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公开(公告)号:CN109765466A
公开(公告)日:2019-05-17
申请号:CN201811581529.1
申请日:2018-12-24
申请人: 西安交通大学
IPC分类号: G01R31/12
摘要: 本发明公开了基于FIB-SEM双束系统的纳米真空间隙击穿特性实验装置及方法,包括FIB-SEM双束系统,FIB-SEM双束系统由聚焦离子束和扫描电子显微镜组成,FIB-SEM双束系统的实验腔体中设置有微纳尺度电极系统,微纳尺度电极系统包括测试电极,纳米操纵仪和五轴样品台,纳米操纵仪和五轴样品台通过限流电阻分别连接至电压电流测试电路中的高压电压源和微弱电流测量单元,脉冲电流传感器穿过测试回路并与示波器连接,示波器和电压电流测试电路与计算机相连进行测试数据的记录。本发明能够实现微纳尺度金属电极的原位加工,从20nm到1μm的真空间隙的实时调控及相应的高电压测试和微弱电流测量的功能,对于研究纳尺度真空间隙的放电击穿本征规律具有重要意义。
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公开(公告)号:CN109085476A
公开(公告)日:2018-12-25
申请号:CN201811094719.0
申请日:2018-09-19
申请人: 西安交通大学
摘要: 本发明公开了纳秒时间分辨/微米空间分辨的放电光学观测装置及方法,包括纳秒脉冲电源,纳米脉冲电源连接到真空实验腔体,真空实验腔体中放置纳米位移平台,纳秒位移平台连接微米尺金属电极,腔壁顶端处装有观察窗,观察窗上方有光学显微镜用于放电光学图像的放大,光学显微镜连接高速ICCD相机进行瞬态图像的拍摄,经过计算机进行图像数据的记录。本发明建立了纳秒脉冲下微米间隙击穿电气测试实验系统并建立微间隙击穿光学诊断系统,用于观测、诊断纳秒脉冲下微间隙击穿机理。
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公开(公告)号:CN106501555A
公开(公告)日:2017-03-15
申请号:CN201611091240.2
申请日:2016-12-01
申请人: 西安交通大学
IPC分类号: G01Q60/60
CPC分类号: G01Q60/60
摘要: 本发明公开了一种超低粗糙度钨探针的制备装置及方法,包括减震平台,减震平台上连接有L型固定支架,L型固定支架上连接有用于带动钨丝运动的运动控制系统,减震平台上还设置有装有腐蚀溶液的容器,且装有腐蚀溶液的容器位于钨丝的正下方,装有腐蚀溶液的容器中设置铜环对电极,装有腐蚀溶液的容器中还设有用于将铜环对电极和钨丝隔离的对电极隔离系统,且铜环对电极和钨丝分别连接至数控直流电源的负极和正极。本发明基于动态电化学腐蚀原理,在有效控制针尖轮廓和长-径比的前提下,制备出超低粗糙度纳尺度钨探针。
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