公开(公告)号：CN111693839B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202010554935.X

申请日：2020-06-17

Applicant: 西安交通大学 ,  浙江大学

Inventor： 王振宇 ,  李运甲 ,  孙晓华 ,  朱郑允 ,  郭清 ,  刘晔 ,  李佳星 ,  关桐

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种分辨SiC MOSFET在体二极管重复浪涌电流下退化原因的方法，通过单次浪涌电流实验确定SiC MOSFET体二极管的单次浪涌电流能力，测量SiC MOSFET的静态特性和动态特性，进行重复浪涌电流试验，比较浪涌电流实验后SiC MOSFET的静态特性、动态特性以及提取的参数的退化，分辨器件的退化原因，确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含双极退化，比较体二极管特性以或体二极管压降的变化，确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含封装退化，是否包含栅氧退化，比较小电流下的转移特性或阈值电压的变化，实现了退化原因的有效解耦，有利于了解器件的失效机理。

公开(公告)号：CN119446612A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411532352.1

申请日：2024-10-30

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张鸿飞 ,  李佳星 ,  陈方宇 ,  张璐 ,  李沛沛 ,  陈芳

IPC: G21F1/10

Abstract: 本发明公开了一种基于无溶剂钨基流体的中子、伽马复合屏蔽材料及其制备方法和应用，属于辐射防护技术领域。本发明公开的复合屏蔽材料，通过在纳米WO3粉末表面接枝硅烷偶联剂‑聚醚胺有机分子长链，制备得无溶剂钨基流体，降低了纳米WO3的表面能，改善纳米WO3粉末作为填料时的与热塑性聚氨酯基体之间的界面相容性，增加了纳米WO3粉末在基体中的分散度，减少纳米粒子的团聚现象，提高该复合屏蔽材料得屏蔽性能。

公开(公告)号：CN111693839A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010554935.X

申请日：2020-06-17

Applicant: 西安交通大学 ,  浙江大学

Inventor： 王振宇 ,  李运甲 ,  孙晓华 ,  朱郑允 ,  郭清 ,  刘晔 ,  李佳星 ,  关桐

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种分辨SiC MOSFET在体二极管重复浪涌电流下退化原因的方法，通过单次浪涌电流实验确定SiC MOSFET体二极管的单次浪涌电流能力，测量SiC MOSFET的静态特性和动态特性，进行重复浪涌电流试验，比较浪涌电流实验后SiC MOSFET的静态特性、动态特性以及提取的参数的退化，分辨器件的退化原因，确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含双极退化，比较体二极管特性以或体二极管压降的变化，确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含封装退化，是否包含栅氧退化，比较小电流下的转移特性或阈值电压的变化，实现了退化原因的有效解耦，有利于了解器件的失效机理。