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公开(公告)号:CN115973992A
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN202211714828.4
申请日:2022-12-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了基于MEMS的耐高温柔性流速传感器芯片及其制备方法,所述流速传感器芯片包括柔性衬底和布置在柔性衬底上的温度补偿电阻对、测温电阻对和加热电阻,所述柔性衬底背面开设有空腔。本发明在热电阻周围对称布置测温电阻对,通过公用中央的加热电阻的方式,实现热损失和热温差两种测温原理的结合,有效提高了传感器的测速范围,该MEMS热式流速传感器具有测量范围广,具备更广泛的应用领域。本发明所述的传感器芯片的制备方法,制作方法简单、可靠性高、易于批量化生产、成本低。