膜钉扎材料包括基片和在基片上设置的缓冲层、铁磁层I、反铁磁层、铁磁层II和设于其上的保护层；其制备方法是在基片上采用磁控溅射依次沉积各层得到该多层膜材料。采用本发明方法制备的多层膜钉扎材料，不仅成功地实现了铁磁/反铁磁交换偏置，而且利用交换耦合作用，增强了反铁磁材料的钉扎性能，使得铁磁/反铁磁交换偏置体系更加稳定，更适合于磁电子学器件的应用；制备工艺简单、材料性能稳定。

公开(公告)号：CN101834053A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010177285.8

申请日：2010-05-19

申请人： 西南科技大学

发明人： 代波 ,  蒋庆林 ,  邢永燕

IPC分类号： H01F10/32 ,  H01F10/10 ,  H01F41/14

摘要： 本发明公开了一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法，该多层膜钉扎材料包括基片和在基片上设置的缓冲层、铁磁层I、反铁磁层、铁磁层II和设于其上的保护层；其制备方法是在基片上采用磁控溅射依次沉积各层得到该多层膜材料。采用本发明方法制备的多层膜钉扎材料，不仅成功地实现了铁磁/反铁磁交换偏置，而且利用交换耦合作用，增强了反铁磁材料的钉扎性能，使得铁磁/反铁磁交换偏置体系更加稳定，更适合于磁电子学器件的应用；制备工艺简单、材料性能稳定。