一种判断浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的方法

    公开(公告)号:CN113466649A

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202110732566.3

    申请日:2021-06-29

    Abstract: 本发明公开了一种判断浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的方法,在电动机驱动器和并网系统等高功率变换器中,SiC功率MOSFET及其体二极管可能会遭受大浪涌电流的冲击,需要研究SiC功率MOSFET的浪涌电流能力和浪涌电流可靠性并判断其失效原因。对于浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的判断主要借助于器件解封后的失效观察,缺乏与电学性能有关的判断方法。本发明对SiC MOSFET在正栅偏浪涌电流测试中可能存在的失效原因,提出了一种与电学性能相关的判断方法,能够根据浪涌电流测试中浪涌电压波形的变化规律判断SiC MOSFET的失效原因,通过比较最大浪涌电流能力验证器件的失效原因,避免了对器件进行解封观察,减少了工作量,有利于了解器件的失效过程,补充了SiC MOSFET的可靠性研究。

    一种分辨SiC MOSFET在体二极管重复浪涌电流下退化原因的方法

    公开(公告)号:CN111693839A

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN202010554935.X

    申请日:2020-06-17

    Abstract: 本发明公开了一种分辨SiC MOSFET在体二极管重复浪涌电流下退化原因的方法,通过单次浪涌电流实验确定SiC MOSFET体二极管的单次浪涌电流能力,测量SiC MOSFET的静态特性和动态特性,进行重复浪涌电流试验,比较浪涌电流实验后SiC MOSFET的静态特性、动态特性以及提取的参数的退化,分辨器件的退化原因,确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含双极退化,比较体二极管特性以或体二极管压降的变化,确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含封装退化,是否包含栅氧退化,比较小电流下的转移特性或阈值电压的变化,实现了退化原因的有效解耦,有利于了解器件的失效机理。

    一种加速SiC MOSFET体二极管双极退化的功率循环方法

    公开(公告)号:CN110907791A

    公开(公告)日:2020-03-24

    申请号:CN201911183818.0

    申请日:2019-11-27

    Abstract: 本发明公开了一种加速SiC MOSFET体二极管双极退化的功率循环方法,首先确定合适大小的重复浪涌电流,并进行常温下和高温下功率循环的温度评估。再对SiC MOSFET分立器件一的体二极管进行常温下重复浪涌电流功率循环试验,对同型号的SiC MOSFET分立器件二的体二极管进行高温下重复浪涌电流功率循环试验,当SiC MOSFET分立器件一与器件二的体二极管老化到一定程度时,测量SiC MOSFET分立器件一、器件二的体二极管的静态特性(正向IV特性)以及动态特性(反向恢复电流波形)的退化,高温下重复浪涌电流功率循环克服了直流电流应力功率循环的局限性,控制简单,可靠性强,功率循环期间无持续的热量积累,对封装的特性无影响,可在高温环境中进行,提高了老化效率,加速了双极退化。

    一种判断浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的方法

    公开(公告)号:CN113466649B

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202110732566.3

    申请日:2021-06-29

    Abstract: 本发明公开了一种判断浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的方法,在电动机驱动器和并网系统等高功率变换器中,SiC功率MOSFET及其体二极管可能会遭受大浪涌电流的冲击,需要研究SiC功率MOSFET的浪涌电流能力和浪涌电流可靠性并判断其失效原因。对于浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的判断主要借助于器件解封后的失效观察,缺乏与电学性能有关的判断方法。本发明对SiC MOSFET在正栅偏浪涌电流测试中可能存在的失效原因,提出了一种与电学性能相关的判断方法,能够根据浪涌电流测试中浪涌电压波形的变化规律判断SiC MOSFET的失效原因,通过比较最大浪涌电流能力验证器件的失效原因,避免了对器件进行解封观察,减少了工作量,有利于了解器件的失效过程,补充了SiC MOSFET的可靠性研究。

    一种分辨SiC MOSFET在体二极管重复浪涌电流下退化原因的方法

    公开(公告)号:CN111693839B

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN202010554935.X

    申请日:2020-06-17

    Abstract: 本发明公开了一种分辨SiC MOSFET在体二极管重复浪涌电流下退化原因的方法,通过单次浪涌电流实验确定SiC MOSFET体二极管的单次浪涌电流能力,测量SiC MOSFET的静态特性和动态特性,进行重复浪涌电流试验,比较浪涌电流实验后SiC MOSFET的静态特性、动态特性以及提取的参数的退化,分辨器件的退化原因,确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含双极退化,比较体二极管特性以或体二极管压降的变化,确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含封装退化,是否包含栅氧退化,比较小电流下的转移特性或阈值电压的变化,实现了退化原因的有效解耦,有利于了解器件的失效机理。

    一种可自动除尘的光声光谱式气体传感器

    公开(公告)号:CN116297219A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310180522.3

    申请日:2023-02-28

    Abstract: 本发明公开了一种可自动除尘的光声光谱式气体传感器,包括顶部封装管壳,顶部封装管壳连接底部封装管壳构成密闭的光声池,光声池内部位于顶部封装管壳的一侧分别设置有集成电路芯片、红外光源和压力传感器,底部封装管壳上开有透气孔,透气孔上位于光声池的一侧设置有多孔电学致动薄膜,集成电路芯片分别连接红外光源、压力传感器和多孔电学致动薄膜,通过逆压电效应驱动多孔电学致动薄膜振动实现除尘,光声池内的待测气体分子通过吸收红外光源发出的周期性光波产生周期性压力信号,压力传感器根据压力信号确定当前的待测气体浓度。能够提升微型光声光谱气体传感器在电力、能源等工业场景的鲁棒性与长期稳定性。

    一种可穿戴柔性非接触式多导联ECG采集系统

    公开(公告)号:CN114557700A

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202210181798.9

    申请日:2022-02-25

    Abstract: 本发明公开的一种可穿戴柔性非接触式多导联ECG采集系统,属于医疗仪器设备技术领域。包括依次复合的顶部元件焊接层、上层柔性绝缘薄膜、中间铜箔电极层和下层柔性绝缘薄膜;顶部元件焊接层内部设有超高输入阻抗缓冲电路、信号调理模块、通用异步收发器、信号传输模块和电源模块;中间铜箔电极层包括若干信号采集铜箔电极,通过超高输入阻抗缓冲电路与信号调理模块连接,信号调理模块与通用异步收发器连接,通用异步收发器与信号传输模块连接,信号传输模块与外部信号接收终端连接;所述可穿戴柔性非接触式多导联ECG采集系统通过电源模块供电。本系统轻薄柔软、穿戴舒适、使用方便、信号稳定,适合于多种场景下病人ECG长时间动态监测。

    一种采用无线充电的心电衣
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113824219A

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202111223284.7

    申请日:2021-10-20

    Abstract: 本发明公开了一种采用无线充电的心电衣,包括接收线圈、电能变换电路、信号处理模块、储能模块、心电电极、心电内衣。接收线圈、电能变换电路、信号处理模块、储能模块、心电电极嵌入心电内衣夹层中。接收线圈与储能模块固连,电能传输至电能变换电路整流得到直流电,信号处理模块与储能模块位于左胸上侧,电能经电能变换电路储存在储能模块中,储能模块直接给信号处理模块供电,心电电极共有六个,分布在心脏周围形成六导联心电测量排列,每个心电电极单独与信号处理模块固连,将测得的心电信号输入信号处理模块处理,通过无线充电的方法对心电衣进行充电,通过无线充电的方法对心电衣进行充电,心电衣对外无有线接口,一体性好。

    一种基于深度学习的辅助电子听诊器信号判别方法

    公开(公告)号:CN113796889A

    公开(公告)日:2021-12-17

    申请号:CN202111003116.7

    申请日:2021-08-30

    Abstract: 一种基于深度学习的辅助电子听诊器信号判别方法,基于心脏跳动复杂的声音信号,利用小波变换滤除无用的声音信号,将心脏跳动信号的心音进行杂音滤除处理,基于心脏跳动周期的各个阶段具有不同的特征,通过将心音信号进行分段处理,提取相对应的声学特征,并通过人工神经网络算法进行处理,实现判断心音信号正常与否,辅助医生判断患者的疾病,实现更好的去噪效果,精确度更高,鲁棒性更好;与传统电子听诊器相比,本发明对心音信号处理更精细,获得更具体完整的结果,同时可以辅助医生进行诊断,在未来远程医疗诊断进一步发展后,本发明的优势将会进一步凸显。

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