公开(公告)号：CN118607376A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410764684.6

申请日：2024-06-13

申请人： 西安交通大学

发明人： 祝令瑜 ,  唐义政 ,  占草 ,  王伟丞 ,  李志立 ,  孙浩 ,  宋德鑫

IPC分类号： G06F30/27 ,  G06N3/006 ,  G06F30/23 ,  G06F119/08

摘要： 一种多芯片功率模块三维热网络模型建立与结温计算方法，基于多芯片功率模块的芯片数量与内部封装材料的层数，构建多芯片功率模块的三维热网络模型；根据基尔霍夫电流定律将三维热网络模型表征为状态空间方程；基于多芯片功率模块的内部结构尺寸和材料参数建立其有限元模型，对各芯片施加恒定的功率损耗，获得芯片区域及其下方各层材料的瞬态热响应曲线数据集；施加恒定功率损耗作为状态空间方程的输入，把各节点计算得到的瞬态热响应与有限元仿真获取的瞬态热响应之差作为损失函数，利用粒子群算法对热阻、热容参数寻优，最终得到热阻、热容参数；将损耗模型嵌入状态空间方程，将其转变为常微分方程组的初值问题，利用数值计算方法求解结温。

公开(公告)号：CN118607314A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410768597.8

申请日：2024-06-13

申请人： 西安交通大学

发明人： 祝令瑜 ,  王伟丞 ,  占草 ,  唐义政 ,  李志立 ,  康子章

IPC分类号： G06F30/23 ,  G06F30/10 ,  G06F119/14 ,  G06F119/08

摘要： 一种压接型IGBT的电‑热‑机全耦合瞬态仿真方法，根据压接型IGBT几何结构绘制三维几何模型；根据压接型IGBT材料特性设置材料参数，材料参数包括电导率、热导率、密度、杨氏模量和显微硬度；显微观测测量压接型IGBT的各接触面表面，计算接触面表面平均粗糙高度、斜率，构建接触面的接触电阻、热阻模型；设置压接型IGBT仿真模型“电‑热‑机”多物理场边界条件；求解稳态解；以稳态解作为初始值求解瞬态解。

公开(公告)号：CN115561608A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211228491.6

申请日：2022-10-08

申请人： 西安交通大学

发明人： 祝令瑜 ,  汲胜昌 ,  焦乾明 ,  占草 ,  刘占磊 ,  张雅欣 ,  王伟丞 ,  唐义政

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本申请涉及一种IGBT模块结温监测方法和装置。所述方法包括：获取IGBT模块开通关断过程的集电极电流；根据所述集电极电流，获取所述IGBT模块中二极管反向恢复的过冲电流峰值；根据所述过冲电流峰值以及所述集电极电流，获取所述IGBT模块中二极管的反向恢复电流峰值、以及关断过程的准关断电流；根据所述反向恢复电流峰值获取二极管芯片结温、并根据所述准关断电流获取IGBT芯片结温。采用本方法能够监测到准确的芯片结温。