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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111323737A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010275259.2
申请日：2020-04-09
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R33/06
Abstract: 一种阻抗敏感型磁传感器及其硬件检测电路，包括电感L、分布电容C、直流电阻和交流电阻；直流电阻和电感L串联形成第一串联组，交流电阻和分布电容C串联形成第二串联组，第一串联组和第二串联组并联形成阻抗敏感型磁传感器；本发明使用了技术成熟的磁芯绕线电感，结构简单、成本低廉、工艺成熟。本发明利用了磁芯绕线电感的巨磁阻抗(GMI)原理，相比于使用CoFeSiB等非晶丝GMI传感器的变化率要高得多，其灵敏度也更高。
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公开(公告)号：CN111308401A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010275289.3
申请日：2020-04-09
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R33/06
Abstract: 一种基于阻抗敏感型磁传感器的检测电路及磁传感器，包括正交信号发生器、相位检测PSD、带通滤波器BPF、低通滤波器LPF、模数转换ADC、微处理器和磁传感器；正交信号发生器输出两路，每一路均依次连接相位检测PSD、低通滤波器LPF、模数转换ADC，且每一路的模数转换ADC均连接到微处理器；磁传感器连接正交信号发生器和带通滤波器BPF，带通滤波器BPF分两路分别连接到两个相位检测PSD上。相比于磁芯绕线电感的自谐振状态，由于串联的电容要远大于电感的分布电容，所以LC串联器件的串联谐振频率要元小于其自谐振频率。使用LC串联状态，有效的降低了阻抗敏感型磁传感器的激励信号频率。
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公开(公告)号：CN109781149A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811594061.X
申请日：2018-12-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01D5/12
Abstract: 一种AMR传感器结构及其制造方法，一种AMR传感器结构，包括第一导电材料、第二导电材料和磁阻条；包括提供一个Si基底，并对Si基底进行预处理；利用光刻、剥离技术在基底上形成第一预定义图形；利用磁控溅射薄膜生长技术生长磁性长条，在生长磁阻条时外加偏置磁场，引入附加磁各向异性能；利用丙酮超声清洗，去除多余的磁性薄膜；利用光刻、剥离技术在基底上形成第二预定义图形；利用磁控溅射薄膜生长技术生长惠斯通电桥；利用丙酮超声清洗，去除多余的导电金属薄膜。增大了磁阻条工作面积，避免了巴贝电极边缘电流的影响，降低了加工过程对精度的要求。
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公开(公告)号：CN111323737B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010275259.2
申请日：2020-04-09
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R33/06
Abstract: 一种阻抗敏感型磁传感器及其硬件检测电路，包括电感L、分布电容C、直流电阻和交流电阻；直流电阻和电感L串联形成第一串联组，交流电阻和分布电容C串联形成第二串联组，第一串联组和第二串联组并联形成阻抗敏感型磁传感器；本发明使用了技术成熟的磁芯绕线电感，结构简单、成本低廉、工艺成熟。本发明利用了磁芯绕线电感的巨磁阻抗(GMI)原理，相比于使用CoFeSiB等非晶丝GMI传感器的变化率要高得多，其灵敏度也更高。
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