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发明公开
基于FIB-SEM双束系统的纳米真空间隙击穿特性实验装置及方法无效

公开(公告)号：CN109765466A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201811581529.1

申请日：2018-12-24

申请人： 西安交通大学

发明人： 孟国栋 , 成永红 , 董承业 , 应琪 , 王科镜 , 张笃佼

IPC分类号： G01R31/12

摘要： 本发明公开了基于FIB-SEM双束系统的纳米真空间隙击穿特性实验装置及方法，包括FIB-SEM双束系统，FIB-SEM双束系统由聚焦离子束和扫描电子显微镜组成，FIB-SEM双束系统的实验腔体中设置有微纳尺度电极系统，微纳尺度电极系统包括测试电极，纳米操纵仪和五轴样品台，纳米操纵仪和五轴样品台通过限流电阻分别连接至电压电流测试电路中的高压电压源和微弱电流测量单元，脉冲电流传感器穿过测试回路并与示波器连接，示波器和电压电流测试电路与计算机相连进行测试数据的记录。本发明能够实现微纳尺度金属电极的原位加工，从20nm到1μm的真空间隙的实时调控及相应的高电压测试和微弱电流测量的功能，对于研究纳尺度真空间隙的放电击穿本征规律具有重要意义。