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公开(公告)号：CN110311010A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910572514.7
申请日：2019-06-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/028 , G01J3/28
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯纳米带的红外宽光谱探测器，包括石墨烯纳米带、栅极、源极、漏极和栅极介质。该探测器中石墨烯纳米带的带隙大小一方面可根据其宽度调节，另一方面可通过栅压调节，整体实现两个维度上的带隙可调。不同带隙大小对应探测器不同的光响应频率。因此，该探测器具有宽光谱探测能力，实现探测波段覆盖760nm-100μm的全红外波探测。且探测灵敏度高、响应速度快，可有效解决红外宽光谱探测的迫切需求。
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公开(公告)号：CN106773030B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201611045612.8
申请日：2016-11-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: G02B27/00
Abstract: 本发明公开了一种均匀光针聚焦微结构及设计方法，由两组对应不同焦距的二元振幅型菲涅尔波带片半径序列复合而成，并对微结构中心区域进行遮挡，其构造过程为：给定照明波长和第一焦距，确定第一组环带半径序列{r1,n}；初选第二焦距得到第二组环带半径序列{r2,m}；适当选择{r2,m}中的部分序列段替换{r1,n}中的部分序列段形成新的微结构环带半径序列；各环带透过率规定为，先设定中心遮挡圆，从中心遮挡圆半径坐标开始至最外环带半径各环带透过率按{1,0}交替编码，且起始环带透过率为1；优选结构参数实现均匀光针强度场分布；该设计方法适用于多种典型偏振激光光束照明情形，设计的微结构可应用于激光微细加工、高分辨率显微成像、光学操控等领域。
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公开(公告)号：CN116451135A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310384296.0
申请日：2023-04-11
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F18/241 , G06N20/00 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种基于自动学习和集成学习的静电形成纳米线半导体VOCs识别方法，识别方法包括如下过程：获取第一数据集或第二数据集，其中，第一数据集包括待检测VOCs通过静电形成纳米线前后的背栅阈值电压偏移量、背栅亚阈值摆动偏移量和背栅源漏电流偏移量，所述第二数据集包括待检测VOCs通过静电形成纳米线前后的结栅极阈值电压偏移量、结栅亚阈值摆动偏移量和结栅源漏电流偏移量；利用已训练好的CatBoost模型、Stacking模型或Blending模型对第一数据集进行处理，得到待检测VOCs种类；或者，利用已训练好的CatBoost模型、Stacking模型或Blending模型对第二数据集进行处理，得到待检测VOCs的种类。
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公开(公告)号：CN106773030A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611045612.8
申请日：2016-11-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: G02B27/00
CPC classification number: G02B27/0012
Abstract: 本发明公开了一种简单的均匀光针聚焦微结构及设计方法，由两组对应不同焦距的二元振幅型菲涅尔波带片半径序列复合而成，并对微结构中心区域进行遮挡，其构造过程为：给定照明波长和第一焦距，确定第一组环带半径序列{r1,n}；初选第二焦距得到第二组环带半径序列{r2,m}；适当选择{r2,m}中的部分序列段替换{r1,n}中的部分序列段形成新的微结构环带半径序列；各环带透过率规定为，先设定中心遮挡圆，从中心遮挡圆半径坐标开始至最外环带半径各环带透过率按{1,0}交替编码，且起始环带透过率为1；优选结构参数实现均匀光针强度场分布；该设计方法适用于多种典型偏振激光光束照明情形，设计的微结构可应用于激光微细加工、高分辨率显微成像、光学操控等领域。
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公开(公告)号：CN110342504A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910572325.X
申请日：2019-06-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01B32/194 , C01B32/184 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯纳米带的制备方法。该方法提出了探针操纵纳米线阵列化的理论模拟和实验方案，利用分子动力学仿真，确定探针着力点、规划探针路径，实现纳米线移动方向和移动距离的可操控，最终将分散的纳米线阵列化，为以纳米线阵列为掩蔽的纳米带结构可控制备提供了基础。刻蚀得到纳米带结构后，进一步通过高温退火改善边缘缺陷，得到原子级平滑边缘的石墨烯纳米带，提高了纳米带的光电特性。本发明提供的方法操作简单、实用性强、可靠性高，适用于实际生产，有效解决了石墨烯纳米带的制备难题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108931560A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810501986.9
申请日：2018-05-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于一维纳米材料传感器的制备方法，该方法将一维纳米材料的悬浊液滴基底上，使用工具刷匀速梳理后静置，烘干后一维纳米材料通过范德华力与基底接合更紧密；去胶后待基底表面溶液挥发，一维纳米材料在基底上形成大面积均匀排列；利用光刻工艺得到叉指电极图形；在基底表面镀金后剥离得到一维纳米材料传感器，该传感器具有电学性能优良，灵敏度高的特点。本发明方法适用于氧化锌，硅等多种一维纳米材料，并且适用于不同基底如二氧化硅，玻璃等。一维纳米材料的分布密度和排列的整齐度可以通过改变组装工具的尺寸来实现，若使用大尺度精细机械化组装工具有望实现大面积的生产。该方法在纳米器件制造集成领域有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN119646742A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411728635.3
申请日：2024-11-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明属于VOCs检测技术领域，公开了一种基于表格深度学习和模型融合的单根静电形成纳米线半导体VOCs识别方法，包括：获取第一数据集，第一数据集包括待识别VOCs通过单根静电形成纳米线半导体前后背栅阈值电压的变化值、背栅亚阈值摆动的变化值和背栅源漏电流的变化值；获取第二数据集，第二数据集包括待识别VOCs通过单根静电形成纳米线半导体前后结栅极阈值电压的变化值、结栅亚阈值摆动的变化值和结栅源漏电流的变化值；将第一、第二数据集进行Stacking模型融合，得到待识别VOCs种类的最终预测结果；进行Stacking模型融合时，基模型、元模型采用表格深度学习模型。本发明将表格深度学习和模型融合相结合，提高了静电形成的纳米线（EFN）气体传感器的VOCs识别率。
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公开(公告)号：CN110311010B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201910572514.7
申请日：2019-06-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/028 , G01J3/28
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯纳米带的红外宽光谱探测器，包括石墨烯纳米带、栅极、源极、漏极和栅极介质。该探测器中石墨烯纳米带的带隙大小一方面可根据其宽度调节，另一方面可通过栅压调节，整体实现两个维度上的带隙可调。不同带隙大小对应探测器不同的光响应频率。因此，该探测器具有宽光谱探测能力，实现探测波段覆盖760nm‑100μm的全红外波探测。且探测灵敏度高、响应速度快，可有效解决红外宽光谱探测的迫切需求。
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公开(公告)号：CN110342504B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201910572325.X
申请日：2019-06-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01B32/194 , C01B32/184 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯纳米带的制备方法。该方法提出了探针操纵纳米线阵列化的理论模拟和实验方案，利用分子动力学仿真，确定探针着力点、规划探针路径，实现纳米线移动方向和移动距离的可操控，最终将分散的纳米线阵列化，为以纳米线阵列为掩蔽的纳米带结构可控制备提供了基础。刻蚀得到纳米带结构后，进一步通过高温退火改善边缘缺陷，得到原子级平滑边缘的石墨烯纳米带，提高了纳米带的光电特性。本发明提供的方法操作简单、实用性强、可靠性高，适用于实际生产，有效解决了石墨烯纳米带的制备难题。
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公开(公告)号：CN110233182B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910572336.8
申请日：2019-06-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种复合结构双吸收层石墨烯探测器及其制备工艺。该探测器包括二氧化硅基底、石墨烯纳米带、金属电极、纳米光栅天线、金属量子点、金属膜环带片和透明粘合剂。通过亚波长纳米光栅天线对光束进行耦合传导同时产生等离子体共振，提高接收效率并增强光电响应；通过金属量子点激发表面等离子体激元，产生表面等离子体共振增强光电响应；通过金属膜环带片对入射光束聚焦，使得入射光能量集中作用在探测区域，增强光电响应。采用正反两面探测器结构，正面与背面同时接收并转换成光电流，有效增大了接收面积，进一步了提高光电响应。相应的制备工艺操作简单，可靠性强。本发明有助于突破石墨烯弱光子能量探测的技术瓶颈。
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