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公开(公告)号：CN106159882B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201610551804.X
申请日：2016-07-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SiC MOSFET的固态直流断路器及其控制方法，包括SiC直流固态断路器、第一功率端子、第二功率端子、混合开关及控制系统，SiC直流固态断路器包括阻尼支路、换流支路及高压SiC MOSFET开关，第一功率端子依次经阻尼支路、高压SiC MOSFET开关及换流支路与第二功率端子相连接，混合开关的两端分别与第一功率端子及第二功率端子相连接，控制系统的输出端与换流支路的控制端及混合开关的控制端相连接，该断路器及其控制方法成本低，可靠性较高。
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公开(公告)号：CN107370347A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710602700.1
申请日：2017-07-21
Applicant: 西安交通大学
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明公开了一种多SiC MOSFET芯片并联功率模块驱动控制电路及其印制电路板，包括正电压输入端子、负电压输入端子、驱动信号输入端子、接地线、驱动芯片、第一解耦电容、第二解耦电容、总驱动电阻、第一稳压二极管、第二稳压二极管、N个驱动均流电阻及N个控制端，该电路及其印制电路板能够实现多SiC MOSFET芯片并联功率模块的驱动，同时确保各SiC MOSFET芯片安全稳定运行。
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公开(公告)号：CN106159882A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610551804.X
申请日：2016-07-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SiC MOSFET的固态直流断路器及其控制方法，包括SiC直流固态断路器、第一功率端子、第二功率端子、混合开关及控制系统，SiC直流固态断路器包括阻尼支路、换流支路及高压SiC MOSFET开关，第一功率端子依次经阻尼支路、高压SiC MOSFET开关及换流支路与第二功率端子相连接，混合开关的两端分别与第一功率端子及第二功率端子相连接，控制系统的输出端与换流支路的控制端及混合开关的控制端相连接，该断路器及其控制方法成本低，可靠性较高。
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公开(公告)号：CN107370347B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710602700.1
申请日：2017-07-21
Applicant: 西安交通大学
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明公开了一种多SiC MOSFET芯片并联功率模块驱动控制电路及其印制电路板，包括正电压输入端子、负电压输入端子、驱动信号输入端子、接地线、驱动芯片、第一解耦电容、第二解耦电容、总驱动电阻、第一稳压二极管、第二稳压二极管、N个驱动均流电阻及N个控制端，该电路及其印制电路板能够实现多SiC MOSFET芯片并联功率模块的驱动，同时确保各SiC MOSFET芯片安全稳定运行。
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公开(公告)号：CN104779939A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510197754.5
申请日：2015-04-23
Applicant: 西安交通大学
IPC: H03K17/28 , H03K17/567
Abstract: 本发明公开了一种用于IGBT串联均压的延时匹配电路及方法，包括全局延时调整电路、N个本地采样录波电路、N个IGBT及N个二极管；所述全局延时调整电路与各本地采样录波电路相连接，第i个本地采样录波电路与第i各IGBT的门极相连接，前一个IGBT的发射极与后一个IGBT的集电极相连接，第i个二极管的负极及正极分别与第i个IGBT的集电极及发射极相连接，i和N均为自然数，且N≥2，1≤i≤N。本发明可以避免后开通以及先关断的IGBT上承受更高的动态电压，实现IGBT串联均压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103997322A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410228403.1
申请日：2014-05-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: H03K17/04
Abstract: 本发明提供一种全固态直流断路器及其控制方法，直流断路器的拓扑结构包括串联连接的承压开关和换流开关组成的换流支路、与换流支路并联的断流支路、与换流支路并联的能量吸收支路和剩余电流切断开关，剩余电流切断开关与并联连接的换流支路、断流支路以及能量吸收支路串联连接于输电线路的主回路中，本发明提供的直流断路器拓扑结构新颖简洁，功能全面，控制方法简单，可以实现无弧快速切断短路电流的功能，且承压开关，换流开关和断流开关均能够通过电力电子器件串联或并联来实现模块化，降低了对电力电子器件一致性的要求，易于实现串联使用。
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公开(公告)号：CN109066609B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201810838116.0
申请日：2018-07-26
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于级联SiC MOSFET的全固态直流断路器拓扑结构，包括控制单元及执行单元，其中，控制单元包括控制器及驱动器，执行单元包括第一控制端子、第二控制端子、第一功率端子、第二功率端子、二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一SiC MOSFET管、第二SiC MOSFET管、第一压敏电阻、第二压敏电阻、动态均压电容、驱动电容、第一静态均压电阻及第二静态均压电阻，该拓扑结构的可靠性高、成本低，并且能够实现级联SiC MOSFET的电压均衡。
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公开(公告)号：CN104779780B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201510197753.0
申请日：2015-04-23
Applicant: 西安交通大学
IPC: H02M1/092
Abstract: 本发明公开了一种IGBT串联均压电路及方法，包括全局控制电路、N个本地控制电路、N个IGBT、N个二极管，全局控制电路与各本地控制电路相连接，第i个本地控制电路与第i个IGBT的门极相连接，前一个IGBT的发射极与后一个IGBT的集电极相连接，第i个二极管的正极及负极分别与第i个IGBT的发射极及集电极相连接，2≤N，且i及N均为自然数，2≤i≤N。本发明可以实现IGBT串联的均压。
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公开(公告)号：CN105978300A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610552200.7
申请日：2016-07-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: H02M1/06
CPC classification number: H02M1/06 , H02M2001/0048
Abstract: 本发明公开了一种级联式高压固态开关，包括第一控制信号端子、第二控制信号端子、第一控制供电端子、第二控制供电端子、第一功率接线端子、第二功率接线端子、门极驱动电路、MOS管级联器件及动静态均压电路，该高压固态开关采用器件级联的方法，并且能够高压隔离驱动与器件的动静态均压，可靠性较高，损耗较小。
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公开(公告)号：CN109066609A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810838116.0
申请日：2018-07-26
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于级联SiC MOSFET的全固态直流断路器拓扑结构，包括控制单元及执行单元，其中，控制单元包括控制器及驱动器，执行单元包括第一控制端子、第二控制端子、第一功率端子、第二功率端子、二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一SiC MOSFET管、第二SiC MOSFET管、第一压敏电阻、第二压敏电阻、动态均压电容、驱动电容、第一静态均压电阻及第二静态均压电阻，该拓扑结构的可靠性高、成本低，并且能够实现级联SiC MOSFET的电压均衡。
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